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    2. 侵權投訴

      50大高度依賴進口新材料大解析!

      新材料在線 ? 2020-06-23 14:57 ? 次閱讀

      新材料作為高新技術的先導和基石,是“發明之母”和“產業糧食”,更是國家科技水平前瞻性指標。目前我國新材料產業規模、技術水平、發展機制等方面與國外仍存在較大差距。

      我國新材料的進口率高達86%,自給率僅14%;

      化工新材料產業國內保障能力只有50%;

      用量較大的工程塑料和特種橡膠自給率僅30%;

      高端高溫合金主要要依賴進口;

      ……

      新材料產業國產化需求迫切,具有技術優勢的國產替代材料將獲得未來市場,進口替代仍將是未來一段時間新材料投資的主要邏輯。

      新材料在線針對我國重點應用領域急需的新材料產業情況進行了研究與分析,整理了50+種高度依賴進口的新材料清單:

      表1 高度依賴進口的新材料清單

      Source:新材料在線

      半導體和顯示行業的核心材料、器件、設備幾乎全部依賴進口。對于本土投資者、創業者來說,這是一次鳳凰涅槃的巨大機會。數據顯示,半導體材料國產化率普遍偏低,進口替代空間巨大。

      表2 半導體材料進口替代市場數據

      Source:公開資料整理

      以下為半導體及顯示行業10大高度依賴進口的關鍵材料分析:

      一 大硅片

      Source:圖蟲創意

      硅片也稱硅晶圓,是制造半導體芯片最重要的基本材料,其最主要的原料為單晶硅。硅片直徑越大,其所能刻制的集成電路則越多,芯片的成本也隨之降低。大尺寸硅片對技術的要求很高,良品率極低,企業進入壁壘極高,全球大硅片市場形成寡頭壟斷的競爭格局。目前中國大陸自主生產的硅片以6英寸(150mm)為主,產品主要應用領域仍然是光伏和低端分立器件制造,8英寸(200mm)和12英寸(300mm)的大尺寸集成電路級硅片依然嚴重依賴進口。

      ▉ 全球大硅片產業競爭格局▉

      集成電路用硅片是制造技術門檻極高的尖端高科技產品,全球只有大約10家企業能夠制造,市場基本被日韓廠商壟斷。

      表3 全球知名大硅片制造企業競爭格局及主營產品

      Source:公開資料整理

      ▉國內大硅片知名企業布局▉

      表4 2018年中國大尺寸硅片在建產能

      Source:前瞻產業研究院

      二 光刻膠

      Source:新材料在線

      光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一,其成本約占整個芯片制造工藝的30%,耗費時間約占整個芯片制造工藝的40%-60%,是半導體制造中最核心的工藝。

      目前國內光刻膠自給率僅10%,主要集中于技術含量相對較低的PCB領域。6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%,8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%,12寸硅片的ArF光刻膠目前尚無國內企業可以大規模生產。

      ▉全球光刻膠產業競爭格局▉

      表5 全球光刻膠知名企業競爭格局

      Source:公開資料整理

      ▉國內光刻膠知名企業▉

      表6 光刻膠國內化情況

      Source:產業信息網、國海證券研究院

      三 偏光片

      偏光片是一種可以使天然光變成偏振光的光學元件,是制造液晶顯示屏的必備部件,主要由PVA膜、TAC膜、壓敏膠、離型膜和保護膜等復合而成。偏光片最核心的原材料是 PVA 膜和 TAC 膜,核心膜材 PVA 負責偏振作用,TAC 膜則起到對延伸的 PVA 膜的支撐和保護,二者約占總成本的 60%~70%。目前,兩種膜材的主要供應商均為日韓企業。

      ▉全球偏光片產業競爭格局▉

      表7 全球知名偏光片企業業務一覽

      ource:公開資料整理

      ▉國內偏光片知名企業▉

      表8 國內現有及建設中偏光片產能

      Source:民生證券研究院

      OLED發光材料

      Source:圖蟲創意

      OLED材料主要包括兩部分:發光材料和基礎材料。OLED發光材料主要包括紅光主體/客體材料、綠光主體/客體材料、藍光主體/客體材料等,OLED顯示技術實現自發光的基礎。目前,OLED發光材料中的最核心發光材料具有較高的專利壁壘,主要被韓日德美企業所掌控,國內企業主要從事OLED 中間體和單體粗品生產。

