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    2. 侵權投訴

      比較1200V碳化硅MOSFET和Si IGBT的主要特色

      意法半導體IPG ? 2020-06-23 19:17 ? 次閱讀

      摘要

      由于電動馬達占工業大部分的耗電量,工業傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰。因此,半導體制造商必須花費大量心神,來強化轉換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術,為電力切換領域立下全新的效能標準。

      本文將強調出無論就能源效率、散熱片尺寸或節省成本方面來看,工業傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優點。1.導言目前工業傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發的碳化硅MOSFET元件,為這個領域另外開辟出全新的可能性。 意法半導體的碳化硅MOSFET技術,不但每單位面積的導通電阻非常之低,切換效能絕佳,而且跟傳統的硅基續流二極體(FWD)相比,內接二極體關閉時的反向恢復能量仍在可忽略范圍內。 考量到幫浦、風扇和伺服驅動等工業傳動都必須持續運轉,利用碳化硅MOSFET便有可能提升能源效率,并大幅降低能耗。 本文將比較1200V碳化硅MOSFET和Si IGBT的主要特色,兩者皆採ACEPACK封裝,請見表1。

      【表1:元件分析】

      本文將利用意法半導體的PowerStudio軟體,將雙脈波測試的實驗數據和統計測量結果套用在模擬當中。模擬20kW的工業傳動,并評估每個解決方案每年所耗電力,還有冷卻系統的要求。

      2.主要的技術關鍵推手和應用限制

      以反相器為基礎的傳動應用,最常見的拓撲就是以6個電源開關連接3個半橋接電橋臂。

      每一個半橋接電橋臂,都是以歐姆電感性負載(馬達)上的硬開關換流運作,藉此控制它的速度、位置或電磁轉距。因為電感性負載的關係,每次換流都需要6個反平行二極體執行續流相位。當下旁(lower side)飛輪二極體呈現反向恢復,電流的方向就會和上旁(upper side)開關相同,反之亦然;因此,開啟狀態的換流就會電壓過衝(overshoot),造成額外的功率耗損。這代表在切換時,二極體的反相恢復對功率損失有很大的影響,因此也會影響整體的能源效率。

      跟硅基FWD搭配硅基IGBT的作法相比,碳化硅MOSFET因為反向恢復電流和恢復時間的數值都低很多,因此能大幅減少恢復耗損以及對能耗的影響。

      圖1和圖2分別為50 A-600 VDC狀況下,碳化硅MOSFET和硅基IGBT在開啟狀態下的換流情形。請看藍色條紋區塊,碳化硅MOSFET的反向恢復電流和反向恢復時間都減少很多。開啟和關閉期間的換流速度加快可減少開關時的電源耗損,但開關換流的速度還是有一些限制,因為可能造成電磁干擾、電壓尖峰和振盪問題惡化。

      【圖1:開啟狀態的碳化硅MOSFET】

      【圖2:開啟狀態的硅基IGBT】

      除此之外,影響工業傳動的重要參數之一,就是反相器輸出的快速換流暫態造成損害的風險。換流時電壓變動的比率(dv/dt)較高,馬達線路較長時確實會增加電壓尖峰,讓共模和微分模式的寄生電流更加嚴重,長久以往可能導致繞組絕緣和馬達軸承故障。因此為了保障可靠度,一般工業傳動的電壓變動率通常在5-10 V/ns。雖然這個條件看似會限制碳化硅MOSFET的實地應用,因為快速換流就是它的主要特色之一,但專為馬達控制所量身訂做的1200 V 硅基IGBT,其實可以在這些限制之下展現交換速度。在任何一個案例當中,無論圖1、圖2、圖3、圖4都顯示,跟硅基IGBT相比,碳化硅MOSFET元件開啟或關閉時都保證能減少能源耗損,即使是在5 V/ns的強制條件下。

      【圖3:關閉狀態的硅基MOSFET】

      【圖4:關閉狀態的硅基IGBT】

      3.靜態與動態效能

      以下將比較兩種技術的靜態和動態特質,設定條件為一般運作,接面溫度TJ = 110 °C。 圖5為兩種元件的輸出靜態電流電壓特性曲線(V-I curves)。兩相比較可看出無論何種狀況下碳化硅MOSFET的優勢都大幅領先,因為它的電壓呈現線性向前下降。 即使碳化硅MOSFET必須要有VGS = 18 V才能達到很高的RDS(ON),但可保證靜態效能遠優于硅基IGBT,能大幅減少導電耗損。

      【圖5:比較動態特質】 兩種元件都已經利用雙脈波測試,從動態的角度加以分析。兩者的比較是以應用為基礎,例如600 V匯流排直流電壓,開啟和關閉的dv/dt均設定為5 V/ns。 圖6為實驗期間所測得數據之摘要。跟硅基IGBT相比,在本實驗分析的電流范圍以內,碳化硅MOSFET的開啟和關閉能耗都明顯較低(約減少50%),甚至在5 V/ns的狀況下亦然。

