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    2. 侵權投訴

      對三方制程工藝節點等方面進行的探索

      2020-06-23 13:35 ? 次閱讀

      從上世紀 60 到 90 年代末,制程工藝命名是根據芯片中柵極長度命名。

      長期以來,柵極長度(晶體管柵極的長度)和半間距(芯片上兩個相同特征之間的距離的一半)與過程節點名稱相匹配,但最后一次以柵極長度命名是 1997 年。間距數繼續與節點名匹配,但從實際意義上不再與之相關。

      如果我們能夠達到幾何比例縮放要求使節點名稱和實際尺寸大小保持同步,那么六年前我們芯片制程就會是 1nm 以下。我們用來表示每個新節點的數字只是公司選擇的數字。早在 2010 年,ITRS(稍后將對此進行詳細介紹)將在每個節點上轉儲的技術稱為“等效擴展”。

      市場如何改變了制程?

      當芯片制程接近納米級的極限時,公司可能會開始使用埃米而不是納米,或可能會簡單地使用小數點進行標注。早期,制程以微米而不是 nm(例如,以 0.18 微米或 0.13 微米,而不是 180nm 或 130nm)為單位的標注制程尺寸更為普遍。

      無論從資本還是技術投入的角度出發,半導體制程都無疑是一個深投入、慢產出的領域。一項新技術,從論文階段發展到大規模商用,平均需耗費 10-15 年時間。

      幾十年前,半導體行業認識到,如果針對節點引入通用的路線圖,并規范這些節點所使用的通用特征尺寸,這將有助于解決新節點推入市場時的規模和協同性問題。多年來,ITRS(國際半導體技術路線圖)都負責發布行業總路線圖,周期長達 15 年之久,為半導體市場設定了總體目標。

      2013-2014 年間,ITRS 發布了 ITRS 2.0 版本,但很快意識到覆蓋范圍不足的問題。為了給大學、財團和行業研究人員提供更為完善的藍圖參考,以激發各個技術領域的創新,ITRS 又成立了一個新的組織,稱為 IRDS(設備和系統的國際路線圖),其職責范圍更大,技術覆蓋面也更廣。

      覆蓋面和重點轉移反映整個芯片制造行業正在發生的變革。停止將柵極長度或半節距與節點大小綁定的原因是,它們不是在縮小規模就是在縮小規模的路上。作為替代方案,芯片公司集成了各種新技術和制造方法,從而跟進節點控制的腳步。

      在 40 / 45nm 節點處,要與后者統一,GlobalFoundries 和臺積電等推出浸沒式光刻技術。在 32nm 節點處,引入雙重曝光技術。在 28nm 節點處,引入后柵極技術。此外,FinFET 是由 Intel 在 22nm 節點處引入的技術,而其他公司則是在 14 / 16nm 處開始使用該技術。

      不同的芯片公司有時會在不同的時間節點導入新工藝技術。當 AMD 和臺積電在 40 / 45nm 節點處采用浸沒式光刻技術時,英特爾并沒有作出同樣的選擇,直到 32nm 工藝節點時,它才開始選用浸沒式光刻技術,并選擇首推雙重曝光技術。

      接著,GlobalFoundries 和臺積電在 32 / 28nm 節點處開始更多地采用雙重曝光技術。在 28nm 節點處,臺積電采用的是后柵極技術,而三星和 GlobalFoundries 則采用的是前柵極技術。

      但是,隨著進展變得越來越慢,公司對于營銷的依賴在加大,于是出現了許多公司自己命名的“節點”,擾亂了大家的視線。比如像三星,也開始在 90、65、45nm 節點后開始以自身技術的迭代來命名新的節點。

      每個制程節點都會有升級的空間,但已經不是按照摩爾定律來了。

      現在盡管節點名稱不與任何特征尺寸相關聯,并且某些特征尺寸已停止擴展,但半導體制造商仍在尋找改善關鍵指標的方法,這也是真正的工藝改進。

      但是,由于現在技術很難獲得更多的優勢,并且需要更長的開發時間,因此芯片公司正在嘗試更多的改進方法。例如,三星正在部署比以前更多的芯片制程名稱,這就是市場營銷。

      為什么人們聲稱 Intel 10nm 和 TSMC / Samsung 7nm 是等效的?

