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    2. 侵權投訴

      光電子器件的基本工作過程與應用種類分析

      2020-06-23 16:06 ? 次閱讀

      光電子器件扮演著重要角色,因此我們對于光電子器件應當具備一定了解。為增進大家對光電子器件的認識,本文將對半導體光電子器件加以介紹。如果你對光電子器件具有興趣,不妨繼續往下閱讀哦。

      利用半導體光-電子(或電-光子)轉換效應制成的各種功能器件。它不同于半導體光器件(如光波導開關、光調制器、光偏轉器等)。光器件的設計原理是依據外場對導波光傳播方式的改變,它也有別于早期人們襲用的光電器件。后者只是著眼于光能量的接收和轉換(如光敏電阻、光電池等)。早期的光電器件只限于被動式的應用,60年代作為相干光載波源的半導體激光器的問世,則使它進入主動式應用階段,光電子器件組合應用的功能在某些方面(如光通信、光信息處理等)正在擴展電子學難以執行的功能。一門新的分支學科──光電子學正在迅速發展,而光電子器件則構成光電子學的核心部分。

      早在19世紀末就已經開始研究半導體硒中的光電現象,后來硒光電池得到應用,這幾乎比晶體管的發明早80年,但當時人們對半導體還缺乏了解,進展緩慢。30年代開始的對半導體基本物理特性(如能帶結構、電子躍遷過程等)的研究,特別是對半導體光學性質的研究為半導體光電子器件的發展奠定了物理基礎。1962年,R.N.霍耳和M.I.內森研制成功注入型半導體激光器,解決了高效率的光信息載波源,擴展了光電子學的應用范圍,光電子器件因而得到迅速發展。

      1.基本物理過程

      從能帶論的觀點出發,半導體中電子狀態的分布如圖1,常溫下低能量的帶(價帶)中的狀態基本上為價電子所填充,高能量的帶(導帶)中的狀態則空著,二者之間被寬度為Eg的禁帶所隔離。在此情況下半導體的導電特性很差,只有出現在導帶中的電子或價帶中的空態(空穴)才能在外場驅使下參與導電。

      光電子器件的基本工作過程與應用種類分析

      2.內光電效應

      當價帶中的電子吸收了能量大于禁帶寬度的光子就能夠躍遷到導帶中,與此同時在價帶中留下空穴,統稱為光生載流子,由此產生的附加導電現象稱為光電導。在外場驅使下光生載流子貢獻的電流稱為光電流。這種光電子效應因發生在半導體內,故稱為內光電效應。內光電效應是一切光電子接收和能量轉換器件的基礎。

      3.外光電效應

      半導體中電子吸收較高能量的光子而被激發成為熱電子,有可能克服晶格場的束縛逸出體外成為自由電子,這又稱光電子發射效應。圖2是一個具有理想表面的半導體的能帶圖,EC、EV分別表示導帶底和價帶頂,E0為體外真空能級,x為電子親和勢 (表示導帶底的電子逸出體外所需克服的晶體束縛能),EF為費米能級位置,φ為逸出功,ET=x+EV為光電子發射閾能。

      半導體表面對環境氣氛和接觸材料很敏感。表面層對外來電荷(正的或負的電荷)的吸附引起表面能帶的彎曲(向上或向下),劇烈地影響半導體中光電子發射的特性。圖3中的E 表示表面能帶向下彎曲的勢能,實際有效電子親和勢xeff=x-E。如果E》x,則xeff就成為負值。負電子親和勢(NEA)材料(如GaAs、InGaAsP與Cs2O的接觸)的光電子發射的量子產額相當可觀,是發展半導體光陰極的重要基礎。

      電子-空穴復合發光效應 1952年,發現了硅、鍺半導體材料注入發光的現象。注入到半導體中的非平衡電子-空穴對以某種方式釋放多余的能量而回到初始平衡狀態。輻射光子是一種釋放能量的方式,但是由于鍺、硅都屬間接帶材料(導帶底與價帶頂不在動量空間的同一位置),為了滿足躍遷過程的動量守恒原則(圖4),這就要求大量聲子同時參與躍遷過程,屬多體過程。因此帶間復合發光的效率很低(小于0.01%)。許多化合物材料如GaAs、InGaAsP為直接帶材料(導帶底與價帶頂在動量空間同一位置),帶間輻射躍遷過程幾乎無需聲子參與(圖5)。因此發光效率很高,大注入下內量子效率幾乎達100%,高效率的電子-空穴對復合發光效應是一切半導體發光器件的物理基礎。