      【圖6:動態特色的比較】

      4.電熱模擬

      為比較兩種元件在一般工業傳動應用的表現,我們利用意法半導體的PowerStudio軟體進行電熱模擬。模擬設定了這類應用常見的輸入條件,并使用所有與溫度相關的參數來估算整體能源耗損。 用來比較的工業傳動,標稱功率為20 kW,換流速度為5V/ns(輸入條件如表2所列)。

      【表2:模擬條件】

      設定4kHz和8 kHz兩種不同切換頻率,以凸顯使用解決方案來增加fsw之功能有哪些好處。 因為考量到隨著時間推移,所有馬達通常要在不同的作業點運轉,所以我們利用一些基本假設來計算傳動的功率損耗。依照定義IE等級成套傳動模組(CDM)的EN 50598-2標準,還有新型IES等級的電氣傳動系統(PDS),我們將兩個作業點套用在模擬中:一是50%扭矩所產生的電流,第二個則為100%,對我們的應用來說這代表輸出電流分別為24和40 Arms。 若以最大負載點而論(100%扭力電流),兩種元件的散熱片熱電阻都選擇維持大約110 °C的接面溫度。 圖7在50%扭力電流和切換頻率4-8 kHz的狀況下,比較了碳化硅MOSFET和硅基IGBT解決方案的功率耗損。

      【圖7:50%扭力電流下每個開關的功率耗損】

      【圖8:100%扭力電流下每個開關的功率耗損】

      圖8則是在100%扭力電流下以同樣方式進行比較。 功率耗損分為開關(傳導和切換)和反平行二極體,以找出主要差別。和硅基IGBT相比,碳化硅MOSFET解決方案很明顯可大幅降低整體功率損耗。有這樣的結果是因為無論靜態和動態狀況下,不分開關或二極體,功率耗損都會減少。 最后,無論是4或8 kHz的切換頻率,兩種負載狀況的功率耗損減少都落在50%范圍以內。 從這些結果可以看出,這樣做就能達成更高的能源效率,減少散熱片的散熱需求,對重量、體積和成本來說也都有好處。 表3總結了整個反相器相關功率耗損的模擬結果(作業點100%),以及為了讓兩種元件接面溫度維持在110 °C所必需的相關散熱片熱電阻條件。

      【表3:模擬結果概況(作業點100%)】 在模擬所設定的條件下,當8 kHz時Rth會從硅基IGBT的0.22 °C/W降到碳化硅MOSFET的0.09 °C/W。大幅減少代表散熱片可減容5:1(就強制對流型態的產品而言),對系統體積、重量和成本有明顯好處。在4 kHz的狀況下,Rth會從0.35降到0.17 °C/W,相當于4:1容減。

      5.對能源成本的經濟影響

      當工業應用對能源的需求較高且必須密集使用,能源效率就成了關鍵因素之一。 為了將模擬的能源耗損數據結果轉換成能源成本比較概況,必須就年度的負載設定檔和能源成本這些會隨著時間或地點而有所不同的參數,設定一些基本假設。為達到簡化的目的,我們把狀況設定在只含兩種功率位階(負載因素100和50%)的基本負載設定檔。設定檔1和設定檔2的差別,只在于每個功率位準持續的時間長短。為凸顯能源成本的減少,我們將狀況設定為持續運作的工業應用。任務檔案1設定為每年有60%的時間處于負載50%,其他時間(40%)負載100%。任務檔案2也是這樣。 對于每個任務檔案全年能源成本的經濟影響,乃以0.14 €/kWh為能源成本來計算(歐洲統計局數據,以非家庭用戶價格計算)。 從表4可以看出,碳化硅MOSFET每年可省下895.7到1415 kWh的能源。每年可省下的對應成本在125.4到198.1歐元之間,如電壓變動比率限制不那麼嚴格,則可省更多。

      【表4:碳化硅MOSFET每年為每個任務檔案所省下的能源和成本】

      6.結論

      本文針對採用1200V硅基IGBT和碳化硅MOSFET之工業傳動用反相器,進行了效能基準測試。內容還特別探討馬達繞線和軸承保護所導致在電壓變動比率方面的技術限制,接著在20 kW工業傳動條件下,針對上述技術與限制進行比較。結果顯示,使用碳化硅MOSFET取代硅基IGBT可大幅增加電力能源效率,即使換流速度限制在5 V/ns。比較成本后也發現,在特定的假設條件下,這種做法可減少一般工業傳動應用的能源費用支出。

      原文標題:【技術文章】使用碳化硅MOSFET提升工業驅動器的能源效率

      文章出處:【微信號:STM_IPGChina,微信公眾號:意法半導體IPG】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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      半導體技術是數字時代的一項基礎性技術。大數據、人工智能(AI)、自動駕駛和5G等新技術要滲透到社會的....
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 04-13 16:39 ? 375次 閱讀
      德媒:芯片之爭,中國絕非無能為力

      美國正試圖通過限制半導體對華出口讓中國屈服

      “美國希望通過切斷其最大地緣政治競爭對手的芯片供應,迫使中國回到自己的位置上?!蔽恼路治?,正是中國在....
      的頭像 旺材芯片 發表于 04-13 15:27 ? 654次 閱讀
      美國正試圖通過限制半導體對華出口讓中國屈服

      美國真的會脫離中國半導體供應鏈嗎?

