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    1. 侵權投訴

      國產碳化硅最新進展,功率IDM龍頭低調入場!

      芯鏈 ? 2020-06-18 11:38 ? 次閱讀

      電子發燒友網報道(文/黃晶晶)碳化硅SiC是寬禁帶半導體材料的典型代表,具有高禁帶寬度、高擊穿場強和高熱導率等優良特性,成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。
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      國外碳化硅半導體產業鏈發展起步早,從襯底到外延片再到芯片的工藝產品相對成熟,不過近年來國產碳化硅產業鏈也取得不小的進步。
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      據了解,今年以來,華潤微電子已經切入到碳化硅領域,無論從產品線還是技術研發等布局來看,這家國內功率IDM龍頭的入局將推動國產碳化硅進入新的階段。

      碳化硅市場格局

      碳化硅產業鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環節,目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷,根據Yole數據顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據了90%的SiC市場份額,Cree是SiC襯底主要供應商,羅姆、意法半導體等擁有自己的SiC生產線等。
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      襯底方面,國際主流產品從4英寸向6英寸過渡,Cree已經開發出8英寸襯底。國內襯底主要供應商有天科合達、山東天岳、同光晶體等能夠供應3 英寸-6 英寸的單晶襯底。國內SiC襯底以4英寸為主,6英寸襯底還有待突破。
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      2019年8月,華為通過旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天岳公司,占股10%,顯示華為正在布局新一代半導體材料技術。
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      外延片方面,國內廈門瀚天天成、東莞天域、世紀金光已能提供4英寸/6英寸SiC外延片。目前,6英寸碳化硅外延片可以實現本土供應。
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      SiC器件方面,國際上600~1700V SiC SBD、MOSFET 已經實現產業化,主流產品耐壓水平在1200V 以下,封裝形式以TO 封裝為主。價格方面,國際上的SiC 產品價格是對應Si 產品的5~6 倍,正以每年10%的速度下降。據預測,隨著上游材料器件紛紛擴產上線,未來2~3年后市場供應加大,價格將進一步下降,預計價格達到對應Si 產品2~3 倍時,由系統成本減少和性能提升帶來的優勢將推動SiC 逐步占領Si 器件的市場空間。
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      國內碳化硅器件供應商主要有中車時代電氣、中電55所、中電13所、基本半導體、泰科天潤、瑞能半導體等,以及國內功率IDM龍頭華潤微電子也進入到這一領域。
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      國產碳化硅二極管

      從產品分類來看,國內廠商已有不少推出碳化硅二極管。例如泰科天潤是國內第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商,已經量產SiC SBD,產品涵蓋600V/5A~50A、1200V/5A~50A 和1700V/10A 系列。
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      瑞能半導體的碳化硅二極管,主要應用領域包括工業、服務器、空調等。此外,還推出了面向汽車級的碳化硅二極管產品。
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      中電科55所是國內少數從4-6寸碳化硅外延生長、芯片設計與制造、模塊封裝領域實現全產業鏈的企業單位,其6 英寸碳化硅中試線已投入運行,旗下的控股子公司揚州國揚電子現有一條于2017 年投產、產能50 萬只/年的功率模塊工藝線。
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      近來,華潤微電子表示其碳化硅二極管將在今年開始實現銷售,并逐步走向產業化,目標是在細分應用市場的占有率取得突破。
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      作為國內功率半導體IDM龍頭企業,華潤微電子是中國領先的擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全產業鏈一體化經營能力的半導體企業。它是目前國內產品線最為全面的功率器件廠商,主要應用于消費電子、工業控制、新能源、汽車電子等領域。根據 IHS Markit 的統計,以銷售額計,在中國MOSFET市場中排名第三,僅次于英飛凌與安森美兩家國際企業,華潤微電子是中國最大的MOSFET 廠商。
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      圖:華潤微電子擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全產業鏈一體化經營能力

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      從晶圓制造產線來看,目前華潤微電子在無錫擁有3條6英寸線,1條8英寸線,2018年年產能分別約247萬片和73萬片。在重慶擁有1條8英寸線,2018年年產能約60萬片。
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      圖:華潤微電子制造與服務資源

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      正是擁有的功率半導體全產業鏈,為華潤微電子切入碳化硅領域提供了夯實的基礎。據悉,華潤微電子于2018年12月開始籌劃建設6英寸生產線,2019年9月SiC晶圓生產線正式落成。
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      由于現有的6英寸硅晶圓產線可以升級改造用于生產SiC器件,華潤微充分利用Si功率器件生產線豐富的經驗,以較少的投資完成了SiC生產線建設,充分利用了Si功率器件生產線豐富的經驗。
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      在碳化硅技術研發方面,國內領先的功率半導體研發經驗,結合浙江大學碳化硅研發成果,成功實現了科技成果的商業轉化。
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      經過四年多時間,華潤微多項專利在申請中,掌握了包括6英寸生產、封裝等環節核心技術,全產鏈自主可控,基于碳化硅產品的技術和產線已經搭建完成??梢灶A見,如今華潤微電子的碳化硅二極管即將面市,將為國產碳化硅產業的發展注入堅實的力量。