      4.光電子器件分類

      光電子器件可分為體光電子器件、正反向結光電子器件、異質結和多結光電子器件。

      體光電子器件是結構上最簡單的一類光電子器件。半導體材料吸收能量大于禁帶寬度的入射光子,激發出非平衡電子-空穴對(稱為本征激發)。它們在外場下參與導電,產生光電導。如屬不均勻的表面激發,則光生載流子在有濃度梯度下的擴散將導致內場的建立,即光生伏電效應。擴散電流受磁場的作用而偏轉,產生光磁電效應。依據這些物理效應已經制出各種波段(特別是紅外波段)光電探測器,如InSb、HgCdTe光電探測器,在軍事上已獲得廣泛應用。

      體光電探測器也可以用摻入深能級雜質的方法制成。如摻Au、Hg的Ge探測器,是一種很靈敏的紅外探測器。光生載流子是由深能級雜質中心激發的,稱為非本征激發。這類探測器大多在很低溫度下工作(如液氦溫度4.2K)。

      5.正向結光電子器件

      在正向大偏置下半導體PN結結區附近將注入大量非平衡載流子,利用復合發光效應可制成各種顏色發光二極管。電子儀表上普遍使用的紅、綠色半導體指示燈、數碼管,就是用GaAsP、GaP、AlGaAs等材料制成的。固態發光管功耗低、體積小、壽命長,已逐步取代真空管。用GaAs制成的發光管,發光效率很高,發射波長約9000埃,屬人眼不靈敏的近紅外波段,廣泛用作光電控制和早期光通信的光源。第一只半導體激光器就是用高摻雜GaAs的PN結制成的,雖然現代半導體激光器已被異質結器件所取代,但基本上仍屬正向結結構。

      6.反向結光電子器件

      PN結中由于兩側電荷的轉移在結區建立很強的內場(達104伏/厘米以上),導致能帶彎曲,形成PN結勢壘。光生載流子一旦擴散入結區即被內場掃向兩側構成光生電流。硅光電池和光敏二極管就是利用反向結特性工作的器件。硅光電池作為太陽能電源在人造衛星上已得到應用,中國“東方紅”2號人造衛星就使用了硅光電池。目前硅光電池能量轉換效率已接近15%的理論值。光敏二極管是廣泛使用的光檢測器件,為了提高量子效率和響應速度,必須盡量擴大耗盡區(即電場區),因此實用的半導體光電二極管都施加反向偏置,量子效率可達到80%以上,響應時間可小于納秒,光纖通信系統使用的Si-PIN檢測器就是典型的一種。

      如果施加足夠大的反向偏置,光生載流子在結附近某區域的強電場下加速,其能量可達到引起晶格碰撞電離的閾值。這種電離過程呈雪崩式鏈鎖反應,因而可得到內部增益。利用這種過程可制出快速靈敏的光檢測器,稱半導體雪崩光電二極管(APD)。它在長距離、大容量光纖通信系統中得到應用。

      7.異質結光電子器件

      60年代以來,半導體外延生長技術迅速發展。利用外延生長技術可以把不同半導體單晶薄膜控制生長在一起,形成異質結或異質結構。適當選擇異質結構可以獲得一些新的電學特性,如單向注入特性、載流子定域限制效應、負電子親和勢等,在光學上具有窗口效應、光波導特性等。異質結的新特性不僅使原有的光電子器件性能得到很大改善,同時還借以研制成許多新功能器件(如量子阱激光器、雙穩態光器件等)。雙異質結激光器的發明是異質結研究方面的一個重大成就。采用異質結構以后,激光器有源區可精確控制在 0.1微米量級。把注入載流子和光都局限在這個薄層中,使激光器閾值電流密度降低2~3個量級,達到103安/厘米2以下,從而實現低功耗(毫瓦),長命壽(外推百萬小時)、室溫連續波工作等目的。異質結在光電子學中的另一成就是70年代出現的半導體光陰極。以前采用的光陰極材料屬正電子親和勢材料 (如Cs3Sb-CsO等),量子產額很低,且基本上由熱電子弛豫時間決定(10-12秒量級)。利用半導體異質結(如GaAs、InGaAsP-CsO等)負電子親和勢,使量子產額提高3個數量級以上,量子產額由非平衡載流子壽命(10-8秒量級)決定;適當選擇材料可使響應波長擴展到紅外波段。這類負電子親和勢光陰極特別適用于軍事夜視。

      利用異質結窗口效應改善了太陽電池的能量轉換效率。與硅光電池的理論極限相比,能量轉換效率得到成倍提高。在研制成的20種以上異質結光電池中轉換效率最高的是AlGaAs/GaAs,達到23%。異質結太陽電池雖成本較高,但適用于特殊用途(如空間應用)。