      ▉全球OLED發光材料產業競爭格局▉

      表9 全球OLED發光材料主要代表廠商

      Source:公開資料整理

      ▉國內OLED發光材料知名企業▉

      表10 國內OLED廠商產品情況

      Source:公開資料整理

      五 精細金屬掩模板

      Source:新材料在線

      精細金屬掩膜版(Fine Metal Mask,簡稱FMM)是OLED蒸鍍工藝中的消耗性核心零部件,主要材料是金屬或金屬+樹脂。其主要作用是在OLED生產過程中沉積RGB有機物質并形成像素,在需要的地方準確和精細地沉積有機物質,提高分辨率和良率。

      如果需要制造高精度FMM,就需要更高級的INVAR合金(Super INVAR alloy)?,F在市面上唯一能提供滿足FMM使用要求的Super INVAR alloy合金廠商是Hitachi Metals。目前國內FMM材料處于初始研發階段,并不具備量產條件。

      表11 FMM產業鏈競爭格局

      Source:OLED industry

      六 濕電子化學品

      Source:圖蟲創意

      濕電子化學品指為微電子、光電子濕法工藝(主要包括濕法刻蝕、濕法清洗)制程中使用的各種電子化工材料,是集成電路工藝制程中的關鍵性基礎化工材料。不同線寬的集成電路制程工藝中必須使用不同規格的超凈高純試劑進行蝕刻和清洗,其關鍵生產技術包括混配技術、分離技術、純化技術以及與其生產相配套的分析檢驗技術、環境處理與監測技術等、包裝技術等。在半導體濕化學品供應商方面,市場份額主要掌握在歐美、日本、韓國等國家的企業手中,高端產品市場依賴進口。

      ▉全球濕電子化學品產業競爭格局▉

      在半導體濕化學品供應商方面,市場份額主要掌握在歐美、日本、韓國等國家的企業手中,包括德國巴斯夫,美國亞什蘭化學、Arch 化學,日本關東化學、三菱化學、京都化工、住友化學、和光純藥工業,臺灣鑫林科技,韓國東友精細化工等,上述公司占全球市場份額的85%以上。

      表12 全球濕電子化學品主要生產企業

      Source:公開資料整理

      ▉國內濕電子化學品知名企業▉

      濕電子化學品領域與國外尚有較大差距,高端市場主要集中在美、日、歐等少數大廠商手中,比如在對電子化學品純度等級要求較高的半導體和平板顯示領域,我國內資企業市場占有率僅達到 25%左右。

      表13國內濕電子化學品知名企業

      Source:公開資料整理

      七 電子特種氣體

      Source:圖蟲創意

      電子氣體是指用于半導體及相關電子產品生產的特種氣體,被廣泛應用于國防軍事、航空航天、新型太陽能電池、電子產品等領域,是電子工業體系的核心關鍵原材料之一,市場準入條件高。其行業技術壁壘在于從生產到分離提純以及運輸供應階段,一直受到歐美發達國家的技術封鎖。電子特種氣體行業集中度高,美電子特種氣體行業集中度高,美國氣體化工、美國普萊克斯、法國液化空氣、日本大陽日酸株式會社和德國林德集團五家公司壟斷全球特種氣體91%的市場份額。國內企業主要集中在中低端市場。

      ▉全球電子特種氣體產業競爭格局▉

      表14 全球電子特種氣體知名企業

      Source:semi

      ▉國內電子特種氣體知名企業▉

      表15 國內電子特種氣體知名企業

      Source:公開資料整理

      八 高純濺射靶材

      Source:圖蟲創意

      利用離子源產生的離子轟擊固體表面,使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體稱為濺射靶材, 是集成電路制造過程中的關鍵材料,根據應用領域,分為半導體靶材、面板靶材、光伏靶材等。高純濺射靶材制造環節技術門檻高、設備投資大,在濺射靶材產業鏈各環節的企業數量呈現金字塔型分布,半導體濺射靶材行業集中度很高,前五大廠商占比超過80%。具有規?;a能力的企業數量相對較少,主要分布在美國、日本等國家和地區。