      國產碳化硅MOSFET

      碳化硅二極管技術相對不是特別復雜,因此目前國產碳化硅二極管產品較多。而碳化硅MOSFET的技術更難,國內廠商要追上國際需要更深的技術積累。
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      碳化硅MOSFET不僅適合于從600V到10kV的廣泛電壓范圍,同時具備單極型器件的卓越開關性能。國際上600-1700V碳化硅SBD,MOSFET都已量產,Cree已開始布局8英寸產線。國內企業碳化硅MOSFET還有待突破,產線在向6英寸過渡。據了解,目前能夠提供碳化硅MOSFET的國內企業為數不多。
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      華潤微電子表示,隨著公司碳化硅二極管走向產業化,碳化硅MOSFET也是公司的研發重點,碳化硅MOSFET 研發取得突破性進展。碳化硅MOSFET聚焦新能源汽車、充電樁等應用需求。據供應鏈消息,華潤微已有碳化硅MOSFET工藝和樣品流出。華潤微電子進軍碳化硅MOSFET的動作,或將成為今年以來國產碳化硅市場最關鍵的進展之一。
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      更早前,深圳基本半導體采用其獨創的3D SiC 技術,推出1200V SiC MOSFET,達到可量產狀態。上海瞻芯電子于2018 年5月成功地在一條成熟量產的6英寸工藝生產線上完成SiC MOSFET 的制造流程。
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      中車時代于2018年1月6英寸SiC生產線首批芯片試制成功,國家電網智能電網研究院,聯合天科合達等覆蓋從材料到外延到芯片全產業鏈國產化,擁有4英寸和6英寸生產線。
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      三安光電旗下的三安集成于2018 年12月公布商業版本的6英寸碳SiC 晶圓制造流程,并將其加入到代工組合當中。根據公司新聞稿,目前三安集成SiC 工藝技術可以為650V、1200V 和更高額定電壓的肖特基勢壘二極管(SBD)提供器件結構,公司預計在不久后會推出針對900V、1200V和更高額定電壓的SiC MOSFET 產品。
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      總體上,國內廠商在碳化硅MOSFET研發與產品化方面,需要更多的投入與發力,才能在高端領域拉近與國際廠商距離。

      碳化硅市場前景與“新基建”的機會

      SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等,用于智能電網、新能源汽車等行業。
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      據IMSResearch報告顯示,碳化硅功率器件2017年市場份額在3億美元左右,主要集中在光伏逆變器與電源領域。雖只占到功率器件市場的1.5%的規模,但近幾年的年復合增長率保持在30%以上。同時,在產品結構也主要是以二極管為主,占到80%以上的份額,而未來隨著電動汽車作為主驅動力以及MOSFET器件的上量,有望在未來8年超20億美元。
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      Yole數據顯示,2017-2023年SiC功率元器件市場規模的復合年增長率為31%,預計到2023年超過15億美元,應用領域包含馬達驅動器、充電基礎設施、電動汽車、太陽能光伏、地鐵等。
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      2020年3月以來,以加快5G網絡、數據中心、新能源等新型基礎設施建設為主的“新基建”正在成為經濟增長新動能,半導體芯片將為“新基建”提供核心動力。碳化硅將覆蓋5G通信電源、新能源汽車充電樁、服務器電源、特高壓應用柔性輸電技術,以及城際高鐵電力電子變壓器等多項應用。
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      深耕中國市場是華潤微電子多年來始終堅持的方向,公司生產工藝針對中國戰略性新興產業進行重點布局,在電源管理、智慧照明、射頻應用、汽車電子、智能消費電子、物聯網、智能電網等領域可為客戶供多樣化的工藝平臺解決方案。?隨著“新基建”這針經濟強心劑的全面啟動,將為碳化硅功率半導體帶來巨大的政策紅利,也給國內碳化硅廠商提供了前所未有的發展機遇。

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      碳化硅(SiC)具有良好的抗熱震性和化學穩定性,因此在高溫和極端條件下具有良好的應用前景,在工程陶瓷....
      的頭像 牽手一起夢 發表于 04-01 16:45 ? 1130次 閱讀
      新型工藝研究,將3D打印結合碳化硅結構應用

      NV612X GaNFast? 功率半導體器件的熱處理

      介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封....
      的頭像 氮化鎵 (GaN) 應用 發表于 03-31 09:01 ? 2753次 閱讀
      NV612X GaNFast? 功率半導體器件的熱處理