      8.多結光電子器件

      根據器件功能設計的需要,可以連續生長兩個以上多層異質結。這種多結光電子器件可以是二端工作的,也可以是三端或多端的。AlGaAs/GaAsPNPN負阻激光器就是一種多結二端器件,它是將普通的PNPN閘流管和雙異質激光器組合成一體的復合功能器件。為了兼顧電學上的全導通和激光器低閾值要求,通常制成NpPpnP結構。其中大寫字母表示寬帶隙材料,小寫字母表示窄帶隙材料。這種負阻激光器適用于光電自動控制方面。

      光晶體管是一種多層雙結三端器件,它也是一種有內部電流增益的光電探測器。它不受碰撞電離噪聲的限制,因此在長波長低噪聲探測器應用方面可與半導體雪崩光電二極管相媲美。

      最典型的多結器件是量子阱激光器。量子阱激光器的有源區由多層超晶格材料構成,在超晶格結構中窄帶隙材料形成極薄二維電子(或空穴,或二者兼有)勢阱,導帶中的準連續的電子態變成量子化,電子空穴的復合發光發生在這些量子化的分立狀態之間,所以能在相當程度上克服半導體激光器能帶工作的弱點。譜線變窄,溫度系數變小,而且還可以通過注入電流密度的改變,對發射波長進行調諧。它將擴展半導體激光器的應用領域。

      責任編輯:gt

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      回顧整個2021年第一季度下的半導體市場,芯片漲幅之高、物料缺貨之嚴重,這給采購君們造成了太大的心靈....
      發表于 04-15 09:37 ? 311次 閱讀
      盤點芯片漲價浪潮下的“重災區”

      如何去設計晶體管特性圖示儀掃描信號發生器?

      怎樣去設計掃描信號發生器? 掃描信號發生器的階梯波和鋸齒波有什么關系? 以CRT示波器為顯示終端顯示波形,與通用晶體管特...
      發表于 04-15 06:13 ? 0次 閱讀
      如何去設計晶體管特性圖示儀掃描信號發生器?

      寄存器、鎖存器和觸發器三者對比

      我們在微控制器(MCU)等電子系統中存儲數據的方式之一是在寄存器中。一些寄存器由一個位/比特組成,而....
      發表于 04-14 14:55 ? 47次 閱讀
      寄存器、鎖存器和觸發器三者對比

      Gartner公布2020全球十大半導體供應商;SEMI:中國大陸首次成為半導體設備最大市場

      4月14日消息 昨日,國際半導體產業協會(SEMI)在其《全球半導體設備市場統計(WWSEMS)報告....
      發表于 04-14 14:40 ? 1329次 閱讀
      Gartner公布2020全球十大半導體供應商;SEMI:中國大陸首次成為半導體設備最大市場

      拜登:中國欲主導半導體供應鏈,美國不能坐視

      4月14日消息 根據白宮消息,美國總統拜登于當地時間4月13日和俄羅斯總統普京通話。拜登提議未來幾個....
      發表于 04-14 12:52 ? 1358次 閱讀
      拜登:中國欲主導半導體供應鏈,美國不能坐視

      半導體元器件的失效原因

      現在隨著對于芯片的使用環境要求的愈加地苛刻,它在產品的生命周期中也面臨著很大的挑戰,但是在隨著制造尺....
      發表于 04-14 11:43 ? 145次 閱讀
      半導體元器件的失效原因

      基于半導體芯片的超聲波發送器系統的應用研究

      超聲波發送器的理想輸出是一種正弦信號,其滿足了最高電壓振幅和工作頻率要求。您可以生成一個矩形脈沖,而....
      的頭像 電子設計 發表于 04-14 09:19 ? 240次 閱讀
      基于半導體芯片的超聲波發送器系統的應用研究

      2021年5G模組進入千元時代,拉抬行業高增長

      電子發燒友網報道(文/黃晶晶)不得不說,5G的節奏感確實很強,2019年6月三大運營商加廣電獲得5G....
      的頭像 芯鏈 發表于 04-14 09:00 ? 1597次 閱讀
      2021年5G模組進入千元時代,拉抬行業高增長

      德媒:芯片之爭,中國絕非無能為力

      半導體技術是數字時代的一項基礎性技術。大數據、人工智能(AI)、自動駕駛和5G等新技術要滲透到社會的....
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 04-13 16:39 ? 375次 閱讀
      德媒:芯片之爭,中國絕非無能為力

      美國正試圖通過限制半導體對華出口讓中國屈服

      “美國希望通過切斷其最大地緣政治競爭對手的芯片供應,迫使中國回到自己的位置上?!蔽恼路治?,正是中國在....
      的頭像 旺材芯片 發表于 04-13 15:27 ? 654次 閱讀
      美國正試圖通過限制半導體對華出口讓中國屈服

      長電科技到底經歷了怎樣的涅槃重生?

