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      了解光電子器件的分類

      2020-06-23 15:53 ? 次閱讀

      光電子器件扮演著重要角色,因此我們對于光電子器件應當具備一定了解。為增進大家對光電子器件的認識,本文將對半導體光電子器件加以介紹。如果你對光電子器件具有興趣,不妨繼續往下閱讀哦。

      利用半導體光-電子(或電-光子)轉換效應制成的各種功能器件。它不同于半導體光器件(如光波導開關、光調制器、光偏轉器等)。光器件的設計原理是依據外場對導波光傳播方式的改變,它也有別于早期人們襲用的光電器件。后者只是著眼于光能量的接收和轉換(如光敏電阻、光電池等)。早期的光電器件只限于被動式的應用,60年代作為相干光載波源的半導體激光器的問世,則使它進入主動式應用階段,光電子器件組合應用的功能在某些方面(如光通信、光信息處理等)正在擴展電子學難以執行的功能。一門新的分支學科──光電子學正在迅速發展,而光電子器件則構成光電子學的核心部分。

      早在19世紀末就已經開始研究半導體硒中的光電現象,后來硒光電池得到應用,這幾乎比晶體管的發明早80年,但當時人們對半導體還缺乏了解,進展緩慢。30年代開始的對半導體基本物理特性(如能帶結構、電子躍遷過程等)的研究,特別是對半導體光學性質的研究為半導體光電子器件的發展奠定了物理基礎。1962年,R.N.霍耳和M.I.內森研制成功注入型半導體激光器,解決了高效率的光信息載波源,擴展了光電子學的應用范圍,光電子器件因而得到迅速發展。

      基本物理過程

      從能帶論的觀點出發,半導體中電子狀態的分布如圖1,常溫下低能量的帶(價帶)中的狀態基本上為價電子所填充,高能量的帶(導帶)中的狀態則空著,二者之間被寬度為Eg的禁帶所隔離。在此情況下半導體的導電特性很差,只有出現在導帶中的電子或價帶中的空態(空穴)才能在外場驅使下參與導電。

      了解光電子器件的分類

      內光電效應

      當價帶中的電子吸收了能量大于禁帶寬度的光子就能夠躍遷到導帶中,與此同時在價帶中留下空穴,統稱為光生載流子,由此產生的附加導電現象稱為光電導。在外場驅使下光生載流子貢獻的電流稱為光電流。這種光電子效應因發生在半導體內,故稱為內光電效應。內光電效應是一切光電子接收和能量轉換器件的基礎。

      外光電效應

      半導體中電子吸收較高能量的光子而被激發成為熱電子,有可能克服晶格場的束縛逸出體外成為自由電子,這又稱光電子發射效應。圖2是一個具有理想表面的半導體的能帶圖,EC、EV分別表示導帶底和價帶頂,E0為體外真空能級,x為電子親和勢 (表示導帶底的電子逸出體外所需克服的晶體束縛能),EF為費米能級位置,φ為逸出功,ET=x+EV為光電子發射閾能。

      半導體表面對環境氣氛和接觸材料很敏感。表面層對外來電荷(正的或負的電荷)的吸附引起表面能帶的彎曲(向上或向下),劇烈地影響半導體中光電子發射的特性。圖3中的E 表示表面能帶向下彎曲的勢能,實際有效電子親和勢xeff=x-E。如果E》x,則xeff就成為負值。負電子親和勢(NEA)材料(如GaAs、InGaAsP與Cs2O的接觸)的光電子發射的量子產額相當可觀,是發展半導體光陰極的重要基礎。

      電子-空穴復合發光效應 1952年,發現了硅、鍺半導體材料注入發光的現象。注入到半導體中的非平衡電子-空穴對以某種方式釋放多余的能量而回到初始平衡狀態。輻射光子是一種釋放能量的方式,但是由于鍺、硅都屬間接帶材料(導帶底與價帶頂不在動量空間的同一位置),為了滿足躍遷過程的動量守恒原則(圖4),這就要求大量聲子同時參與躍遷過程,屬多體過程。因此帶間復合發光的效率很低(小于0.01%)。許多化合物材料如GaAs、InGaAsP為直接帶材料(導帶底與價帶頂在動量空間同一位置),帶間輻射躍遷過程幾乎無需聲子參與(圖5)。因此發光效率很高,大注入下內量子效率幾乎達100%,高效率的電子-空穴對復合發光效應是一切半導體發光器件的物理基礎。