      ▉全球靶材產業企業競爭格局▉

      表16 全球靶材知名企業

      Source:公開資料整理

      ▉國內靶材知名上市企業▉

      表17國內靶材知名上市公司

      Source:公開資料整理

      九 化學機械拋光(CMP)材料

      Source:新材料在線

      化學機械拋光(CMP)是集成電路制造過程中實現晶圓全局均勻平坦化的關鍵工藝,是通過化學作用和機械研磨的組合技術來實現晶圓表面微米/納米級不同材料的去除,從而達到晶圓表面的高度(納米級)平坦化效應。拋光材料是 CMP 工藝過程中必不可少的耗材,具有技術壁壘高,客戶認證時間長的特點,一直以來處于寡頭壟斷的格局。根據功能的不同,拋光材料可劃分為拋光墊、拋光液、調節器、以及清潔劑等,主要以拋光液和拋光墊為主。全球芯片拋光液市場主要被在美國、日本、韓國企業所壟斷。全球 CMP 拋光墊幾乎全部被陶氏所壟斷,占據80%的市場。

      ▉全球CMP材料產業競爭格局▉

      全球芯片拋光液市場主要被美國、日本、韓國等企業壟斷,占全球高端市場份額90%以上。CMP拋光墊方面,陶氏杜邦占79%的市場份額。

      表18 全球拋光材料知名企業

      Source:公開資料整理

      ▉國內CMP材料知名企業▉

      拋光液方面,目前中國在不銹鋼、鋁、鎢等中低端領域拋光液基本實現國產化。安集微電子率先在高品質拋光液技術方面打破國外壟斷,進入晶圓拋光液領域。拋光墊方面,中國企業在高端拋光墊市場幾乎屬于空白,近年來鼎龍股份逐步取得突破。

      表19 國內拋光材料知名企業

      Source:公開資料整理

      十 碳化硅單晶

      Source:圖蟲創意

      碳化硅功率半導體產業鏈主要包含單晶材料、外延材料、器件、模塊和應用這幾個環節。碳化硅單晶是碳化硅功率半導體技術和產業的基礎,質量、大尺寸的碳化硅單晶材料是碳化硅技術發展首要解決的問題,持續增大晶圓尺寸、降低缺陷密度(微管、位錯、層錯等)是其重點發展方向。

      碳化硅單晶材料主要有導通型襯底和半絕緣襯底兩種, 是第三代半導體材料技術成熟度最高的材料,目前基本被國外企業壟斷。

      高導通型襯底材料是制造碳化硅功率半導體器件的基材。半絕緣襯底具備高電阻的同時可以承受更高的頻率,因此在5G通訊和新一代智能互聯,傳感感應器件上具備廣闊的應用空間。

      ▉全球氮化硅單晶產業競爭格局▉

      表20 全球碳化硅單晶知名企業

      Source:公開資料整理

      ▉國內氮化硅單晶知名企業▉

      國內主要碳化硅單晶襯底材料企業和研發機構已經具備了成熟的4英寸零微管碳化硅單晶產品,并已經研發出了6英寸單晶樣品,但是在晶體材料質量和產業化能力方面距離國際先進水平存在一定差距。

      表21 國內碳化硅單晶知名企業

      Source:公開資料整理

      當前,新一輪科技革命與產業變革蓄勢待發,全球新材料產業競爭格局正在進行重大調整。未來五年,是產業結構調整、制造業轉型升級的關鍵時期。

      原文標題:50大高度依賴進口新材料大解析!中國未來10年的市場機會或許在這里

      文章出處:【微信號:xincailiaozaixian,微信公眾號:新材料在線】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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      北京的行業分析師馬繼華日前表示:“雖然是全球芯片短缺的重要利害關系方,但幾乎所有大陸高科技企業都缺席....
      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-13 09:21 ? 301次 閱讀
      美國此舉將會加劇全球芯片供應的困境

      請問如何使用數字溫度傳感器對測色系統進行適當的電壓補償?