      新能源汽車用功率器件需求量大 國產功率半導體突破曙光初現

      碳化硅(SiC)是一種應用十分普遍的人造材料,因具有高硬度、耐高溫、耐磨、耐熱震、耐腐蝕、良好導電性....
      的頭像 工程師鄧生 發表于 03-24 11:40 ? 1375次 閱讀
      新能源汽車用功率器件需求量大 國產功率半導體突破曙光初現

      碳化硅元件潛力大 IDM到硅晶圓廠爭相擴大布局

      目前全球 95% 以上的半導體元件,都是以第一代半導體材料硅作為基礎功能材料,主要應用在資訊與微電子....
      的頭像 汽車玩家 發表于 03-23 14:53 ? 1052次 閱讀
      碳化硅元件潛力大 IDM到硅晶圓廠爭相擴大布局

      華潤微電子產線全面復工 開啟科創板新篇章

      2月27日,華潤微電子有限公司首次公開發行股票并在上海證券交易所科創板正式掛牌上市(股票簡稱:華潤微....
      的頭像 半導體動態 發表于 03-19 16:18 ? 1664次 閱讀
      華潤微電子產線全面復工 開啟科創板新篇章

      安森美提供的高質量CrystX?碳化硅將幫助工程師解決最獨特的設計挑戰

      GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導體(ON Semicondu....
      的頭像 lyj159 發表于 03-19 09:07 ? 846次 閱讀
      安森美提供的高質量CrystX?碳化硅將幫助工程師解決最獨特的設計挑戰

      Microchip擴展碳化硅(SiC)電源器件系列產品,助力在系統層面優化效率、尺寸和可靠性

      基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開關效率、減少溫升和縮小系統尺寸....
      發表于 03-19 07:40 ? 243次 閱讀
      Microchip擴展碳化硅(SiC)電源器件系列產品,助力在系統層面優化效率、尺寸和可靠性

      天科合達的高質量SiC晶體生長方法

      天科合達的該項專利提出的改進物理物理氣相傳輸法工藝所生成的碳化硅芯片質量遠遠高于傳統方式生成的芯片。
      的頭像 汽車玩家 發表于 03-18 14:50 ? 1527次 閱讀
      天科合達的高質量SiC晶體生長方法

      中科鋼研集成電路產業園項目將確保本年9月份竣工投產 建成后將使我國擺脫碳化硅晶體襯底片依賴進口的尷

      據青島日報報道,中科鋼研集成電路產業園項目負責人張翠榮表示,將按照萊西市‘掛圖作戰’的門路圖,以作戰....
      的頭像 半導體動態 發表于 03-17 11:34 ? 1418次 閱讀
      中科鋼研集成電路產業園項目將確保本年9月份竣工投產 建成后將使我國擺脫碳化硅晶體襯底片依賴進口的尷

      中科鋼研青島集成電路制造項目將在9月竣工

      中科鋼研在青島建有集成電路制造項目,該項目入選了2019年青島市重點項目。
      的頭像 汽車玩家 發表于 03-16 15:20 ? 1167次 閱讀
      中科鋼研青島集成電路制造項目將在9月竣工

      江蘇超芯星天使輪融資完成,首創大尺寸擴徑技術

      據江蘇超芯星半導體有限公司官網介紹,超芯星半導體于2019年4月落戶江蘇儀征經濟開發區,是國內領先的....
      的頭像 汽車玩家 發表于 03-16 15:09 ? 943次 閱讀
      江蘇超芯星天使輪融資完成,首創大尺寸擴徑技術

      FFSH3065ADN SiC二極管 650V 30A TO-247-3 共陰極

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 19:02 ? 41次 閱讀
      FFSH3065ADN SiC二極管 650V 30A TO-247-3 共陰極

      FFSH3065A SiC二極管 - 650 V 30 A.

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 19:02 ? 76次 閱讀
      FFSH3065A SiC二極管 -  650 V 30 A.

      FFSH2065ADN SiC二極管 650V 20A TO-247-3 共陰極

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 18:02 ? 127次 閱讀
      FFSH2065ADN SiC二極管 650V 20A TO-247-3 共陰極

      FFSH10120A SiC二極管 1200V 10A TO-247-2

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 最高結溫175°C 正溫度系數 易于平行 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 18:02 ? 123次 閱讀
      FFSH10120A SiC二極管 1200V 10A TO-247-2

      FFSH30120A SiC二極管 1200V 30A TO-247-2

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 正溫度系數 易于并行 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 17:02 ? 73次 閱讀
      FFSH30120A SiC二極管 1200V 30A TO-247-2

      FFSH2065A SiC二極管 - 650 V 20 A.