      了解光電子器件的分類

      光電子器件分類

      光電子器件可分為體光電子器件、正反向結光電子器件、異質結和多結光電子器件。

      體光電子器件是結構上最簡單的一類光電子器件。半導體材料吸收能量大于禁帶寬度的入射光子,激發出非平衡電子-空穴對(稱為本征激發)。它們在外場下參與導電,產生光電導。如屬不均勻的表面激發,則光生載流子在有濃度梯度下的擴散將導致內場的建立,即光生伏電效應。擴散電流受磁場的作用而偏轉,產生光磁電效應。依據這些物理效應已經制出各種波段(特別是紅外波段)光電探測器,如InSb、HgCdTe光電探測器,在軍事上已獲得廣泛應用。

      體光電探測器也可以用摻入深能級雜質的方法制成。如摻Au、Hg的Ge探測器,是一種很靈敏的紅外探測器。光生載流子是由深能級雜質中心激發的,稱為非本征激發。這類探測器大多在很低溫度下工作(如液氦溫度4.2K)。

      正向結光電子器件

      在正向大偏置下半導體PN結結區附近將注入大量非平衡載流子,利用復合發光效應可制成各種顏色發光二極管。電子儀表上普遍使用的紅、綠色半導體指示燈、數碼管,就是用GaAsP、GaP、AlGaAs等材料制成的。固態發光管功耗低、體積小、壽命長,已逐步取代真空管。用GaAs制成的發光管,發光效率很高,發射波長約9000埃,屬人眼不靈敏的近紅外波段,廣泛用作光電控制和早期光通信的光源。第一只半導體激光器就是用高摻雜GaAs的PN結制成的,雖然現代半導體激光器已被異質結器件所取代,但基本上仍屬正向結結構。

      反向結光電子器件

      結中由于兩側電荷的轉移在結區建立很強的內場(達104伏/厘米以上),導致能帶彎曲,形成PN結勢壘。光生載流子一旦擴散入結區即被內場掃向兩側構成光生電流。硅光電池和光敏二極管就是利用反向結特性工作的器件。硅光電池作為太陽能電源在人造衛星上已得到應用,中國“東方紅”2號人造衛星就使用了硅光電池。目前硅光電池能量轉換效率已接近15%的理論值。光敏二極管是廣泛使用的光檢測器件,為了提高量子效率和響應速度,必須盡量擴大耗盡區(即電場區),因此實用的半導體光電二極管都施加反向偏置,量子效率可達到80%以上,響應時間可小于納秒,光纖通信系統使用的Si-PIN檢測器就是典型的一種。

      如果施加足夠大的反向偏置,光生載流子在結附近某區域的強電場下加速,其能量可達到引起晶格碰撞電離的閾值。這種電離過程呈雪崩式鏈鎖反應,因而可得到內部增益。利用這種過程可制出快速靈敏的光檢測器,稱半導體雪崩光電二極管(APD)。它在長距離、大容量光纖通信系統中得到應用。

      異質結光電子器件

      年代以來,半導體外延生長技術迅速發展。利用外延生長技術可以把不同半導體單晶薄膜控制生長在一起,形成異質結或異質結構。適當選擇異質結構可以獲得一些新的電學特性,如單向注入特性、載流子定域限制效應、負電子親和勢等,在光學上具有窗口效應、光波導特性等。異質結的新特性不僅使原有的光電子器件性能得到很大改善,同時還借以研制成許多新功能器件(如量子阱激光器、雙穩態光器件等)。雙異質結激光器的發明是異質結研究方面的一個重大成就。采用異質結構以后,激光器有源區可精確控制在 0.1微米量級。把注入載流子和光都局限在這個薄層中,使激光器閾值電流密度降低2~3個量級,達到103安/厘米2以下,從而實現低功耗(毫瓦),長命壽(外推百萬小時)、室溫連續波工作等目的。異質結在光電子學中的另一成就是70年代出現的半導體光陰極。以前采用的光陰極材料屬正電子親和勢材料 (如Cs3Sb-CsO等),量子產額很低,且基本上由熱電子弛豫時間決定(10-12秒量級)。利用半導體異質結(如GaAs、InGaAsP-CsO等)負電子親和勢,使量子產額提高3個數量級以上,量子產額由非平衡載流子壽命(10-8秒量級)決定;適當選擇材料可使響應波長擴展到紅外波段。這類負電子親和勢光陰極特別適用于軍事夜視。