      拜登上臺,對于中國半導體發展,它會執行什么樣的策略。通過近期它的各種表演,可以肯定的一點,不可能放松....
      的頭像 求是緣半導體 發表于 04-13 14:14 ? 363次 閱讀
      美國真的會脫離中國半導體供應鏈嗎?

      關于MOSFET參數的詳細圖解

      本文用圖片向你詳細講解MOSFET參數的各種知識,通俗易懂,且易于學習,希望能幫助你的學習。
      的頭像 嵌入式ARM 發表于 04-13 11:56 ? 270次 閱讀
      關于MOSFET參數的詳細圖解

      白宮主辦企業芯片峰會重要視訊會議,相關產業巨頭均受邀參加

      白宮這次名為“半導體和供應鏈韌性首席執行官峰會”的會議,與會者包括美國國家安全顧問沙利文(Jake ....
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 04-13 11:28 ? 362次 閱讀
      白宮主辦企業芯片峰會重要視訊會議,相關產業巨頭均受邀參加

      意大利迄今已三度利用其所謂的“黃金權力”來阻止外國對關鍵行業的收購

      資料顯示,LPE公司成立于1972年,總部位于意大利米蘭,生產硅外延反應爐和碳化硅外延爐等半導體設備....
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 04-13 11:24 ? 404次 閱讀
      意大利迄今已三度利用其所謂的“黃金權力”來阻止外國對關鍵行業的收購

      “芯片荒”對中國車企造成了巨大影響

      有媒體在上周報道稱,因全球半導體芯片供應短缺,上汽大眾旗下多款主銷車型暫停生產。3月26日蔚來汽車宣....
      的頭像 中國半導體論壇 發表于 04-13 11:13 ? 519次 閱讀
      “芯片荒”對中國車企造成了巨大影響

      擬募資總額近140億元,7家企業瞄準科創板上

      同時,據不完全統計,2020年下半年以來,電子產業領域有超過100家企業已正式進入上市輔導階段,預計....
      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-13 11:10 ? 600次 閱讀
      擬募資總額近140億元,7家企業瞄準科創板上

      封裝測試產業在大陸風起云涌,帶動了設備與材料的群體崛起

      科技老兵戴輝我一直想分享一件往事,今天終于逮到機會了。早在1993年,王祥富老師率領我班在無錫實習,....
      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-13 10:31 ? 913次 閱讀
      封裝測試產業在大陸風起云涌,帶動了設備與材料的群體崛起

      大灣區集成電路產業逐步成熟,第三代半導體成亮點

      伴隨粵芯12英寸晶圓項目落地投產,大灣區集成電路產業鏈上下游得以串聯,“大灣區一日半導體產業圈”雛形....
      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-13 10:07 ? 667次 閱讀
      大灣區集成電路產業逐步成熟,第三代半導體成亮點

      車載電子元器件產品高質量和高可靠性的要求研究

      當今的消費者和原始設備制造商(OEM)都要求將高質量和高可靠性作為車載產品的基本要求。據估計,車載電....
      的頭像 電子設計 發表于 04-13 09:54 ? 196次 閱讀
      車載電子元器件產品高質量和高可靠性的要求研究

      中小型半導體企業加入漲價行列

      市場漲價的情況也越來越嚴重,從分銷商調價、國際大廠調價、到部分國內領先的半導體企業調價,但由于國內市....
      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-13 09:36 ? 242次 閱讀
      中小型半導體企業加入漲價行列

      請問如何使用數字溫度傳感器對測色系統進行適當的電壓補償?

      本文通過研究硅光電池的光電轉換特性隨溫度變化的規律,設計了使用數字溫度傳感器DSl8820的一種V—T曲線控制補償方法,對測色...
      發表于 04-13 07:03 ? 0次 閱讀
      請問如何使用數字溫度傳感器對測色系統進行適當的電壓補償?

      TWLA500在ADC及相關領域有哪些應用?

      請問TWLA500在ADC及相關領域有哪些應用?
      發表于 04-13 06:51 ? 0次 閱讀
      TWLA500在ADC及相關領域有哪些應用?

      分享IEDM的最初體驗

      和大家分享一下IEDM的最初體驗以及IEDM的最新研究成果...
      發表于 04-13 06:50 ? 0次 閱讀
      分享IEDM的最初體驗

      什么是MOSFET驅動器?如何計算MOSFET的功耗?

      什么是MOSFET驅動器?MOSFET驅動器功耗包括哪些部分?如何計算MOSFET的功耗? ...
      發表于 04-12 06:53 ? 0次 閱讀
      什么是MOSFET驅動器?如何計算MOSFET的功耗?