      本文通過研究硅光電池的光電轉換特性隨溫度變化的規律,設計了使用數字溫度傳感器DSl8820的一種V—T曲線控制補償方法,對測色...
      發表于 04-13 07:03 ? 0次 閱讀
      請問如何使用數字溫度傳感器對測色系統進行適當的電壓補償?

      TWLA500在ADC及相關領域有哪些應用?

      請問TWLA500在ADC及相關領域有哪些應用?
      發表于 04-13 06:51 ? 0次 閱讀
      TWLA500在ADC及相關領域有哪些應用?

      分享IEDM的最初體驗

      和大家分享一下IEDM的最初體驗以及IEDM的最新研究成果...
      發表于 04-13 06:50 ? 0次 閱讀
      分享IEDM的最初體驗

      蘇州市集成電路行業協會受邀中國半導體行業協會秘書長聯席會議

      4月1日-2日,由中國半導體行業協會主辦的2021年度中國半導體行業協會秘書長聯席會議在西安召開,中....
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 04-12 17:11 ? 273次 閱讀
      蘇州市集成電路行業協會受邀中國半導體行業協會秘書長聯席會議

      國內半導體廠商該如何“彎道超車”?

      碳化硅具有高硬度、高脆性和低斷裂韌性等物理特性,因此其在工藝設計上有很多難點。相較于第一代半導體——....
      的頭像 e星球 發表于 04-12 15:48 ? 355次 閱讀
      國內半導體廠商該如何“彎道超車”?

      白宮召集大企業開芯片峰會

      小編先來講個切身的小故事;首先保證是真實的,一個多年不見的同學上周在聚會時候聊天聊到他轉行了,終于由....
      的頭像 inr999 發表于 04-12 15:02 ? 4930次 閱讀
      白宮召集大企業開芯片峰會

      數字集成電路設計與技術

      本章從半導體技術、分立器件、集成度、摩爾定律等概念出發,講述數字集成電路的各個發展階段和發展現狀,以....
      發表于 04-12 14:47 ? 28次 閱讀
      數字集成電路設計與技術

      電力電子技術在混合電動汽車中的應用及研究分析

      電力電子技術是研究電力半導體器件實現電能變換和控制的學科,它是一門電子、電力半導體器件和控制三者相互....
      的頭像 電子設計 發表于 04-12 10:54 ? 421次 閱讀
      電力電子技術在混合電動汽車中的應用及研究分析

      國內封測大廠紛紛發布2020財報,盈利均有不俗的表現

      在取得良好盈利表現的同時,幾大封測廠也表示,由于市場需求持續增長,公司的訂單飽滿、產能處于供不應求狀....
      的頭像 MEMS 發表于 04-12 10:24 ? 300次 閱讀
      國內封測大廠紛紛發布2020財報,盈利均有不俗的表現

      『“人臉識別·金融支付”創新峰會』在上海圓滿落幕

      騰訊優圖實驗室高級研究員、人臉識別技術負責人李紹欣帶來了《金融支付中的可信身份計算》主題演講。演講從....
      的頭像 MEMS 發表于 04-12 10:19 ? 913次 閱讀
      『“人臉識別·金融支付”創新峰會』在上海圓滿落幕

      向65nm工藝提升中的半導體清洗技術

      由于器件尺寸由90mm技術節點向 65mm節點的縮進,在前道工藝的濕法清洗中去除0.1um及更小尺寸....
      發表于 04-12 09:49 ? 15次 閱讀
      向65nm工藝提升中的半導體清洗技術

      半導體C-V測量基礎知識,總結的太棒了

      關于半導體C-V測量的基礎知識,你想知道的都在這...
      發表于 04-12 06:27 ? 0次 閱讀
      半導體C-V測量基礎知識,總結的太棒了

      模擬電子技術基礎第3版電子版下載

      半導體器件是構成電子電路的基本元件,它們所用的材料是經過待殊加工且性能可控的半導體材料。
      發表于 04-11 11:25 ? 72次 閱讀
      模擬電子技術基礎第3版電子版下載

      教你們如何挑選一款高性價比牽引車?