      英特爾 10nm 制造參數非常接近臺積電和三星用于 7nm 制程的值。下圖來自 WikiChip,展示了英特爾 10nm 節點的已知特征尺寸,和臺積電、三星 7nm 節點的已知特征尺寸對比情況。

      對三方制程工藝節點等方面進行的探索

      14nm ?/ 10nm?列顯示了每個公司從其上一個節點開始將特定功能擴展的程度。英特爾和三星的金屬最小間距比臺積電更嚴格,但臺積電的高密度 SRAM 單元比英特爾小,這可能反映了臺灣代工廠的不同客戶的需求。同時,三星的手機甚至比臺積電的手機還要小。

      總體而言,英特爾的 10nm 工藝達到的許多關鍵指標,臺積電和三星都將其稱為 7nm。

      針對特定的設計目標,單顆芯片的特征尺寸可能仍將偏離這些既有數據。制造商提供的這些數字是給定節點上的典型預期實現方式,不一定與某些特定芯片完全匹配。

      有人質疑英特爾 10nm +工藝(用于 Ice Lake)參數(針對 Cannon Lake 發布)。其預期規格可能略有變化,但往上推,當年 14nm+也是從 14nm 演變過來的。英特爾已經表示,仍將針對 10nm 的 2.7 倍減?。ㄏ鄬τ?14nm)作為目標,因此將暫緩任何有關下一步 10nm +演進可能有不同的猜測。
      責任編輯:tzh

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      雙通道帶立體聲D類音頻放大器CS8575S

      CS8575S是一款帶AB/D切換, 雙橋音頻功率放大器芯,采用5.0V 電源供電;在THD+N 等....
      發表于 04-06 16:42 ? 52次 閱讀
      雙通道帶立體聲D類音頻放大器CS8575S

      “昕原半導體”完成近億美元Pre-A輪融資

      有媒體透露消息稱:全球知名的新型半導體技術有限公司“昕原半導體”公司近日正式重磅宣布了現已經完成了幾....
      的頭像 lhl545545 發表于 04-06 15:54 ? 684次 閱讀
      “昕原半導體”完成近億美元Pre-A輪融資

      AD9852芯片在原子頻標中有哪些應用?

      AD9852芯片在原子頻標中的應用
      發表于 04-06 09:19 ? 0次 閱讀
      AD9852芯片在原子頻標中有哪些應用?

      芯片的速度取決于哪幾個方面?

      芯片的速度取決于哪幾個方面? CPU和GPU擅長和不擅長的地方看了就知道 ...
      發表于 04-06 09:05 ? 0次 閱讀
      芯片的速度取決于哪幾個方面?

      常用AD/DA芯片有哪幾種?

      常用AD/DA芯片介紹
      發表于 04-06 06:20 ? 0次 閱讀
      常用AD/DA芯片有哪幾種?

      MC33GD3100EK NXP Semiconductors MC33GD3100高級IGBT/SiC柵極驅動器

      miconductors MC33GD3100高級IGBT/SiC柵極驅動器是一款單通道柵極驅動器,用于絕緣柵極雙極晶體管和碳化硅功率器件。MC33GD3100柵極驅動器具有高級功能安全、控制和保護特性,非常適合用于汽車和電動汽車傳動系應用。 集成電流隔離和低導通電阻驅動晶體管實現 高充電和放電電流、低動態飽和電壓和軌到軌柵極電壓控制。電流和溫度檢測可最大限度地降低故障期間的IGBT應力。精確、 可配置的欠壓閉鎖 (UVLO) 提供保護,同時確保足夠的柵極驅動電壓裕量。 MC33GD3100自主管理严重故障,并通过INTB引脚和SPI接口报告故障和状态 。它能够直接驱动大多数IGBT 和SiC MOSFET的栅极。该器件 具有自检、控制和保...
      發表于 11-12 09:07 ? 143次 閱讀
      MC33GD3100EK NXP Semiconductors MC33GD3100高級IGBT/SiC柵極驅動器