      半導體C-V測量基礎知識,總結的太棒了

      關于半導體C-V測量的基礎知識,你想知道的都在這...
      發表于 04-12 06:27 ? 0次 閱讀
      半導體C-V測量基礎知識,總結的太棒了

      開關電源設計之:P溝道和N溝道MOSFET比較

      自1980年代中期以來,MOSFET一直是大多數開關電源(SMPS)首選的晶體管技術。當用作門控整流器時,MOSFET是主開...
      發表于 04-09 09:20 ? 483次 閱讀
      開關電源設計之:P溝道和N溝道MOSFET比較

      高速ADC中造成轉換錯誤的常見原因有哪些?

      比特誤碼率BER與轉換誤碼率CER有什么不同? 高速ADC中造成轉換錯誤的常見原因有哪些? 如何測試內部ADC內核的CE...
      發表于 04-09 06:31 ? 0次 閱讀
      高速ADC中造成轉換錯誤的常見原因有哪些?

      STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1單片VR用于基于所述PM6641單片VR為芯片組和DDR2芯片組和DDR2 / 3演示板/ 3供應用于超移動PC(UMPC)應用

      部為0.8V±1%的電壓基準 2.7 V至5.5 V輸入電壓范圍 快速響應,恒定頻率,電流模式控制 三個獨立,可調節, SMPS對于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片組供應 S3-S5狀態兼容DDR2 / 3部分 有源軟端所有輸出 為VDDQ可選跟蹤放電 獨立的電源良好信號 脈沖在輕負載跳過 可編程電流限制和軟啟動所有輸出 鎖存OVP,UVP保護 熱保護 參考和終止電壓(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO為DDR2 / 3端點(VTT)與折返 遠程VTT輸出感測 在S3高阻VTT輸出 ±15 mA低噪聲DDR2 / 3緩沖基準(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,這是一個單片電壓調節器模塊,具有內部功率MOSFET,專門設計來提供DDR2 /在超移動PC和房地產便攜式系統3內存和芯片組。它集成了三個獨立的,可調節的,恒定頻率的降壓轉換器,一個±2的.apk低壓降(LDO)線性調節器和±15 mA低噪聲緩沖基準。每個調節器提供基本電壓下(UV)和過電壓(OV)的保護,可編程軟啟動和電流限制,有源軟端的和跳脈沖在輕負載。...
      發表于 05-21 05:05 ? 74次 閱讀
      STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1單片VR用于基于所述PM6641單片VR為芯片組和DDR2芯片組和DDR2 / 3演示板/ 3供應用于超移動PC(UMPC)應用

      AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根據該L99SM81V用于汽車應用的步進電機驅動器評估板

      用于汽車應用L99SM81V可編程步進電機驅動器板的功能: 具有微步進和保持功能 BEMF監測失速檢測 經由SPI可編程配置 5V內部線性電壓調節器(輸出上板連接器可用) 板反向電池保護用STD95N4F3 MOSFET,其可以具有兩個被取代可選地安裝二極管和一個跨接 輸入工作電壓范圍從6 V至28 V 輸出電流至1.35A 板尺寸:65毫米長×81毫米寬×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS標準 所有ST組分是合格汽車級 的AutoDevKit部分?主動 應用:汽車雙極步進電動機 在AEK-MOT-SM81M1評估板設計用于驅動在微步進模式中的雙極步進電機,與COI升電壓監測失速檢測。...
      發表于 05-20 18:05 ? 104次 閱讀
      AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根據該L99SM81V用于汽車應用的步進電機驅動器評估板

      ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

      或產品號的產品搜索能力 技術數據表下載和離線咨詢 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 適用于Android收藏節?和iOS?應用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索的ST功率MOSFET產品組合使用便攜設備。您可以輕松地定義設備最適合使用參數搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
      發表于 05-20 17:05 ? 129次 閱讀
      ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

      STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源鉗位正激轉換器 以太網供電(PoE)的IEEE 802.3bt標準的參考設計

      805的PoE-PD接口的 特點: 系統在封裝中集成一個雙活性橋,熱插拔MOSFET和PoE的PD 支持傳統高功率,4對應用 100伏與0.2Ω總路徑電阻N溝道MOSFET,以每個有源橋 標識哪些種PSE(標準或傳統)它被連接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分類指示為T0,T1和T2信號的組合(漏極開路) 通過STBY,仿和RAUX控制信號智能操作模式選擇的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封裝43個管腳和6個露出墊 特點: PWM峰值電流模式控制器 輸入操作電壓高達75伏 內部高電壓啟動調節器與20毫安能力 可編程固定頻率高達1MHz 可設置的時間 軟關閉(任選地禁用) 雙1A PK ,低側互補柵極驅動器 GATE2可以被關閉以降低功耗 80 %的最大占空比與內部斜率補償 QFN 16 3x3mm的封裝,帶有裸墊 此參考設計表示3.3 V,20 A轉換器解決方案非常適合各種應用,包括無線接入點,具有的PoE-PD接口和一個DC-DC有源鉗位正激變換器提供。...
      發表于 05-20 12:05 ? 68次 閱讀
      STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源鉗位正激轉換器 以太網供電(PoE)的IEEE 802.3bt標準的參考設計