      利用異質結窗口效應改善了太陽電池的能量轉換效率。與硅光電池的理論極限相比,能量轉換效率得到成倍提高。在研制成的20種以上異質結光電池中轉換效率最高的是AlGaAs/GaAs,達到23%。異質結太陽電池雖成本較高,但適用于特殊用途(如空間應用)。

      多結光電子器件

      根據器件功能設計的需要,可以連續生長兩個以上多層異質結。這種多結光電子器件可以是二端工作的,也可以是三端或多端的。AlGaAs/GaAsPNPN負阻激光器就是一種多結二端器件,它是將普通的PNPN閘流管和雙異質激光器組合成一體的復合功能器件。為了兼顧電學上的全導通和激光器低閾值要求,通常制成NpPpnP結構。其中大寫字母表示寬帶隙材料,小寫字母表示窄帶隙材料。這種負阻激光器適用于光電自動控制方面。

      光晶體管是一種多層雙結三端器件,它也是一種有內部電流增益的光電探測器。它不受碰撞電離噪聲的限制,因此在長波長低噪聲探測器應用方面可與半導體雪崩光電二極管相媲美。

      最典型的多結器件是量子阱激光器。量子阱激光器的有源區由多層超晶格材料構成,在超晶格結構中窄帶隙材料形成極薄二維電子(或空穴,或二者兼有)勢阱,導帶中的準連續的電子態變成量子化,電子空穴的復合發光發生在這些量子化的分立狀態之間,所以能在相當程度上克服半導體激光器能帶工作的弱點。譜線變窄,溫度系數變小,而且還可以通過注入電流密度的改變,對發射波長進行調諧。它將擴展半導體激光器的應用領域。
      責任編輯:pj

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      放大器的類型有哪些?其區別是什么?

      光刻玩家“趕考”科創板,哪家是國產希望?

      五大客戶頻變,產品庫存問題難解,深扒芯碁微招股書。 科創板“國產直寫光刻設備第一股”正式登陸A股市場....
      的頭像 傳感器技術 發表于 04-06 18:00 ? 524次 閱讀
      光刻玩家“趕考”科創板,哪家是國產希望?

      多家廠商開啟漲價模式,國產替代之路還有多遠?

      由于市場需求持續增長,加之原材料價格上漲,多家半導體硅片廠商調漲產品價格。繼環球晶全面調高現貨價格后....
      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-06 16:59 ? 357次 閱讀
      多家廠商開啟漲價模式,國產替代之路還有多遠?

      芯碁微裝成功登陸科創板,成為“國產光刻設備第一股”

      芯碁微裝是專業的光刻設備供應商,專注服務于電子信息產業中PCB領域及泛半導體領域的客戶,為客戶提供直....
      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-06 16:35 ? 710次 閱讀
      芯碁微裝成功登陸科創板,成為“國產光刻設備第一股”

      新三板半導體企業摘牌持續

      據統計,2016年新三板退市企業僅有56家,2017年新三板市場摘牌企業數量達到了708家,2018....
      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-06 16:19 ? 476次 閱讀
      新三板半導體企業摘牌持續

      印度將向每家來該國設立芯片制造工廠的公司獎勵逾10億美元現金!

      全球各國政府都在補貼半導體工廠的建設,因為芯片短缺困擾著汽車和電子行業,并突顯出全球對臺灣供應的依賴....
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 04-06 16:02 ? 294次 閱讀
      印度將向每家來該國設立芯片制造工廠的公司獎勵逾10億美元現金!