      PCA9412AUKZ NXP Semiconductors GreenChip USB-Type-C解決方案

      miconductor GreenChip USB Type-C解決方案將數據交換與大功率充電功能結合在USB連接中。該款Type-C USB連接器將充電功能提升到全新等級,稱為USB供電或USB PD。NXP提供完整的系統解決方案以實現USB Type-C智能電源設計。其中包括USB供電PHY、供電控制器、CC邏輯、信號開關、負載開關、USB轉接驅動器、ESD保護器件以及身份驗證設備。 USB Type-C连接器正在改变整个世界的充电模式(适用于最新的便携式电子平台和设备)。其设计符合外形更加小巧、纤薄的趋势,从而满足市场对更高功率密度以及更高...
      發表于 11-10 09:07 ? 65次 閱讀
      PCA9412AUKZ NXP Semiconductors GreenChip USB-Type-C解決方案

      STSPIN32F0ATR STMicroelectronics 無刷電機驅動器

      oelectronics無刷電機驅動器是采用三相橋式配置的功率驅動器。其中包括用于霍爾效應傳感器、PWM電流控制器和微控制器、DSP或FPGA的內置解碼邏輯。這些器件包括針對過熱、過流和欠壓條件的保護和診斷特性。這樣即可實現穩健可靠的設計。這些驅動器采用多種節省空間的散熱增強型封裝。STSPIN 3相BLDC電機驅動器IC為電機和運動控制提供了即用型解決方案。 视频 长使用寿命承诺 查看 特色产品 ...
      發表于 11-10 09:07 ? 62次 閱讀
      STSPIN32F0ATR STMicroelectronics 無刷電機驅動器

      LDK220U50R STMicroelectronics LDK220 低壓差穩壓器

      oelectronics LDK220 低壓差穩壓器以 2.5V 到 13.2V 范圍的輸入電壓,提供 最大為 200mA 的輸出電流 ,而典型壓差僅為 100mV。它通過 輸出上的陶瓷電容保持穩定。啟用邏輯控制功能 可將 LDK220 置于關閉模式,從而實現 低于 1μA 的總電流消耗。該器件還包含短路恒定 電流限制和熱保護。 LDK220 極低的壓降、低靜態電流和低噪聲的特性,使其非常適合電池供電應用。 特性 輸入電壓從2.5到13.2V 非常低的下降電壓(100米V型。 @100米負荷) Low quiescent current (typ. 40μA, 1μA in off mode) 低噪音 Output voltage tolerance: ±2.0% @ 25°C 保證輸出電流200mA 可根據要求提供寬范圍的輸出電壓:從1.2V固定到12V,有100MV的步進和可調 邏輯控制的電子關機 Compatible with ceramic capacitor COUT = 1μF 內部電流和熱極限 可在SOT23-5L、SOT323-5L和DFN6-1.2x1.3包中使用 Temperature range: -40°C to 125°C ...
      發表于 11-09 12:07 ? 48次 閱讀
      LDK220U50R STMicroelectronics LDK220 低壓差穩壓器

      PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驅動器

      oelectronics PWD5F60高密度功率驅動器在單一緊湊型系統級封裝 (SiP) 中集成了柵極驅動器和四個N通道功率MOSFET,采用雙半橋配置。集成式功率MOSFET的漏源導通電阻或RDS (ON) 為1.38Ω,漏源擊穿電壓為600V。嵌入式柵極驅動器的高側可方便地通過集成自舉二極管供電。PWD5F60功率驅動器的集成度高,因此能在空間受限的應用中高效地驅動負載。 PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻&...
      發表于 11-09 12:07 ? 44次 閱讀
      PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驅動器