      STEVAL-ISA165V1 用于與STP120N4F6 LLC諧振轉換器SRK2001自適應同步整流控制器

      LLC諧振變換器的同步整流器,具有自適應的導通和關斷 V CC 范圍:4.5 V至32 V 最大頻率:500kHz的 對于N溝道MOSFET雙柵驅動器(STRD級驅動程序) SR MOSFET類型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是產品評估電路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特異于在使用的變壓器與繞組的全波整流中間抽頭次級LLC諧振轉換器的次級側同步整流。它提供了兩個高電流柵極驅動輸出(用于驅動N溝道功率MOSFET)。每個柵極驅動器被單獨地控制和聯鎖邏輯電路防止兩個同步整流器(SR)MOSFET同時導通。裝置的操作是基于兩者的導通和關斷的同步整流MOSFET的自適應算法。在快速的負載轉變或上述諧振操作期間,另外的關斷機構設置的基礎上,比較器ZCD_OFF觸發非??斓腗OSFET關斷柵極驅動電路。該板包括兩個SR的MOSFET(在一個TO-220封裝),并且可以在一個現有的轉換器,作為整流二極管的替代很容易地實現。...
      發表于 05-20 12:05 ? 75次 閱讀
      STEVAL-ISA165V1 用于與STP120N4F6 LLC諧振轉換器SRK2001自適應同步整流控制器

      STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的電機控制電源板

      電壓:125 - 400 VDC 額定功率:高達1500W的 允許的最大功率是關系到應用條件和冷卻系統 額定電流:最多6 A 均方根 輸入輔助電壓:高達20 V DC 單或用于電流檢測的三分流電阻(與感測網絡) 電流檢測兩個選項:專用的運算放大器或通過MCU 過電流保護硬件 IPM的溫度監測和保護 在STEVAL-IPMM15B是配備有SLLIMM(小低損耗智能模制模塊)第二串聯模塊的小型電動機驅動電源板第二系列n溝道超結的MDmesh?DM2快速恢復二極管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一種用于驅動高功率電機,用于寬范圍的應用,如白色家電,空調機,壓縮機,電動風扇,高端電動工具,并且通常為電機驅動器3相逆變器的負擔得起的,易于使用的解決方案。...
      發表于 05-20 10:05 ? 82次 閱讀
      STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的電機控制電源板

      NCP81143 VR多相控制器

      43多相降壓解決方案針對具有用戶可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU進行了優化。該控制器結合了真正的差分電壓檢測,差分電感DCR電流檢測,輸入電壓前饋和自適應電壓定位,為臺式機和筆記本電腦應用提供精確調節的電源。該控制系統基于雙邊沿脈沖寬度調制(PWM)與DCR電流檢測相結合,以降低的系統成本提供對動態負載事件的最快初始響應。它具有在輕負載運行期間脫落到單相的能力,并且可以在輕負載條件下自動調頻,同時保持優異的瞬態性能。 NCP81143提供兩個內部MOSFET驅動器,帶有一個外部PWM信號。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。獲得專利的動態參考注入無需在閉環瞬態響應和動態VID性能之間進行折衷,從而進一步簡化了環路補償。獲得專利的總電流求和提供高精度的數字電流監控。 應用 終端產品 基于工業CPU的應用程序 信息娛樂,移動,自動化,醫療和安全 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-09 11:36 ? 510次 閱讀
      NCP81143 VR多相控制器

      NCV898031 非同步SEPIC /升壓控制器 2 MHz

      031是一款可調輸出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驅動外部N溝道MOSFET。該器件采用峰值電流模式控制和內部斜率補償。該IC集成了一個內部穩壓器,為柵極驅動器提供電荷。 保護功能包括內部設置軟啟動,欠壓鎖定,逐周期電流限制和熱關斷。 其他功能包括低靜態電流睡眠模式和微處理器兼容使能引腳。 特性 優勢 具有內部斜率補償的峰值電流模式控制 寬輸入電壓和負載范圍內的良好瞬態響應 1.2 V 2%參考電壓 準確的電壓調節 2 MHz固定頻率操作 卓越的瞬態響應,較小尺寸的濾波元件,基頻高于AM頻段 寬輸入電壓范圍3.2 V至40 V,45 V負載轉儲 適用于各種應用 輸入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠壓條件下的啟動 內部軟啟動 減少啟動期間的浪涌電流 睡眠模式下的低靜態電流 非常低的關閉狀態電流消耗 逐周期電流限制保護 防止過電流情況 打嗝模式短路保護(SCP) 防止短路故障 熱關斷(TSD) 熱保護IC 應用 終端產品 啟動 - 停止系統 SEPIC(非反相降壓 - 升壓),升壓,反激...
      發表于 07-29 19:02 ? 359次 閱讀
      NCV898031 非同步SEPIC /升壓控制器 2 MHz