      “昕原半導體”完成近億美元Pre-A輪融資

      有媒體透露消息稱:全球知名的新型半導體技術有限公司“昕原半導體”公司近日正式重磅宣布了現已經完成了幾....
      的頭像 lhl545545 發表于 04-06 15:54 ? 824次 閱讀
      “昕原半導體”完成近億美元Pre-A輪融資

      拜登在半導體產業方面的計劃得到了廣泛的兩黨支持

      拜登先生的計劃于周三發布,旨在利用國會山兩黨的支持來補貼國內制造業和芯片研究。政府官員說,這500億....
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 04-06 15:50 ? 177次 閱讀
      拜登在半導體產業方面的計劃得到了廣泛的兩黨支持

      整個汽車半導體中國的供貨比例不到5%,這里面有兩個原因

      聞泰科技副總裁吳友文認為造成近期汽車“缺芯”現象有多方面原因。一方面是需求的快速增長。他表示,今年無....
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 04-06 15:20 ? 242次 閱讀
      整個汽車半導體中國的供貨比例不到5%,這里面有兩個原因

      II-VI與Coherent達成最終協議的意義

      他還說:“ II-VI和Coherent的結合將使我們在未來幾十年中共同面對不可逆的大趨勢。我們很高....
      的頭像 MEMS 發表于 04-06 14:35 ? 141次 閱讀
      II-VI與Coherent達成最終協議的意義

      20個戰略性產業集群培育發展速覽

      9月28日,廣東省政府召開新聞發布會,重點介紹解讀《關于培育發展戰略性支柱產業集群和戰略性新興產業集....
      的頭像 物聯網之聲 發表于 04-06 11:12 ? 532次 閱讀
      20個戰略性產業集群培育發展速覽

      汽車電子器件在高溫應用設計中的應用研究

      汽車中使用的電子器件數量在不斷增多,而且這一趨勢也開始出現在一些由于環境惡劣而通常難以使用具有成本效....
      的頭像 電子設計 發表于 04-06 11:06 ? 264次 閱讀
      汽車電子器件在高溫應用設計中的應用研究

      半導體氣敏器件介紹

      半導體氣敏器件相關資料分享
      發表于 04-01 06:01 ? 0次 閱讀
      半導體氣敏器件介紹

      半導體熱敏電阻的工作原理/型號/主要參數

      半導體熱敏電阻的工作原理資料下載內容主要介紹了: 半導體熱敏電阻的工作原理 熱敏電阻的型號 熱敏電阻器的主要參數 ...
      發表于 03-24 07:15 ? 0次 閱讀
      半導體熱敏電阻的工作原理/型號/主要參數

      半導體塑封成型工藝中出現的封裝厚度相關缺陷的原因是什么?

      采用人工智能如何預防與封裝厚度相關的所有缺陷,如何控制模具停機時間?...
      發表于 03-11 07:51 ? 0次 閱讀
      半導體塑封成型工藝中出現的封裝厚度相關缺陷的原因是什么?

      常見電源管理IC芯片有哪些

      常見電源管理IC芯片有哪些
      發表于 03-11 06:03 ? 0次 閱讀
      常見電源管理IC芯片有哪些

      如何采用低壓差線形穩壓芯片進行MSP430混合電壓和邏輯系統的設計

      TexasInstruments公司推出的混合信號微控制器MSP430系列時常要碰到不同電壓、電平的接口問題,比如在一個混合系統中如何解決...
      發表于 03-06 06:49 ? 0次 閱讀
      如何采用低壓差線形穩壓芯片進行MSP430混合電壓和邏輯系統的設計

      電源 IC 應用在汽車電子系統有什么樣的要求?

      汽車中的電子系統日益增多、越來越復雜,提高電源 IC 性能的目的是允許設計適應這種狀況的電子系統。促進汽車中電子系統增長的...
      發表于 03-06 06:23 ? 0次 閱讀
      電源 IC 應用在汽車電子系統有什么樣的要求?

      半導體制冷片的工作原理是什么?

      半導體制冷片是利用半導體材料的Peltier效應而制作的電子元件,當直流電通過兩種不同半導體材料串聯成的電偶時,在電偶的兩端即...
      發表于 02-24 09:24 ? 101次 閱讀
      半導體制冷片的工作原理是什么?