      MC33926PNB NXP Semiconductors MC33926 IC和驅動器

      miconductors MC33926 IC和驅動器是SMARTMOS單片半橋電源IC,主要設計用于汽車電子節氣門控制。這些IC還適用于電流和電壓限制范圍內的任何低壓直流伺服電機控制應用。MC33926驅動器通過內部恒定關斷時間PWM實現過流限制功能,并具有輸出短路保護功能。這些IC包括溫度相關的電流限制閾值降低。MC33926驅動器的工作電壓范圍為5V至28V。這些驅動器非常適合用于電子節氣門控制 (ETC)、廢氣再循環 (EGR) 和渦輪擋板控制。 特性 通过内部恒定关断时间PWM实现过流限制(调节) 输出短路保护(VPWR短路或接地短路) 温度相关电流限制阈值降低 所有输入均具...
      發表于 11-09 09:07 ? 87次 閱讀
      MC33926PNB NXP Semiconductors MC33926 IC和驅動器

      MAX17320X20+ MaximIntegratedMAX17320ModelGaugem5EZ電量計

      MAX17320 ModelGauge m5 EZ電量計是一款38μA I獨立式電池組側電量計IC,具有保護器和電池內部自放電檢測功能。它還包括可選的SHA-256身份認證,用于2至4節串聯鋰離子/聚合物電池。該IC可監控電池的電壓、電流、溫度和狀態,提供過壓/欠壓、過流、短路、過熱/溫度過低和過充電保護。它還包括使用外部高側N-FET的內部自放電條件,并提供充電方案,確保電池在安全條件下工作,從而延長電池的使用壽命。Maxim MAX17320通過內部FET平衡電池。在預充電期間,該IC使用CHGFET對充電進行線性控制。 该IC将SHA-256身份验证与160位密钥集成,防止电池组克隆。每个IC都采用单独的64位ID。该电量计使用Maxim ModelGauge™ m5算法,它将库伦计数器的௾...
      發表于 11-09 09:07 ? 82次 閱讀
      MAX17320X20+ MaximIntegratedMAX17320ModelGaugem5EZ電量計

      MAX20014ATGF/V+ Maxim Integrated MAX20014升壓、雙通道降壓轉換器

      MAX20014同步升壓、雙通道轉換器是高效的三路輸出低壓直流-直流轉換器。OUT1將輸入電源電壓升壓至8.5V(電流高達750mA),而兩路同步降壓型轉換器可在3.0V-5.5V的工作輸入電壓范圍內提供0.8V-3.8V的輸出電壓范圍,電流高達3A。該升壓轉換器可在整個負載、線路和溫度范圍內將輸出誤差控制在±2%以內,而降壓轉換器可將其控制在±1.5%以內。該器件具有2.2MHz固定頻率脈沖寬度調制 (PWM) 模式,可實現更好的抗噪性和負載瞬態響應。另外還具有脈沖頻率調制模式 (SKIP),可提高輕負載工作期間的效率。2.2MHz工作頻率允許使用全陶瓷電容器,并最大限度地減少外部元件占位??删幊虜U頻調制可最大限度地抑制電磁輻射。相對于分立式解決方案,集成的低RDS(ON) 開關提高了重負載時的效率,顯著簡化了布局。該器件具有出廠預設的輸出電壓或電阻可調輸出電壓。其他特性包括軟啟動、過流和過熱保護。 特性 多功能、小尺寸 同步750mA升压转换器 固&#...
      發表于 11-09 09:07 ? 72次 閱讀
      MAX20014ATGF/V+ Maxim Integrated MAX20014升壓、雙通道降壓轉換器