      但出人意料的是,這個小小的晶體廠卻整出了大名堂。由于在我國同步衛星發射中作出了貢獻,在1984年受到....
      的頭像 旺材芯片 發表于 04-13 14:30 ? 525次 閱讀
      長電科技到底經歷了怎樣的涅槃重生?

      美國真的會脫離中國半導體供應鏈嗎?

      拜登上臺,對于中國半導體發展,它會執行什么樣的策略。通過近期它的各種表演,可以肯定的一點,不可能放松....
      的頭像 求是緣半導體 發表于 04-13 14:14 ? 363次 閱讀
      美國真的會脫離中國半導體供應鏈嗎?

      白宮主辦企業芯片峰會重要視訊會議,相關產業巨頭均受邀參加

      白宮這次名為“半導體和供應鏈韌性首席執行官峰會”的會議,與會者包括美國國家安全顧問沙利文(Jake ....
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 04-13 11:28 ? 362次 閱讀
      白宮主辦企業芯片峰會重要視訊會議,相關產業巨頭均受邀參加

      意大利迄今已三度利用其所謂的“黃金權力”來阻止外國對關鍵行業的收購

      資料顯示,LPE公司成立于1972年,總部位于意大利米蘭,生產硅外延反應爐和碳化硅外延爐等半導體設備....
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 04-13 11:24 ? 404次 閱讀
      意大利迄今已三度利用其所謂的“黃金權力”來阻止外國對關鍵行業的收購

      “芯片荒”對中國車企造成了巨大影響

      有媒體在上周報道稱,因全球半導體芯片供應短缺,上汽大眾旗下多款主銷車型暫停生產。3月26日蔚來汽車宣....
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 04-13 11:13 ? 517次 閱讀
      “芯片荒”對中國車企造成了巨大影響

      如何利用SET/MOSFET 混合結構的傳輸特性去設計數值比較器?

      混合SET/MOSFET 結構與特性是什么? 如何利用SET/MOSFET 混合結構的傳輸特性去設計數值比較器? ...
      發表于 04-13 07:12 ? 0次 閱讀
      如何利用SET/MOSFET 混合結構的傳輸特性去設計數值比較器?

      請問如何使用數字溫度傳感器對測色系統進行適當的電壓補償?

      本文通過研究硅光電池的光電轉換特性隨溫度變化的規律,設計了使用數字溫度傳感器DSl8820的一種V—T曲線控制補償方法,對測色...
      發表于 04-13 07:03 ? 0次 閱讀
      請問如何使用數字溫度傳感器對測色系統進行適當的電壓補償?

      TWLA500在ADC及相關領域有哪些應用?

      請問TWLA500在ADC及相關領域有哪些應用?
      發表于 04-13 06:51 ? 0次 閱讀
      TWLA500在ADC及相關領域有哪些應用?

      分享IEDM的最初體驗

      和大家分享一下IEDM的最初體驗以及IEDM的最新研究成果...
      發表于 04-13 06:50 ? 0次 閱讀
      分享IEDM的最初體驗

      與傳統機架式測試系統相比,基于PXI技術的測試系統有什么優勢?

      與傳統機架式測試系統相比,基于PXI技術的測試系統有什么優勢? PXI系統軟件未來發展趨勢是怎樣的? ...
      發表于 04-13 06:48 ? 0次 閱讀
      與傳統機架式測試系統相比,基于PXI技術的測試系統有什么優勢?

      如何利用ATF54143設計低噪聲放大器?

      為什么要設計低噪聲放大器? 請問如何利用ATF54143設計低噪聲放大器?...
      發表于 04-13 06:26 ? 0次 閱讀
      如何利用ATF54143設計低噪聲放大器?

      ICM-20649 TDKInvenSenseICM206496軸MEMSMotionTracking器件

      venSense ICM-20649 6軸MEMS MotionTracking?器件通過提供撞擊前、撞擊期間和撞擊后的連續運動傳感器數據,對接觸類運動應用進行精確的分析。這樣即可為足球、籃球、高爾夫、網球等運動提供更加精確的反饋。TDK InvenSense ICM-20649采用小型3mm x 3mm x 0.9mm 24引腳QFN封裝,可針對陀螺儀實現±4000dps的擴展滿量程范圍 (FSR),針對加速度計實現±30g的擴展滿量程范圍。其他主要特性包括片上16位ADC、運行時校準固件、可編程數字濾波器、嵌入式溫度傳感器和可編程中斷。通過高達100kHz(標準模式)或高達400kHz(快速模式)的IC,或者高達7MHz的SPI,可與該器件進行通信。 特性 3轴陀螺仪,可编程FSR为±500dps、±100dps、±2000dps和±4000dps 3轴加速度计,可编程FSR为±4g、±8g、±16g和±30g 启用...
      發表于 11-12 09:07 ? 116次 閱讀
      ICM-20649 TDKInvenSenseICM206496軸MEMSMotionTracking器件