      NCV8851-1 汽車平均電流模式控制器

      1-1是一款可調輸出,同步降壓控制器,可驅動雙N溝道MOSFET,是大功率應用的理想選擇。平均電流模式控制用于在寬輸入電壓和輸出負載范圍內實現非??焖俚乃矐B響應和嚴格調節。該IC集成了一個內部固定的6.0 V低壓差線性穩壓器(LDO),為開關模式電源(SMPS)底柵驅動器提供電荷,從而限制了過多柵極驅動的功率損耗。該IC設計用于在寬輸入電壓范圍(4.5 V至40 V)下工作,并且能夠在500 kHz下進行10至1次電壓轉換。其他控制器功能包括欠壓鎖定,內部軟啟動,低靜態電流睡眠模式,可編程頻率,SYNC功能,平均電流限制,逐周期過流保護和熱關斷。 特性 優勢 平均電流模式控制 快速瞬態響應和簡單的補償器設計 0.8 V 2%參考電壓 可編程輸出電壓的嚴格公差 4.5 V至40 V的寬輸入電壓范圍 允許通過負載突降情況直接調節汽車電池 6.0 V低壓差線性穩壓器(LDO) 耗材柵極驅動器的內部電源 輸入UVLO(欠壓鎖定) 在欠壓條件下禁用啟動 內部軟啟動 降低浪涌電流并避免啟動時輸出過沖 睡眠模式下1.0μA的最大靜態電流 睡眠電流極低 自適應非重疊...
      發表于 07-29 19:02 ? 450次 閱讀
      NCV8851-1 汽車平均電流模式控制器

      LV5725JA 降壓轉換器 DC-DC 1通道

      JA是一個降壓電壓開關穩壓器。 特性 優勢 寬輸入動態范圍:4.5V至50V 可在任何地方使用 內置過流逐脈沖保護電路,通過外部MOSFET的導通電阻檢測,以及HICCUP方法的過流保護 燒傷保護 熱關閉 熱保護 負載獨立軟啟動電路 控制沖擊電流 外部信號的同步操作 它可以改善發生兩個穩壓器IC之間的振蕩器時鐘節拍 電源正常功能 穩定性操作 外部電壓為輸出電壓高時可用 應用 降壓方式開關穩壓器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-29 19:02 ? 266次 閱讀
      LV5725JA 降壓轉換器 DC-DC 1通道

      FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初級側調節PWM

      代初級側調節(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多種功能,以增強低功耗反激式轉換器的性能。 FSEZ1317WA的專有拓撲結構TRUECURRENT?可實現精確的CC調節,并簡化電池充電器應用的電路設計。與傳統設計或線性變壓器相比,可以實現低成本,更小,更輕的充電器。為了最大限度地降低待機功耗,專有綠色模式提供關斷時間調制,以在輕載時線性降低PWM頻率條件。綠色模式有助于電源滿足節能要求。 通過使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件實現充電器并降低成本。 特性 30mW以下的低待機功率 高壓啟動 最少的外部元件計數 恒壓(CV)和恒流(CC)控制無二次反饋電路 綠色模式:線性降低PWM頻率 固定頻率為50kHz的PWM頻率以解決EMI問題 CV模式下的電纜補償 CV中的峰值電流模式控制模式 逐周期電流限制 V DD 使用Auto Restar進行過壓保護t V DD 欠壓鎖定(UVLO) 柵極輸出最大電壓鉗位在15V 自動重啟固定過溫保護 7導聯SOP 應用 電子書閱讀器 外部AC-DC商用電源 - 便攜消費型 外部AC-D...
      發表于 07-29 19:02 ? 226次 閱讀
      FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初級側調節PWM

      FSEZ1016A 帶有集成式MOSFET的初級端調節PWM控制器

      度集成的PWM控制器具備多種功能,可增強低功率反激轉換器的性能.FSEZ1016A專有的拓撲簡化了電路設計,特別是電池充電器應用中的電路設計。與傳統設計或線性變壓器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更輕的充電器。啟動電流僅為10μA,允許使用大啟動電阻以實現進一步的節能。為了最大限度地降低待機功耗,專有綠色模式提供了關斷時間調制,以在輕載條件下線性降低PWM頻率。綠色模式有助于電源達到節電要求。通過使用FSEZ1016A,充電器可以用極少的外部元件和最低的成本來完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引腳SOIC封裝。 特性 恒壓(CV)和恒流(CC)控制( 通過飛兆專有的TRUECURRENT?技術實現精準恒定電流 綠色模式功能:線性降低PWM頻率 42 kHz的固定PWM頻率(采用跳頻來解決電磁干擾問題) 恒壓模式下的電纜補償 低啟動電流:10μA 低工作電流:3.5 mA 恒壓模式下的峰值電流模式控制 逐周期限流 V DD 過壓保護(帶自動重啟) V DD 欠壓鎖定(UVLO) 帶閂鎖的固定過溫保護(OTP) 采用SOIC-7封裝 應用 ...
      發表于 07-29 19:02 ? 417次 閱讀
      FSEZ1016A 帶有集成式MOSFET的初級端調節PWM控制器