      半導體常見的產品分類有哪些

      半導體材料 半導體的功能分類 集成電路的四大類 ...
      發表于 02-24 07:52 ? 202次 閱讀
      半導體常見的產品分類有哪些

      LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

      LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些器件采用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用于對成本敏感的低電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩定,在過驅動條件下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行業標準的封裝。這些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用于成本敏感系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1 mV 共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1 MHz 低寬帶噪聲:40 nV /√ Hz < li>低靜態電流:90μA/Ch 單位增益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和四通道變體 穩健的ESD規范:2 kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
      發表于 01-08 17:51 ? 1676次 閱讀
      LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

      TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

      TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是單,雙和四運算放大器。這些器件針對1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行了優化。輸入和輸出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些器件非常適用于需要低壓工作,高壓擺率和低靜態電流的成本受限應用。這些應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因為器件是統一的 - 增益穩定,包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉換率:15 V /μs 低靜態電流:330μA 軌道-to-Rail輸入和輸出 低輸入失調電壓:±0.33 mV 單位增益帶寬:5 MHz 低寬帶噪聲:15 nV /√ Hz 低輸入偏置電流:2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾波器 適用于低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由于電阻開環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
      發表于 01-08 17:51 ? 369次 閱讀
      TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

      TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

      TMP422是具有內置本地溫度傳感器的遠程溫度傳感器監視器。遠程溫度傳感器具有二極管連接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組成部分的二極管。 無需校準,對多生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串行接口接受SMBus寫字節,讀字節,發送字節和接收字節命令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非理想性因子,大范圍遠程溫度測量(高達150℃),和二極管錯誤檢測。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管傳感器(最大值) ±2.5°C本地溫度傳感器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校正 兩線/SMBus串口 多重接口地址 二極管故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參數 與其它產品相比?數字溫度傳感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
      發表于 01-08 17:51 ? 298次 閱讀
      TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

      LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

      LP8733xx-Q1專為滿足的電源管理要求而設計,這些處理器和平臺用于汽車應用中的閉環性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以及通用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減少相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(采用兩相配置的差分),可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啟動和關斷延遲與排序(包括與使能信號同步的GPO信號)。在啟動和電壓變化期間,器件會對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:器件溫度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度范圍輸入電壓:2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器:輸出電壓:0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相采用兩相配置的自動相位增加/減少和強制多相操作采用兩相配置的遠...
      發表于 01-08 17:51 ? 412次 閱讀
      LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

      TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

      TPS3840系列電壓監控器或復位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和溫度范圍。 TPS3840提供低功耗,高精度和低傳播延遲的最佳組合(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓低于負電壓閾值(V IT - )或手動復位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯后(V IT + )和手動復位( MR )時,復位信號被清除)浮動或高于V MR _H ,復位時間延遲(t D )到期??梢酝ㄟ^在CT引腳和地之間連接一個電容來編程復位延時。對于快速復位,CT引腳可以懸空。 附加功能:低上電復位電壓(V POR ), MR 和VDD的內置線路抗擾度保護,內置遲滯,低開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測解決方案,適用于工業應用和電池供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓:1.5 V至10 V 納米電源電流:350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度:1%(典型值) 內置滯后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
      發表于 01-08 17:51 ? 716次 閱讀
      TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

      INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

      INA240-SEP器件是一款電壓輸出,電流檢測放大器,具有增強的PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降范圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間。 EnhancedPWM抑制為使用脈沖寬度調制(PWM)信號的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅動和電磁閥控制系統)提供高水平的抑制。此功能可實現精確的電流測量,無需大的瞬態電壓和輸出電壓上的相關恢復紋波。 該器件采用2.7 V至5.5 V單電源供電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂鎖(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和測試現場 一個制造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫度范圍 ExtendedProduct生命周期 擴展產品更改通知 產品可追溯性 用于低釋氣的增強型模具化合物 增強型PWM抑制 出色...
      發表于 01-08 17:51 ? 347次 閱讀
      INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

      LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

      LM96000硬件監視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量: 兩個遠程二極管連接晶體管及其自身裸片的溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個溫度區域之一控制。支持高和低PWM頻率范圍。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平滑溫度讀數,從而更好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用于測量風扇速度。包括所有測量值的限制和狀態寄存器。 特性 符合SMBus 2.0標準的2線制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠程熱二極管 基于溫度讀數的可編程自主風扇控制 風扇控制溫度讀數的噪聲過濾 1.0°C數字溫度傳感器分辨率 3 PWM風扇速度控制輸出 提供高低PWM頻率范圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
      發表于 01-08 17:51 ? 498次 閱讀
      LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

      LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

      LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二極管溫度傳感器。 LM63精確測量:(1)自身溫度和(2)二極管連接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形處理器單元(GPU)和其他ASIC上常見的熱敏二極管的溫度。 LM63遠程溫度傳感器的精度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極管的1.0021非理想性進行了工廠調整。 LM63有一個偏移寄存器,用于校正由其他熱二極管的不同非理想因素引起的誤差。 LM63還具有集成的脈沖寬度調制(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是遠程溫度讀數,查找表和寄存器設置的組合。 8步查找表使用戶能夠編程非線性風扇速度與溫度傳遞函數,通常用于靜音聲學風扇噪聲。 特性 準確感應板載大型處理器或ASIC上的二極管連接2N3904晶體管或熱二極管 準確感知其自身溫度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極管的工廠調整 集成PWM風扇速度控制輸出 使用用戶可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用戶可選引腳 用于測量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用于測量典型應用中脈沖寬度調制功率的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針對...
      發表于 01-08 17:51 ? 804次 閱讀
      LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

      AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

      AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達傳感器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件采用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝制造,可在極小的外形尺寸內實現前所未有的集成度。 AWR1843是汽車領域低功耗,自監控,超精確雷達系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達傳感器單芯片解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳感器。它基于TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內置PLL和A2D轉換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校準。此外,該器件還包括一個用戶可編程ARM R4F,用于汽車接口。硬件加速器模塊(HWA)可以執行雷達處理,并可以幫助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的算法。簡單的編程模型更改可以實現各種傳感器實現(短,中,長),并且可以動態重新配置以實現多模傳感器。此外,該設備作為完整的平臺解決方案提供,包括參考硬件設計,軟件驅動程序,示例配置,API指南和用戶文檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
      發表于 01-08 17:51 ? 1796次 閱讀
      AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

      OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

      OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的溫度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩沖高分辨率數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業溫度范圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低噪聲:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f噪聲:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
      發表于 01-08 17:51 ? 1591次 閱讀
      OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

      TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

      TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用于需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗傳感器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件采用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相并且具有高靜電放電(ESD)保護(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作并可在-40°C至+ 125°C的擴展工業溫度范圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)采用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)采用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
      發表于 01-08 17:51 ? 201次 閱讀
      TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

      DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

      DRV5021器件是一款用于高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件采用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,并根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直于封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小于磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯后有助于防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度范圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 范圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯后以增強抗噪能力 工作溫度范圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?霍爾效應鎖存器和開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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      DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

      TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

      TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源范圍,推挽輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極管控制器的反向電流保護,過流檢測和過壓保護電路,其中推挽輸出級用于驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰值電流推挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,采用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源范圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模范圍 相位反轉保護 推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
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      TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

      TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

      這個遠程溫度傳感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極管,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程傳感器均用12位數字編碼表示溫度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分布式遙測應用中進行多位置高精度溫度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程溫度傳感器可提供一種簡單的方法來測量溫度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓范圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度范圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
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      TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

      LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

      LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強制為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位。在啟動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作溫度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
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      LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

      TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

      TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峰值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峰值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峰值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峰值電壓限制器可優化整個充電周期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閑信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率 靈活的用戶界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行并點...
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      TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

      LM358B 雙路運算放大器

      LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地范圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用于最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源范圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓范圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
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      LM358B 雙路運算放大器

      LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

      LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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      LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

      LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

      LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,并且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列采用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用于成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬帶噪聲:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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      LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

      LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

      LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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      LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器
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