      MAX20030BATMA/V+ Maxim Integrated MAX20030/1汽車降壓控制器

      Integrated MAX20030和MAX20031汽車降壓控制器是2.2MHz雙路同步降壓控制器,集成了預升壓控制器和低I LDO。該預升壓控制器支持V和V在冷啟動操作期間保持穩壓,直至電池輸入低至2V。MAX20030和MAX20031設有兩個高壓同步降壓控制器,可在180°異相下工作。這些器件的輸入 電壓為3.5V至42.0V,可通過97%占空比在低壓差條件下運行。這些降壓控制器非常適合用于可在寬輸入電壓范圍(如汽車冷啟動或發動機停止啟動條件)內工作,具有中高功率要求的應用。 MAX20030和MAX20031降压控制器的工作频率高达2.2MHz,支持使用小型外部元件,减少输出纹波,并消除AM频段干扰。开关频率可通过电阻器在220kHz至2200kHz范围内฀...
      發表于 11-10 11:07 ? 115次 閱讀
      MAX20030BATMA/V+ Maxim Integrated MAX20030/1汽車降壓控制器

      MAX16926GTP/V+ Maxim Integrated MAX16926汽車顯示器電源解決方案

      Integrated MAX16926汽車顯示器電源解決方案是一款4通道電源管理IC。MAX16926設計用于安裝現代汽車TFT顯示器中使用的主電源軌。MAX16926和MAX20069 TFT電源和LED背光驅動器可以為汽車顯示器電源要求提供雙芯片解決方案。 特性 高度集成 集成式看门狗定时器 高度可靠、低EMI 应用 信息娱乐系统显示屏 中央信息显示屏 仪表盘...
      發表于 11-10 09:07 ? 87次 閱讀
      MAX16926GTP/V+ Maxim Integrated MAX16926汽車顯示器電源解決方案

      STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二極管

      oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二極管是一款超高性能功率肖特基二極管。該器件采用寬帶隙材料,可以設計具有650V額定電壓的肖特基二極管結構。得益于肖特基結構,在關閉時不會顯示恢復,且振鈴模式可以忽略不計。即使是最輕微的電容式關斷特性也不受溫度影響。這些器件特別適用于PFC應用,它們可以提高硬開關條件下的性能。高正向浪涌能力確保在瞬態階段具有良好的穩健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
      發表于 11-09 12:07 ? 50次 閱讀
      STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二極管

      MAX20766EPE+ Maxim Integrated MAX20766智能從設備IC

      Integrated MAX20766智能從設備IC設計用于用于搭配Maxim第七代控制器使用,實現高密度多相穩壓器。多達六個智能從設備集成電路加一個控制器集成電路,組成緊湊的同步降壓轉換器,它可以通過SMBus/PMBus?實現精確的單獨相電流和溫度報告。 Maxim MAX20766智能从设备IC为过热、VX短路和所有电源UVLO故障提供多种保护电路。如果检测到故障,则该器件立即关断,并向控制器IC发送信号。 MAX20766采用16引脚FCQFN封装(具有裸露的顶部散热焊盘)。顶部散热改善...
      發表于 11-09 09:07 ? 73次 閱讀
      MAX20766EPE+ Maxim Integrated MAX20766智能從設備IC

      ICS-40730 TDKInvenSenseICS40730低噪聲麥克風

      venSense ICS-40730低噪聲麥克風是一款差分模擬輸出、底部端口式微機電系統 (MEMS) 麥克風。ICS-40730集成有MEMS麥克風元件、阻抗轉換器、差分輸出放大器和增強型射頻封裝。該款低噪聲麥克風具有高達74dBA的SNR、-32dBV差分靈敏度、-38dBV單端靈敏度、124dB SPL聲學過載點以及±2dB靈敏度容差。典型應用包括智能家居設備、智能手機、電話會議系統、安防、監控、麥克風陣列、語音控制和激活。 特性 74dBA超高SNR 灵敏度: -32dBV差分灵敏度 -38dBV单端灵敏度 ±2dB灵敏度容差 非反相信号输出 25Hz至20kHz扩展频率响应 增强的射频性能 285µA电流消耗 124dB SPL...
      發表于 11-09 09:07 ? 181次 閱讀
      ICS-40730 TDKInvenSenseICS40730低噪聲麥克風