      NCP81231 降壓控制器 USB供電和C型應用

      31 USB供電(PD)控制器是一款針對USB-PD C型解決方案進行了優化的同步降壓控制器。它們是擴展塢,車載充電器,臺式機和顯示器應用的理想選擇。 NCP81231采用I2C接口,可與uC連接,以滿足USB-PD時序,壓擺率和電壓要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 優勢 I2C可配置性 允許電壓曲線,轉換速率控制,定時等 帶驅動程序的同步降壓控制器 提高效率和使用標準mosfet 符合USB-PD規范 支持usb-pd個人資料 過壓和過流保護 應用 終端產品 USB Type C 網絡配件 消費者 ??空?車載充電器s 網絡中心 桌面 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-29 19:02 ? 401次 閱讀
      NCP81231 降壓控制器 USB供電和C型應用

      NCP81239 4開關降壓 - 升壓控制器 USB供電和C型應用

      39 USB供電(PD)控制器是一種同步降壓升壓,經過優化,可將電池電壓或適配器電壓轉換為筆記本電腦,平板電腦和臺式機系統以及使用USB的許多其他消費類設備所需的電源軌PD標準和C型電纜。與USB PD或C型接口控制器配合使用時,NCP81239完全符合USB供電規范。 NCP81239專為需要動態控制壓擺率限制輸出電壓的應用而設計,要求電壓高于或低于輸入電壓。 NCP81239驅動4個NMOSFET開關,允許其降壓或升壓,并支持USB供電規范中指定的消費者和供應商角色交換功能,該功能適用??于所有USB PD應用。 USB PD降壓升壓控制器的工作電源和負載范圍為4.5 V至28 V. 特性 優勢 4.5 V至28 V工作范圍 各種應用的廣泛操作范圍 I2C接口 允許uC與設備連接以滿足USB-PD電源要求 將頻率從150 kHz切換到1200 kHz 優化效率和規模權衡 過渡期間的壓擺率控制 允許輕松實施USB-PD規范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 過電壓和過流保護 應用 終端產品 消費者 計算 銷售點 USB Type-C USB PD 桌面 集線器 擴展...
      發表于 07-29 19:02 ? 579次 閱讀
      NCP81239 4開關降壓 - 升壓控制器 USB供電和C型應用

      ADP3211 同步降壓控制器 7位 可編程 單相

      1是一款高效的單相同步降壓開關穩壓控制器。憑借其集成驅動器,ADP3211經過優化,可將筆記本電池電壓轉換為高性能英特爾芯片組所需的電源電壓。內部7位DAC用于直接從芯片組或CPU讀取VID代碼,并將GMCH渲染電壓或CPU核心電壓設置為0 V至1.5 V范圍內的值。 特性 優勢 單芯片解決方案。完全兼容英特爾?IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片組電壓調節器規格集成MOSFET驅動器。 提高效率。 輸入電壓范圍為3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感應核心電壓誤差超溫。 提高效率。 自動節電模式可在輕負載運行期間最大限度地提高效率。 提高效率。 軟瞬態控制可降低浪涌電流和音頻噪聲。 當前和音頻縮減。 獨立電流限制和負載線設置輸入,以增加設計靈活性。 改進設計靈活性ity。 內置電源良好屏蔽支持電壓識別(VID)OTF瞬變。 提高效率。 具有0V至1.5V輸出的7位數字可編程DAC。 提高效率。 短路保護。 改進保護。 當前監聽輸出信號。 提高效率。 這是一款無鉛設備。完全符合RoHS標準和32引...
      發表于 07-29 19:02 ? 386次 閱讀
      ADP3211 同步降壓控制器 7位 可編程 單相

      NCP81149 具有SVID接口的單相電壓調節器 適用于計算應用

      49是一款單相同步降壓穩壓器,集成了功率MOSFET,可為新一代計算CPU提供高效,緊湊的電源管理解決方案。該器件能夠在帶SVID接口的可調輸出上提供高達14A TDC的輸出電流。在高達1.2MHz的高開關頻率下工作,允許采用小尺寸電感器和電容器,同時由于采用高性能功率MOSFET的集成解決方案而保持高效率。具有來自輸入電源和輸出電壓的前饋的電流模式RPM控制確保在寬操作條件下的穩定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封裝。 特性 優勢 4.5V至25V輸入電壓范圍 針對超極本和筆記本應用進行了優化 支持11.5W和15W ULT平臺 符合英特爾VR12.6和VR12.6 +規格 使用SVID接口調節輸出電壓 可編程DVID Feed - 支持快速DVID的前進 集成柵極驅動器和功率MOSFET 小外形設計 500kHz~1.2MHz開關頻率 降低輸出濾波器尺寸和成本 Feedforward Ope輸入電源電壓和輸出電壓的比例 快線瞬態響應和DVID轉換 過流,過壓/欠壓和熱保護 防止故障 應用 終端產品 工業應用 超極本應用程序 筆記本應用程序 集成POL U...
      發表于 07-29 19:02 ? 193次 閱讀
      NCP81149 具有SVID接口的單相電壓調節器 適用于計算應用