      一年之計在于春,當前各大項目工程建設如火如荼。作為基礎建材,煤炭、砂石料運輸市場也愈發火熱,不少卡友....
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 04-11 10:35 ? 167次 閱讀
      教你們如何挑選一款高性價比牽引車?

      硬件工程師面試題集及解答資源下載

      硬件工程師面試題集及解答資源下載
      發表于 04-11 09:52 ? 54次 閱讀
      硬件工程師面試題集及解答資源下載

      日月光半導體榮獲3D InCites頒發的2021永續獎

      日月光半導體榮獲3D InCites頒發的2021永續獎,表彰日月光在溫室氣體(GHG)減排、節能、....
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 04-10 09:32 ? 248次 閱讀
      日月光半導體榮獲3D InCites頒發的2021永續獎

      志在替代第三代半導體材料,氧化鎵目前有沒有這個實力?

      韓國政府在近日宣稱將加大非硅功率半導體在本土的發展,用于電動汽車和其他對功效和耐用性要求較高的技術。....
      的頭像 E4Life 發表于 04-10 09:00 ? 1271次 閱讀
      志在替代第三代半導體材料,氧化鎵目前有沒有這個實力?

      美國半導體巨頭的收購終止,中美科技戰步入下半場

      日前,美國半導體設備廠商應用材料宣布,因為未獲得中國監管機構的批準,已終止收購原日立集團旗下企業國際....
      的頭像 科工力量 發表于 04-09 16:06 ? 382次 閱讀
      美國半導體巨頭的收購終止,中美科技戰步入下半場

      加強人才與技術交流,紫光展銳與西安交大簽署戰略合作協議

      紫光展銳與西安交通大學簽署戰略合作協議,雙方將圍繞校企人才交流和培養、科研成果的產業化轉化等方面開展....
      的頭像 西西 發表于 04-09 15:50 ? 218次 閱讀
      加強人才與技術交流,紫光展銳與西安交大簽署戰略合作協議

      新益昌成功進入了半導體固晶機和鋰電池設備領域

      經過十多年的發展和積累,新益昌已成為國內LED固晶機、電容器老化測試智能制造裝備領域的領先企業,同時....
      的頭像 每日LED 發表于 04-09 15:42 ? 287次 閱讀
      新益昌成功進入了半導體固晶機和鋰電池設備領域

      長電科技董事CEO鄭力剖析芯片產業當下時態

      中國芯片半導體行業各龍頭企業的掌舵人大都有著豐富的行業經歷,他們大都曾在國際性產業龍頭企業擔任過要職....
      的頭像 芯謀研究 發表于 04-09 15:21 ? 495次 閱讀
      長電科技董事CEO鄭力剖析芯片產業當下時態

      高速ADC中造成轉換錯誤的常見原因有哪些?

      比特誤碼率BER與轉換誤碼率CER有什么不同? 高速ADC中造成轉換錯誤的常見原因有哪些? 如何測試內部ADC內核的CE...
      發表于 04-09 06:31 ? 0次 閱讀
      高速ADC中造成轉換錯誤的常見原因有哪些?

      非晶半導體閾值開關器件受破壞的原因,閾值開關的機理有哪幾種模型?

      非晶態半導體的閾值開關機理介紹 閾值開關的機理有哪幾種模型? ...
      發表于 04-08 06:32 ? 0次 閱讀
      非晶半導體閾值開關器件受破壞的原因,閾值開關的機理有哪幾種模型?

      放大器的類型有哪些?其區別是什么?

      隨著半導體器件的出現和發展,放大器的設計得到了更多的自由。就放大器的類別而言,已不限于A類(甲類)和AB類(甲乙類),而...
      發表于 04-07 06:42 ? 0次 閱讀
      放大器的類型有哪些?其區別是什么?