      MAX17701ATG+ Maxim Integrated MAX17701超級電容器充電器控制器

      Integrated MAX17701同步降壓超級電容器充電器控制器是喜馬拉雅系列穩壓器IC、電源模塊和充電器的一部分。喜馬拉雅系列可實現散熱更好、尺寸更小且更加簡單的電源解決方案。MAX17701是一款高效率、高電壓控制器,設計用于在4.5V至60V輸入電壓范圍內工作。MAX17701的工業工作溫度范圍為-40°C至+125°C,可為超級電容器充電(±4%恒定電流精度)。MAX17701在超級電容器充電后以±1%精度調節空載輸出電壓。 MAX17701具有安全定时器 (TMR) 功能,可设置最大允许恒流 (CC) 模式充电时间。MAX17701还设有一个独立比较器,可用于检测输出过压事件 (OVI),防止超级电容器过充。 Maxim MAX17701&...
      發表于 11-06 10:07 ? 38次 閱讀
      MAX17701ATG+ Maxim Integrated MAX17701超級電容器充電器控制器

      MAX77962EWJ06+ Maxim Integrated MAX77962 3.2A USB Type-C?降壓-升壓充電器

      Integrated MAX77962 3.2A USB Type-C?降壓-升壓充電器可在無需額外電感器的情況下作為反向降壓運行,支持IC為USB On-The-Go (OTG) 附件供電。MAX77962具有3.5V至23.0V寬輸入電壓范圍,非常適合用于USB-C充電應用。充電器輸入電流限制可在50mA至3.15A范圍內編程,靈活地采用交流-直流壁式充電器或USB Type-C適配器。MAX77962具有高集成度,無需任何外部MOSFET即可工作,從而大幅減小解決方案尺寸。該器件的充電電流可設置為50mA至3.2A,以適應小容量或大容量電池。 MAX77962的反向降压可提供真负载断开功能,并受到可调输出电流限制的保护。该器件通过I2C配置或自动通过电阻器配置实现高度灵活和...
      發表于 11-06 10:07 ? 72次 閱讀
      MAX77962EWJ06+ Maxim Integrated MAX77962 3.2A USB Type-C?降壓-升壓充電器

      MAX14922ATE+ Maxim Integrated MAX14922高側開關控制器

      Integrated MAX14922高側開關控制器是一款N通道FET控制器,用于實施作為工業數字輸出的高側開關。MAX14922的指定工作電源電壓高達70V。該控制器具有精確的有源電流限制功能,電流由V和SNS輸入之間連接的R檢測電阻器定義。該器件與用作工業負載的負載開關的外部低R FET搭配使用。通過將外部接地連接TVS二極管連接到MAX14922 S輸入,可實現高電感鉗位電壓。該器件具有診斷功能,例如負載或電源電壓監控、柵極輸出就緒、高壓電源指示、電流限制、電流限制自動重試定時和過流指示。 MAX14922具有集成诊断功能,可监视和控制应用中的关键参数。在负载故障、FET损坏、短路条件以及不必要的高环境温度的情况下,该器件...
      發表于 11-06 09:07 ? 108次 閱讀
      MAX14922ATE+ Maxim Integrated MAX14922高側開關控制器

      NXQ1TXH5/101J NXP Semiconductors NXQ1TXH5 Qi 無線充電發射器

      Q1TXH5單芯片5V Qi無線發射器是一款控制器和驅動器IC,用于5V Qi認證/兼容的低功耗無線充電器。NXQ1TXH5 是一個完全集成的解決方案,包含一個 5V 全橋功率級。NXP 無線充電器 IC 由于采用低功耗接收器檢測電路,待機(等待狀態)功率僅為 10mW(典型值)。NXQ1TXH5 可在 5V USB 電源下工作。該無線發射器采用智能功率限制 (SPL) 來自動調節輸出功率,以補償有限的電力供應。該NXP器件還支持異物檢測 (FOD)。 特性 单芯片WPC 1.2 Qi兼容发射器 在 5V USB 电源下工作 发射功率高达8W 低功耗接收器检测电路;待机功耗为10mW(典型值) 用于外部温度检查和保护的...
      發表于 11-06 09:07 ? 57次 閱讀
      NXQ1TXH5/101J NXP Semiconductors NXQ1TXH5 Qi 無線充電發射器