      NCP81141 Vr12.6單相控制器

      41單相降壓解決方案針對Intel VR12.6兼容CPU進行了優化。該控制器結合了真正的差分電壓檢測,差分電感DCR電流檢測,輸入電壓前饋和自適應電壓定位,為臺式機和筆記本電腦應用提供精確調節的電源。單相控制器采用DCR電流檢測,以降低的系統成本提供對動態負載事件的最快初始響應.NCP81141集成了內部MOSFET驅動器,可提高系統效率。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。獲得專利的動態參考注入無需在閉環瞬態響應和動態VID性能之間進行折衷,從而進一步簡化了環路補償。獲得專利的總電流求和提供高精度的數字電流監控。 應用 終端產品 基于工業CPU的應用程序 信息娛樂,移動,自動化,醫療和安全 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-29 18:02 ? 622次 閱讀
      NCP81141 Vr12.6單相控制器

      NCP81147 低壓同步降壓控制器

      47是一款單相解決方案,具有差分相電流檢測,同步輸入,遠程接地節能操作和柵極驅動器,可提供精確調節的電源。自適應非重疊柵極驅動和省電操作電路為服務器,筆記本和臺式機系統提供低開關損耗和高效率解決方案。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。 NCP81147還具有軟啟動序列,精確的過壓和過流保護,用于電源軌的UVLO和熱關斷。 特性 優勢 內部高性能運算放大器 簡化系統補償 集成MOSFET驅動器 節省空間并簡化設計 熱關機保護 確保穩健的設計 過壓和過流保護 確保穩健設計 省電模式 在輕載操作期間最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V輸入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通過OSC引腳 保證啟動進入預充電負載 內部軟啟動/停止 振蕩器頻率范圍為100 kHz至1000 kHz OCP準確度,鎖定前的四次重入時間 無損耗差分電感電流檢測 內部高精度電流感應放大器 20ns內部柵極驅動器的自適應FET非重疊時間 Vout從0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 熱能補償電流監測 ...
      發表于 07-29 18:02 ? 494次 閱讀
      NCP81147 低壓同步降壓控制器

      NCP5230 低壓同步降壓控制器

      0是一款單相解決方案,具有差分相電流檢測,同步輸入,遠程接地節能操作和柵極驅動器,可提供精確調節的電源。自適應非重疊柵極驅動和省電操作電路為服務器,筆記本和臺式機系統提供低開關損耗和高效率解決方案。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。 NCP5230還具有軟啟動序列,精確的過壓和過流保護,用于電源軌的UVLO和熱關斷。 特性 高性能誤差放大器 >內部軟啟動/停止 0.5%內部電壓精度,0.8 V基準電壓 OCP精度,鎖存前四次重入時間無損差分電感電流檢測內部高精度電流檢測放大器振蕩器頻率范圍100 kHz 1000 kHz 20 ns自適應FET內部柵極驅動器非重疊時間 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V電壓)通過OSC引腳實現芯片功能鎖存過壓保護(OVP)內部固定OCP閾值保證啟動預充電負載 熱補償電流監控 Shutdow n保護集成MOSFET驅動器集成BOOST二極管,內部Rbst = 2.2 自動省電模式,最大限度地提高光效率負載運行同步功能遠程地面傳感這是一個無鉛設備 應用 桌面和服務器系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-29 17:02 ? 362次 閱讀
      NCP5230 低壓同步降壓控制器

      NCP3030 同步PWM控制器

      0是一款PWM器件,設計用于寬輸入范圍,能夠產生低至0.6 V的輸出電壓.NCP3030提供集成柵極驅動器和內部設置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振蕩器。 NCP3030還具有外部補償跨導誤差放大器,內置固定軟啟動。保護功能包括無損耗電流限制和短路保護,輸出過壓保護,輸出欠壓保護和輸入欠壓鎖定。 NCP3030目前采用SOIC-8封裝。 特性 優勢 輸入電壓4.7 V至28 V 從不同輸入電壓源調節的能力 0.8 V +/- 1.5%參考電壓 能夠實現低輸出電壓 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高頻操作允許使用小尺寸電感器和電容器 > 1A驅動能力 能夠驅動低Rdson高效MOSFET 電流限制和短路保護 高級保護功能 輸出過壓和欠壓檢測 高級保護功能 具有外部補償的跨導放大器 能夠利用所有陶瓷輸入和輸出電容器 集成升壓二極管 減少支持組件數量和成本 受管制的軟啟動 已結束軟啟動期間的環路調節可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 適用于汽車應用 應用 終端產品 ...
      發表于 07-29 17:02 ? 237次 閱讀
      NCP3030 同步PWM控制器
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