      半導體氣敏器件介紹

      半導體氣敏器件相關資料分享
      發表于 04-01 06:01 ? 0次 閱讀
      半導體氣敏器件介紹

      半導體熱敏電阻的工作原理/型號/主要參數

      半導體熱敏電阻的工作原理資料下載內容主要介紹了: 半導體熱敏電阻的工作原理 熱敏電阻的型號 熱敏電阻器的主要參數 ...
      發表于 03-24 07:15 ? 0次 閱讀
      半導體熱敏電阻的工作原理/型號/主要參數

      常見電源管理IC芯片有哪些

      常見電源管理IC芯片有哪些
      發表于 03-11 06:03 ? 0次 閱讀
      常見電源管理IC芯片有哪些

      LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

      LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些器件采用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用于對成本敏感的低電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩定,在過驅動條件下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行業標準的封裝。這些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用于成本敏感系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1 mV 共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1 MHz 低寬帶噪聲:40 nV /√ Hz < li>低靜態電流:90μA/Ch 單位增益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和四通道變體 穩健的ESD規范:2 kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
      發表于 01-08 17:51 ? 1682次 閱讀
      LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

      TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

      TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是單,雙和四運算放大器。這些器件針對1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行了優化。輸入和輸出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些器件非常適用于需要低壓工作,高壓擺率和低靜態電流的成本受限應用。這些應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因為器件是統一的 - 增益穩定,包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉換率:15 V /μs 低靜態電流:330μA 軌道-to-Rail輸入和輸出 低輸入失調電壓:±0.33 mV 單位增益帶寬:5 MHz 低寬帶噪聲:15 nV /√ Hz 低輸入偏置電流:2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾波器 適用于低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由于電阻開環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
      發表于 01-08 17:51 ? 375次 閱讀
      TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

      TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

      TMP422是具有內置本地溫度傳感器的遠程溫度傳感器監視器。遠程溫度傳感器具有二極管連接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組成部分的二極管。 無需校準,對多生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串行接口接受SMBus寫字節,讀字節,發送字節和接收字節命令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非理想性因子,大范圍遠程溫度測量(高達150℃),和二極管錯誤檢測。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管傳感器(最大值) ±2.5°C本地溫度傳感器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校正 兩線/SMBus串口 多重接口地址 二極管故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參數 與其它產品相比?數字溫度傳感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
      發表于 01-08 17:51 ? 302次 閱讀
      TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

      LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

      LP8733xx-Q1專為滿足的電源管理要求而設計,這些處理器和平臺用于汽車應用中的閉環性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以及通用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減少相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(采用兩相配置的差分),可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啟動和關斷延遲與排序(包括與使能信號同步的GPO信號)。在啟動和電壓變化期間,器件會對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:器件溫度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度范圍輸入電壓:2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器:輸出電壓:0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相采用兩相配置的自動相位增加/減少和強制多相操作采用兩相配置的遠...
      發表于 01-08 17:51 ? 416次 閱讀
      LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

      TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

      TPS3840系列電壓監控器或復位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和溫度范圍。 TPS3840提供低功耗,高精度和低傳播延遲的最佳組合(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓低于負電壓閾值(V IT - )或手動復位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯后(V IT + )和手動復位( MR )時,復位信號被清除)浮動或高于V MR _H ,復位時間延遲(t D )到期??梢酝ㄟ^在CT引腳和地之間連接一個電容來編程復位延時。對于快速復位,CT引腳可以懸空。 附加功能:低上電復位電壓(V POR ), MR 和VDD的內置線路抗擾度保護,內置遲滯,低開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測解決方案,適用于工業應用和電池供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓:1.5 V至10 V 納米電源電流:350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度:1%(典型值) 內置滯后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
      發表于 01-08 17:51 ? 726次 閱讀
      TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

      INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

      INA240-SEP器件是一款電壓輸出,電流檢測放大器,具有增強的PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降范圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間。 EnhancedPWM抑制為使用脈沖寬度調制(PWM)信號的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅動和電磁閥控制系統)提供高水平的抑制。此功能可實現精確的電流測量,無需大的瞬態電壓和輸出電壓上的相關恢復紋波。 該器件采用2.7 V至5.5 V單電源供電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂鎖(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和測試現場 一個制造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫度范圍 ExtendedProduct生命周期 擴展產品更改通知 產品可追溯性 用于低釋氣的增強型模具化合物 增強型PWM抑制 出色...
      發表于 01-08 17:51 ? 349次 閱讀
      INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

      LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

      LM96000硬件監視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量: 兩個遠程二極管連接晶體管及其自身裸片的溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個溫度區域之一控制。支持高和低PWM頻率范圍。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平滑溫度讀數,從而更好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用于測量風扇速度。包括所有測量值的限制和狀態寄存器。 特性 符合SMBus 2.0標準的2線制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠程熱二極管 基于溫度讀數的可編程自主風扇控制 風扇控制溫度讀數的噪聲過濾 1.0°C數字溫度傳感器分辨率 3 PWM風扇速度控制輸出 提供高低PWM頻率范圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
      發表于 01-08 17:51 ? 505次 閱讀
      LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

      LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

      LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二極管溫度傳感器。 LM63精確測量:(1)自身溫度和(2)二極管連接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形處理器單元(GPU)和其他ASIC上常見的熱敏二極管的溫度。 LM63遠程溫度傳感器的精度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極管的1.0021非理想性進行了工廠調整。 LM63有一個偏移寄存器,用于校正由其他熱二極管的不同非理想因素引起的誤差。 LM63還具有集成的脈沖寬度調制(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是遠程溫度讀數,查找表和寄存器設置的組合。 8步查找表使用戶能夠編程非線性風扇速度與溫度傳遞函數,通常用于靜音聲學風扇噪聲。 特性 準確感應板載大型處理器或ASIC上的二極管連接2N3904晶體管或熱二極管 準確感知其自身溫度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極管的工廠調整 集成PWM風扇速度控制輸出 使用用戶可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用戶可選引腳 用于測量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用于測量典型應用中脈沖寬度調制功率的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針對...
      發表于 01-08 17:51 ? 816次 閱讀
      LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

      AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

      AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達傳感器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件采用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝制造,可在極小的外形尺寸內實現前所未有的集成度。 AWR1843是汽車領域低功耗,自監控,超精確雷達系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達傳感器單芯片解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳感器。它基于TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內置PLL和A2D轉換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校準。此外,該器件還包括一個用戶可編程ARM R4F,用于汽車接口。硬件加速器模塊(HWA)可以執行雷達處理,并可以幫助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的算法。簡單的編程模型更改可以實現各種傳感器實現(短,中,長),并且可以動態重新配置以實現多模傳感器。此外,該設備作為完整的平臺解決方案提供,包括參考硬件設計,軟件驅動程序,示例配置,API指南和用戶文檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
      發表于 01-08 17:51 ? 1810次 閱讀
      AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

      OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

      OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的溫度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩沖高分辨率數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業溫度范圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低噪聲:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f噪聲:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
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      OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

      TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

      TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用于需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗傳感器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件采用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相并且具有高靜電放電(ESD)保護(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作并可在-40°C至+ 125°C的擴展工業溫度范圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)采用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)采用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
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      TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

      DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

      DRV5021器件是一款用于高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件采用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,并根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直于封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小于磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯后有助于防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度范圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 范圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯后以增強抗噪能力 工作溫度范圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?霍爾效應鎖存器和開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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      DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

      TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

      TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源范圍,推挽輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極管控制器的反向電流保護,過流檢測和過壓保護電路,其中推挽輸出級用于驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰值電流推挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,采用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源范圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模范圍 相位反轉保護 推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
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      TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

      TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

      這個遠程溫度傳感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極管,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程傳感器均用12位數字編碼表示溫度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分布式遙測應用中進行多位置高精度溫度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程溫度傳感器可提供一種簡單的方法來測量溫度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓范圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度范圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
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      TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

      LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

      LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強制為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位。在啟動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作溫度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
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      LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

      TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

      TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峰值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峰值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峰值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峰值電壓限制器可優化整個充電周期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閑信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率 靈活的用戶界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行并點...
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      TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

      LM358B 雙路運算放大器

      LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地范圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用于最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源范圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓范圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
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      LM358B 雙路運算放大器

      LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

      LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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      LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

      LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

      LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,并且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列采用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用于成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬帶噪聲:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
      發表于 01-08 17:51 ? 341次 閱讀
      LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

      LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

      LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
      發表于 01-08 17:51 ? 425次 閱讀
      LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器
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