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 17:02 ? 85次 閱讀
      FFSH2065A SiC二極管 -  650 V 20 A.

      FFSH1665ADN SiC二極管 650V 16A TO-247-3 共陰極

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 16:02 ? 57次 閱讀
      FFSH1665ADN SiC二極管 650V 16A TO-247-3 共陰極

      FFSD0665A SiC二極管 - 650V 6A DPAK

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 16:02 ? 33次 閱讀
      FFSD0665A SiC二極管 -  650V 6A DPAK

      FFSD0865A SiC二極管 - 650V 8A DPAK

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 16:02 ? 85次 閱讀
      FFSD0865A SiC二極管 -  650V 8A DPAK

      FFSD0465A SiC二極管 - 650V 4A DPAK

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 15:02 ? 42次 閱讀
      FFSD0465A SiC二極管 -  650V 4A DPAK

      FFSB10120A SiC二極管 1200V 10A D2PAK

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,與硅相比,可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。沒有反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 雪崩額定200 mJ 無逆向恢復/無正向恢復 易于并行 高浪涌電流容量 正溫度系數 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 15:02 ? 54次 閱讀
      FFSB10120A SiC二極管 1200V 10A D2PAK

      FFSB20120A SiC二極管 1200V 20A D2PAK

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,與硅相比,可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。沒有反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 雪崩額定200 mJ 高浪涌電流容量 正溫度系數 易于平行 無逆向恢復/無正向恢復 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 15:02 ? 32次 閱讀
      FFSB20120A SiC二極管 1200V 20A D2PAK

      FFSD1065A SiC二極管 - 650V 10A DPAK

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 14:02 ? 45次 閱讀
      FFSD1065A SiC二極管 -  650V 10A DPAK

      FFSH1665A SiC二極管 - 650 V 16 A.

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 14:02 ? 46次 閱讀
      FFSH1665A SiC二極管 -  650 V 16 A.

      FFSB1065A SiC二極管 - 650V 10A D2PAK

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 14:02 ? 73次 閱讀
      FFSB1065A SiC二極管 -  650V 10A D2PAK

      FFSB0465A SiC二極管 - 650V 4A D2PAK

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 13:02 ? 40次 閱讀
      FFSB0465A SiC二極管 -  650V 4A D2PAK

      FFSB0865A SiC二極管 - 650V 8A D2PAK

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 13:02 ? 52次 閱讀
      FFSB0865A SiC二極管 -  650V 8A D2PAK

      FFSM0465A SiC二極管 - 650V 4A PQFN88

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 12:02 ? 49次 閱讀
      FFSM0465A SiC二極管 -  650V 4A PQFN88

      FFSB1265A SiC二極管 - 650V 12A D2PAK

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 12:02 ? 86次 閱讀
      FFSB1265A SiC二極管 -  650V 12A D2PAK

      FFSB0665A SiC二極管 - 650V 6A D2PAK

      硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-04 12:02 ? 71次 閱讀
      FFSB0665A SiC二極管 -  650V 6A D2PAK

      [初階科普向] IGBT這玩意兒——定義怎么看

      引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型...
      發表于 07-18 14:14 ? 1504次 閱讀
      [初階科普向] IGBT這玩意兒——定義怎么看

      碳化硅深層的特性

      碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光...
      發表于 07-04 04:20 ? 445次 閱讀
      碳化硅深層的特性

      碳化硅的歷史與應用介紹

      硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來...
      發表于 07-02 07:14 ? 863次 閱讀
      碳化硅的歷史與應用介紹

      常用的功率半導體器件你都認識嗎?

      電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數十...
      發表于 03-03 07:00 ? 951次 閱讀
      常用的功率半導體器件你都認識嗎?

      【基礎知識】功率半導體器件的簡介

      功率半導體器件概述 功率半導體器件基本概念 功率半導體器件(Power Semiconductor Device)又稱電力電子器件(Power Ele...
      發表于 02-26 17:04 ? 1347次 閱讀
      【基礎知識】功率半導體器件的簡介

      碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點

        一、硅肖特基二極管的特點   硅肖特基二極管早已有之。它是一種金屬與半導體硅接觸的肖特基二極管,由于它的這種...
      發表于 01-11 13:42 ? 1533次 閱讀
      碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點

      碳化硅的物理特性和特征

      碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。一開始,我們先來了解一下它的物理特性和特征。 SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(S...
      發表于 11-29 14:43 ? 1122次 閱讀
      碳化硅的物理特性和特征

      【直播邀請】羅姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用

      親愛的電子發燒友小伙伴們! 羅姆作為 SiC 功率元器件的領先企業,自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件的量產化...
      發表于 07-27 17:22 ? 1289次 閱讀
      【直播邀請】羅姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用
      偷窥 亚洲 色 国产 日韩
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