      MAX22025AWA+ Maxim Integrated MAX2202x/F隔離式RS-485/RS-422收發器

      Integrated MAX2202x/F隔離式RS-485/RS-422收發器可在器件的電纜側(RS-485/RS-422驅動器/接收器側)和UART側之間提供3.5kVRMS數字電流隔離。當兩個端口之間存在較大的接地電位差時,隔離通過中斷接地環路來改善通信,并降低噪聲。這些器件允許高達0.5Mbps或16Mbps的穩健通信。 MAX2202x/F隔离式RS-485/RS-422收发器具有Maxim专有的AutoDirection控制功能,因此非常适合用于隔离式RS-485端口等应用,其中驱动器输入与驱动器使能信号搭配使用以驱动差分总线。 MAX22025、MAX22027、MAX22025F和MAX22027F具有较低压&#...
      發表于 11-09 09:07 ? 126次 閱讀
      MAX22025AWA+ Maxim Integrated MAX2202x/F隔離式RS-485/RS-422收發器

      ICS-40212 TDKInvenSenseICS40212模擬麥克風

      venSense ICS-40212模擬麥克風是一款微機電系統 (MEMS) 麥克風,具有極高動態范圍和低功耗常開模式。該麥克風包含MEMS麥克風元件、阻抗轉換器和輸出放大器。ICS-40212在電源電壓低于2V且工作電流為55μA時,采用低功耗工作模式。 ICS-40212麦克风具有128dB声压级 (SPL) 声学过载点(高性能模式下)、±1dB的严密灵敏度容差以及35Hz至20kHz扩展频率响应。该麦克风采用底部端口表面贴装封装,尺寸为3.5mm x 2.65mm x 0.98mm。典型应用包括智能手机、照相机和摄像机...
      發表于 11-09 09:07 ? 128次 閱讀
      ICS-40212 TDKInvenSenseICS40212模擬麥克風

      ICS-40638 TDKInvenSenseICS40638AOP模擬MEMS麥克風

      venSense ICS-40638高聲學過載點 (AOP) 模擬MEMS麥克風(帶差分輸出)具有極高的動態范圍,工作溫度高達105°C。ICS-40638包括一個MEMS麥克風元件、一個阻抗轉換器和一個差分輸出放大器。該麥克風具有138dB聲壓級 (SPL) 聲學過載點、±1dB小靈敏度容差以及對輻射和傳導射頻干擾的增強抗擾度。該系列具有35Hz至20kHz擴展頻率響應,采用緊湊型3.50mm × 2.65mm × 0.98 mm底部端口表面貼裝封裝。TDK InvenSense ICS-40638 AOP模擬MEMS麥克風應用包括汽車、相機和攝像機以及物聯網 (IoT) 設備。 特性 差分非反向模拟输出 灵敏度:-43dBV(差分) 灵敏度容差:±1dB 35Hz至20kHz扩展频率响应 增强的射频抗扰度 PSRR:−81dB 3.50...
      發表于 11-06 09:07 ? 221次 閱讀
      ICS-40638 TDKInvenSenseICS40638AOP模擬MEMS麥克風

      DK-42688-P TDKInvenSenseDK42688P評估板

      venSense DK-42688-P評估板是用于ICM-42688-P高性能6軸運動傳感器的全面開發平臺。該評估板設有用于編程和調試的板載嵌入式調試器和用于主機接口的USB連接器,可支持軟件調試和傳感器數據記錄。DK-42688-P平臺設計采用Microchip G55 MCU,可用于快速評估和開發基于ICM-42688-P的解決方案。TDK InvenSense DK-42688-P評估板配有必要的軟件,包括基于GUI的開發工具InvenSense Motion Link,以及用于ICM-42688-P的嵌入式運動驅動器。 特性 用于ICM-42688-P 6轴运动传感器 带512KB闪存的Microchip G55 MCU 用于编程和调试的板载嵌入式调试器 用于主机接口的USB连接器 通过USB连接的电路板电源 ...
      發表于 11-06 09:07 ? 92次 閱讀
      DK-42688-P TDKInvenSenseDK42688P評估板

      STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

      oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不僅擴展了超低功耗產品組合,還提高了產品性能,采用Arm? 樹皮-M4內核(具有DSP和浮點單元 (FPU),頻率為120MHz)。STM32L4P5產品組合具有512KB至1MB閃存,采用48-169引腳封裝。STM32L4Q5具有1MB閃存,提供額外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
      發表于 11-06 09:07 ? 87次 閱讀
      STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

