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    1. 侵權投訴

      安世半導體2020年首發氮化鎵新品,透露了哪些信息?

      芯鏈 ? 2020-06-17 17:17 ? 次閱讀

      電子發燒友網報道(文/黃晶晶)最近,聞泰科技發布公告稱將進一步收購安世剩余股權,并將增資為安世半導體進行工藝升級等項目。而在年初,安世半導體也任命了張學政為首席執行官。這家以汽車用功率半導體而著稱的公司,在第三代半導體氮化鎵的技術和產品推進上,又有了新的動作。

      安世每年交付900多億件、15000種產品,聞泰進一步收購并計劃擴產

      2019年安世半導體的年銷售額達到14.3億美元,公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC,占全球市場份額為14.2%。每年可提供超過15000種產品,每年新增800余種產品。
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      Nexperia每年可交付900多億件產品,產品符合汽車行業的嚴苛標準。安世的產品著眼于汽車、微型化、能效以及保護等當下與未來的挑戰。
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      安世擁有自己的2家前道和3家后道制造廠,2家前道工廠分別位于德國漢堡,英國曼徹斯特。3家后道工廠分別位于中國廣東,菲律賓卡布堯,馬來西亞芙蓉市。超過12000名員工,為客戶提供全球支持。
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      聞泰科技在今年一季報并公告稱擬收購安世剩余20%的股權,安世集團整合進一步加強,公告定增加支付現金的形式收購少數股東權益,交易完成后聞泰將持有安世集團98.23%的股權。
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      今年3月月,Nexperia對外宣布,現任Nexperia董事會主席的張學政將擔任首席執行官。
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      另外,聞泰擬募資用于安世中國先進封測平臺及工藝升級項目。

      安世發布第二代氮化鎵GaN FET,主打工業和汽車領域

      2019年安世進入高壓寬帶隙半導體市場,采用高電子遷移率晶體管技術,采用級聯結構的氮化鎵技術助力工程師簡化應用設計,無需復雜的驅動和控制。
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      今年6月,新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔,減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247 封裝的新器件,導通電阻RDS(on)降低到僅 41mΩ(最大值,25℃的典型值為 35mΩ),同時具有高的柵級閥值電壓和低反向導通電壓。CCPAK封裝的新器件,將導通電阻值進一步降低到39mΩ(最大值,25℃的典型值為 33mΩ)。兩種封裝的新器件均符合 AEC-Q101 標準,可滿足汽車應用的要求。
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      Nexperia 的 CCPAK貼片封裝采用了創新的銅夾片封裝技術來代替內部的封裝引線。這樣可以減少寄生損耗,優化電氣和熱性能,并提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置,使其更通用,并有助于進一步改善散熱。
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      650V TO-247封裝的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封裝的 GAN039-650NBB目前均可提供樣品。
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      安世半導體MOS 業務集團大中華區總監李東岳先生分析說,采用級聯結構的氮化鎵技術,相當于串連一個30伏的MOS管,可以做到常態關斷,使用級聯可以較容易將開啟電壓優化到4伏,相較于1.5伏更容易抗干擾。第二代GaN FET首先將應用于工業領域,2021年可提供AEC-Q101認證的器件。

      安世半導體MOS 業務集團大中華區總監李東岳先生

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      工業應用方面覆蓋,服務器和電信電源的同步整流器,提供高端電源所需的高效率和高功率密度,比如80+鈦金牌電源單元;電池儲能和不間斷電源,增加功率密度,并減小輸出濾波器尺寸;還有,伺服驅動器,輸出電流波形改善,更低的電機損耗和噪音。
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      GaN是這些應用的首選功率器件,因為GaN FETs使系統以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域,這意味著車輛行駛里程更長,而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題?,F在,GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC,成為插電式混合動力汽車或純電動汽車中使用的牽引逆變器的首選技術。
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      GaN能超越基于硅的IGBT和SiC的另一個優勢在于制造產業鏈的成熟度。李東岳分析,基于硅基的氮化鎵器件可以用硅產線的生產設備,而碳化硅需要專門的設備,且原材料生產比較復雜。在未來電動和混動汽車產能快速上升的時候,氮化鎵的器件更容易上量,擴產靈活,生產工藝更簡單,成本也更有優勢。車規級GAN器件目前市面上還比較少,安世半導體憑借多年車規級器件的管理和制造工藝經驗,能夠率先提供這一器件。

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      的頭像 氮化鎵 (GaN) 應用 發表于 03-20 08:38 ? 1323次 閱讀
      采用NV611X系列氮化鎵(GaN)進行電源設計熱處理及PCB layout 注意事項

      三安光電氮化鎵場效應管制作過程專利

      三安光電提出的此項專利涉及氮化鎵晶體管的制備工藝,解決了現有方法中常規金屬材料熱穩定性和散熱差、工藝....
      的頭像 汽車玩家 發表于 03-19 15:44 ? 1047次 閱讀
      三安光電氮化鎵場效應管制作過程專利

      康佳訂購AIXTRON MOCVD系統進入Micro LED試生產

      與現有的LCD和OLED技術相比,Micro LED為消費類移動產品以及高端電視顯示器的設計提供了新....
      發表于 03-18 09:47 ? 238次 閱讀
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      5G時代氮化鎵的優勢到底有多明顯

      氮化鎵(GaN)被譽為繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三....
      的頭像 半導體動態 發表于 03-17 11:04 ? 1941次 閱讀
      5G時代氮化鎵的優勢到底有多明顯

      貿澤電子將備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板

      貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EV....
      發表于 03-16 15:04 ? 282次 閱讀
      貿澤電子將備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板

      倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點啟示

      19年12月份,購買了一款 明星產品:倍思的雙C+A口 65W 氮化鎵GaN充電器產品。 京東上售價....
      發表于 03-16 11:44 ? 1529次 閱讀
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      功率MOSFET的參數怎么看?教你在實際應用選擇功率MOSFET

      使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了,這方面的技術文章看了不少,但實際應用選型方面的文章不是很多。在此,根據學到的理論...
      發表于 11-17 08:00 ? 1230次 閱讀
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      電源人必知知識之功率器件熱設計及散熱計算

      介紹了功率器件的熱性能參數,并根據實際工作經驗,闡述了功率器件的熱設計方法和散熱器的合理選擇。資料來自網絡分享 張飛...
      發表于 10-07 22:33 ? 1260次 閱讀
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      氮化鎵與矽的MOS開關比較

      由於寬能隙功率元件的優異切換性能,近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題,如:究竟寬能隙元件對於系統的功率密度與效率的提升幫...
      發表于 09-19 09:05 ? 1201次 閱讀
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      什么因素推動射頻半導體格局的變化?

      當今的半導體行業正在經歷翻天覆地的變化,這主要是由于終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前,業內有許多家射頻公司,它們...
      發表于 09-02 07:55 ? 409次 閱讀
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      硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優勢?

      射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導...
      發表于 09-02 07:16 ? 719次 閱讀
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      氮化鎵有哪些卓越表現?

      射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 ...
      發表于 09-02 06:41 ? 496次 閱讀
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      高壓功率器件的開關技術

      高壓功率器件的開關技術簡單的包括硬開關技術和軟開關技術: 如圖所示,典型的硬開關過程中,電壓和電流的變化雖然存在時間...
      發表于 08-29 10:11 ? 673次 閱讀
      高壓功率器件的開關技術
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