      ST715C50R STMicroelectronics 低靜態電流LDO線性穩壓器

      oelectronics低靜態電流LDO線性穩壓器經過優化提供超低靜態電流 (I)。I比其供電的平均負載電流低,或者相當。該功能對于電力有限的應用非常有必要,例如電池供電的設備或長時間待機、符合環保標準的設備。這延長了電池壽命,降低了整體功耗。 这些低静态电流LDO稳压器非常适合用于便携式消费类电子设备,例如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和可穿戴设备。工业、智能建筑和智能家居传感器还得益于超低静态电流(工作和禁用(待机) 模式下...
      發表于 11-05 17:07 ? 32次 閱讀
      ST715C50R STMicroelectronics 低靜態電流LDO線性穩壓器

      LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪聲線性穩壓器

      oelectronics LD56100超低噪聲線性穩壓器在1.8-5.5V輸入電壓范圍內提供1A電流,典型壓差為120mV。LD56100采用DFN8 (1.2x1.6mm) 封裝,在最大程度上節約空間。該器件通過輸出上的陶瓷電容保持穩定。LD56100適合用于低功耗電池供電應用,具有超低壓差、低靜態電流、快速瞬態響應和內部軟啟動電路等功能。 特性 输入电压:1.8V至5.5V 超低压差(120mV典型值,1A负载和VOUT=3.3V时) 非常低的静态电流(无负载时的典型值为100μA,断开模式下典型值为0.03μA) 输出电压容差:±1%(-40°C至+85°C) 超低噪声ʍ...
      發表于 11-05 17:07 ? 58次 閱讀
      LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪聲線性穩壓器

      VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽車用高側驅動器

      半導體 VND70x0 車用高側驅動器是單或雙通道高側驅動器,采用 ST 專有 VIPower? M0-7 技術制造,并采用 SO-8、PowerSSO-12 和 PowerSSO-16 封裝形式。這些器件用于通過 3V 和 5V CMOS 兼容型接口驅動 12V 汽車接地負載。 特性 極低電壓操作,用于深冷分級應用 合格汽車 綜合的普遍的一般常規 單通道或雙通道智能高側驅動器與多感覺或電流感覺模擬反饋 非常低的待機電流 兼容3V和5VCMOS輸出 多感官診斷功能 多路/電流感知模擬反饋:高精度比例電流鏡負載電流、VCC電源電壓和TCHIP器件溫度 過載和短到地面(功率限制)指示 熱停機指示 OFF-狀態開負載檢測 輸出短到VCC檢測 感覺啟用/禁用 貿易保護措施(向歹徒繳納的)保護費 未壓縮關機 高壓鉗 負載電流限制 快速熱瞬變的自限制 具有專用故障復位引腳的超溫或功率限制的可配置閉鎖 地面損失和VCC損失 帶有外部組件的反向電池 靜電放電保護 ...
      發表于 10-30 14:06 ? 52次 閱讀
      VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽車用高側驅動器

      PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60柵極驅動器

      oelectronics PWD13F60柵極驅動器是一款高密度電源驅動器和高壓全橋,帶集成柵極驅動器。PWD13F60器件接受電源電壓范圍廣,受低壓UVLO檢測保護。這些PWD13F60柵極驅動器電源系統級封裝和高壓功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源擊穿電壓。PWD13F60柵極驅動器輕松連接微控制器和DSP單位或霍爾效應傳感器,輸入引腳范圍廣。這些PWD13F60柵極驅動器還具有寬驅動器電源電壓、內部自舉二極管,輸出與輸入同步,讓設計更加靈活、簡單和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封裝。典型應用包括工廠自動化、電機驅動器(用于工業和家用電器)、風扇和泵以及電源裝置。 特性 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET 低R DS(開啟)=320mΩ BVDSS =600伏 适合用作 全桥 双独立半...
      發表于 10-30 14:06 ? 52次 閱讀
      PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60柵極驅動器

      LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪聲LDO

      oelectronics LDLN025 250mA超低噪聲LDO的輸入電壓范圍為1.5V至5.5V,250mA負載下的壓差極低。LDLN025可延長需要長待機時間應用的電池壽命。該LDO的靜態電流非常低,空載時僅12μA。LDLN025提供非常干凈的輸出,得益于其超低噪聲值和高電源抑制比 (PSRR) 特性,非常適合用于超敏感型負載。該LDO采用陶瓷電容器,因此性能穩定。 特性 超低输出噪声:6.5μ VRMS 工作输入电压范围:1.5V至5.5V 输出电流高达250mA 非常低的静态电流:空载时为12μA 超低压差:250mV (250mA) 极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz 线路、负载和温度范围内...
      發表于 10-30 14:06 ? 46次 閱讀
      LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪聲LDO

      MAX16543GPC+ Maxim Integrated MAX16543集成跟隨器保護IC

      MAX16543集成跟隨器保護IC與MAX16545B/MAX16545C主機集成保護IC并行使用,可分配、控制、監視和保護系統的12V總線。MAX16543提高了MAX16545B/MAX16545C的電流能力。MAX16545B/MAX16545C為組合芯片組提供報告和故障保護電路。MAX16545B/MAX16545C IC最多可添加兩個MAX16543器件,以提供超過60A的直流電流能力。MAX16543的1.8V偏置電源和柵極驅動電壓電源由MAX16545B/MAX16545C供電。 将MAX16543添加到电路中后,MAX16545B/MAX16545C依然保持所有特性。该芯片组提供具有可编程斜坡和延迟的单调启动,以限制启动期间的浪涌电流。可以监视并报告&#...
      發表于 10-30 14:06 ? 44次 閱讀
      MAX16543GPC+ Maxim Integrated MAX16543集成跟隨器保護IC

      MAX18066EWE+ Maxim Integrated MAX18066/MAX18166降壓直流-直流穩壓器

      MAX18066/MAX18166降壓直流-直流穩壓器可提供高達4A輸出電流,效率高。該器件的工作輸入電壓范圍為4.5V至16V,可調輸出電壓范圍為0.606V至輸入電壓的90%。該器件非常適合用于分布式電源系統、筆記本電腦、非便攜式消費類應用和預調節應用。該器件可在PWM模式下工作,內部固定開關頻率為500kHz (MAX18066) 和350kHz (MAX18166),最大占空比為90%。該器件在輕負載時自動進入跳躍模式。電流模式控制架構簡化了補償設計,并確保逐周期電流限制以及快速響應線路和負載瞬態。高增益跨導誤差放大器可靈活地設置外部補償,簡化設計,支持全陶瓷設計。 该同步降压稳压器设有内部MOSFET,效率优于异步解决方案,与分立式控制器解决方案相比简化了设计。除了简化设计外...
      發表于 10-30 11:06 ? 48次 閱讀
      MAX18066EWE+ Maxim Integrated MAX18066/MAX18166降壓直流-直流穩壓器

      LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低壓降線性穩壓器IC

      oelectronics LDL212 1.2A低壓降線性穩壓器IC可在2.5V至18V輸入電壓范圍內提供最大1.2A電流。LDL212在1.2A電流下的典型壓差值為350mV。LDL212適合用于在SMPS中實現直接穩壓和在直流-直流轉換器中實現二次線性穩壓。該 IC 在 120Hz 時具有 87dB 的高電源抑制比,100kHz 時為 40dB。LDL212 采用使能邏輯控制功能實現關斷模式,從而降低總電流消耗。該器件還具有限流、SOA和熱保護功能。 特性 输入电压范围:1.6V至5.5V 极低压差(1A负载下的典型值为300mV) 低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA) 输出电压容差:±2...
      發表于 10-30 11:06 ? 34次 閱讀
      LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低壓降線性穩壓器IC
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