      ICS-52000 TDKInvenSenseICS52000帶TDM數字輸出的低噪聲麥克風

      venSense ICS‐52000是一款低噪聲數字TDM輸出底部端口麥克風,采用4mm × 3mm × 1mm小尺寸表面貼裝封裝。 ?該器件由MEMS傳感器、信號調理、模數轉換器、抽取和抗混疊濾波器、電源管理以及行業標準的24位TDM接口組成。 借助TDM接口,包括多達16個ICS‐52000麥克風的陣列可直接連接諸如DSP和微控制器等數字處理器,無需在系統中采用音頻編解碼器。 陣列中的所有麥克風都同步對其聲信號進行采樣,從而實現精確的陣列處理。 ICS‐52000具有65dBA的高SNR和寬帶頻率響應。 靈敏度容差為±1dB,可實現無需進行系統校準的高性能麥克風陣列。 ICS-52000具有兩種電源狀態:正常運行和待機模式。 該麥克風具有軟取消靜音功能,可防止上電時發出聲音。 從ICS-52000開始輸出數據時開始,音量將在256WS時鐘周期內上升到滿量程輸出電平。 采樣率為48kHz,該取消靜音序列大約需要5.3ms。 The ICS‐52000 features a high SNR of 65dBA and a wideband frequency response. The sensitivity tolerance is ±1dB enabling high‐performance micropho...
      發表于 11-05 17:07 ? 68次 閱讀
      ICS-52000 TDKInvenSenseICS52000帶TDM數字輸出的低噪聲麥克風

      IAM-20380 TDKInvenSenseIAM20380高性能陀螺儀

      venSense IAM-20380高性能陀螺儀具有0.5VDD至4V電壓范圍、400kHz時鐘頻率以及-40°C至+85°C工作溫度范圍。IAM-20380具有3軸集成,因此制造商無需對分立器件進行昂貴且復雜的系統級集成。TDK InvenSense IAM-20380高性能陀螺儀非常適合用于汽車報警器、遠程信息處理和保險車輛追蹤應用。 特性 数字输出X、Y和Z轴角速率传感器(陀螺仪) 用户可编程满量程范围为±250dps、±500dps、±1000dps和±2000dps 集成16位ADC 用户可编程数字滤波器,用于陀螺仪和温度传感器 按照AEC-Q100执行&...
      發表于 11-03 10:07 ? 82次 閱讀
      IAM-20380 TDKInvenSenseIAM20380高性能陀螺儀

      MPF5024AMMA0ES NXP Semiconductors PF502x電源管理集成電路

      502x電源管理集成電路 (PMIC) 在一個器件中集成了多個高性能降壓穩壓器。PF502x PMIC既可用作獨立的負載點穩壓器IC,也可用作較大PMIC的配套芯片。 NXP PF502x电源管理集成电路 (PMIC) 具有用于关键启动配置的内置一次性可编程 (OTP) 存储器存储。借助该OTP特性,可减少通常用于设置输出电压和稳压器序列的外部元件数量,从而打造时尚器件。启动后,稳压器参数可通过高速I2C进行&#...
      發表于 11-02 12:06 ? 105次 閱讀
      MPF5024AMMA0ES NXP Semiconductors PF502x電源管理集成電路

      T3902 TDKInvenSenseT3902低功耗多模麥克風

      vensense T3902低功耗多模麥克風具有185μA至650μA電流范圍、36Hz至>20kHz額定頻率以及3.5mm × 2.65mm × 0.98mm表面貼裝封裝。T3902麥克風由一個MEMS麥克風元件和一個阻抗轉換器放大器,以及之后的一個四階調制器組成。T3902系列具有高性能、低功耗、標準和睡眠等工作模式。TDK Invensense T3902低功耗多模麥克風非常適合用于智能手機、相機、平板電腦以及安全和監控應用。 特性 3.5mm × 2.65mm × 0.98mm表面贴装封装 低功耗模式:185µA 扩展频率响应:36Hz至>20kHz 睡眠模式电流:12µA 高电源抑制 (PSR):-97dB FS 四阶∑-Δ调制器 数字脉冲密度调制 (PDM) 输...
      發表于 10-30 11:06 ? 96次 閱讀
      T3902 TDKInvenSenseT3902低功耗多模麥克風

      ICS-40740 TDKInvenSenseICS40740超低噪聲麥克風

      venSense ICS-40740超低噪聲麥克風具有超低噪聲、高動態范圍、差分模擬輸出和1個底部端口。TDK InvenSense ICS-40740器件采用MEMS麥克風元件、阻抗轉換器、差分輸出放大器和增強型射頻封裝。ICS-40740器件具有70dB SNR和±1dB靈敏度容差,因此非常適合用于麥克風陣列和遠場語音控制應用。 特性 70d BA信噪比 -37.5dBV灵敏度 ±1dB灵敏度容差 4mm x 3mm x 1.2mm表面贴装封装 80Hz至20kHz扩展频率响应 165µA电流消耗 132.5dB SPL声学过载点 -87d BV PSR 兼容无锡/铅和无铅焊接工艺 符合RoHS指令/WEEE标准 ...
      發表于 10-30 10:06 ? 203次 閱讀
      ICS-40740 TDKInvenSenseICS40740超低噪聲麥克風

      IAM-20680 TDKIAM20680 MEMSMotion Tracking器件

      venSense IAM-20680 6軸MotionTracking器件在3mm x 3mm x 0.75mm的小尺寸封裝中集成了3軸陀螺儀和3軸加速度計。IAM-50680器件具有片上16位ADC、可編程數字濾波器、嵌入式溫度傳感器和可編程中斷。TDK InvenSense IAM-20680 6軸MotionTracking器件非常適合用于360°視角相機穩定、汽車報警器和遠程信息處理應用。 特性 數字輸出X、Y和Z軸角速率傳感器(陀螺儀) 用戶可編程滿量程范圍為±250dps、±500dps、±1000dps和±2000dps,集成16位ADC 數字輸出X、Y和Z軸加速度計,具有±2g、±4g、±8g和±16g的可編程滿量程范圍,集成16位ADC 用戶可編程數字濾波器,用于陀螺儀、加速度計和溫度傳感器 自檢功能 喚醒運動中斷,用于應用處理器的低功耗運行 按照AEC-Q100執行的可靠性測試 按要求提供PPAP和認證數據 應用 導航系統航位推算輔助功能 ...
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      IAM-20680 TDKIAM20680 MEMSMotion Tracking器件

      MAXM17720AMB+ Maxim Integrated MAXM17712/20/24 PMIC

      Integrated MAXM17712/20/24電源管理專用IC (PMIC) 是喜馬拉雅微型系統級IC (µSLIC) 電源模塊,可實現散熱更好、尺寸更小、更加簡單的電源解決方案。這些IC將高效率150 mA同步降壓直流-直流轉換器和高PSRR、低噪聲、50mA線性穩壓器集成到µSLIC™電源模塊中。該PMIC在4V至60V寬輸入電壓范圍內工作。該降壓轉換器和線性穩壓器可提供高達150mA和50mA輸出電流。 直流-直流轉換器的輸出用作線性穩壓器的輸入。這些線性穩壓器在不同模塊中提供1.2V至3.3V固定輸出電壓。MAXM17712/20/24模塊采用薄型設計,采用2.6mmx3mmx1.5mm µSLIC封裝。典型應用包括工業傳感器、暖通空調和樓宇控制、電池供電設備以及LDO替代品。 特性 易于使用: 4V至60V寬輸入降壓轉換器 可調節及固定的輸出電壓模塊 內部電感器和補償 降壓轉換器輸出電流高達150mA 線性穩壓器輸出的精度為±1.3%,FB精度為±2% 全陶瓷電容器、緊湊布局 ...
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      MAXM17720AMB+ Maxim Integrated MAXM17712/20/24 PMIC

      MAX40027ATC/VY+ Maxim Integrated MAX40027雙路高速比較器

      MAX40027雙路高速比較器具有280ps典型傳播延遲。這些比較器具有極低過驅分散(25ps,典型值),因此非常適合用于飛行時間、距離測量應用。該器件的輸入共模范圍為1.5V至V+ 0.1V,與MAX40658、MAX40660和MAX40661等多個廣泛使用的高速跨阻放大器的輸出擺幅兼容。輸出級為LVDS(低壓差分信號),有助于最大限度地降低功耗,直接與諸多FPGA和CPU連接?;パa輸出有助于抑制每個輸出線上的共模噪聲。MAX40027采用小型、節省空間的3mm x 2mm、12引腳TDFN封裝,帶側面可濕性側翼,符合AEC-Q100汽車級認證要求。MAX40027的工作溫度范圍為-40°C至+125°C,可在2.7V至3.6V電源電壓下工作。 特性 快速傳播延遲:280ps(典型值) 低過驅色散:25ps(VOD=10mV至1V)  電源電壓:2.7V至3.6V 2.7V電源時45.9mw(每個比較器) 節能型LVDS輸出 溫度范圍:-40°C至+125°C 符合汽車類AEC-Q100標準 小型3mm x 2mm TDFN封裝,帶可濕性側翼 ...
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      LPC55S66JBD64K NXP Semiconductors LPC55S6x Arm? Cortex?-M33微控制器

      miconductors LPC55S6x Arm Cortex-M33微控制器 (MCU) 采用Arm雙核和Arm TrustZone 技術,適用于工業、樓宇自動化、物聯網 (IoT) 邊緣計算、診斷設備和消費電子應用。這些器件基于Armv8-M架構,采用低功耗40nm嵌入式閃存工藝,具有先進的安全特性。 LPC55S6x微控制器具有一套独特的安全模块,可为嵌入式系统提供层保护,同时保护最终产品在整个生命周期内免受未知或意外的威胁。这些块包括基于可信根和配置的SRAM PUF、来自加密图像的实时执行&...
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      LPC55S66JBD64K NXP Semiconductors LPC55S6x Arm? Cortex?-M33微控制器
      男男肉无码调教视频在线观看
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