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    2. 侵權投訴

      一種在半導體基板上形成微細結構的激光加工裝置和加工方法

      MEMS ? 2020-06-24 11:18 ? 次閱讀

      摘要:研發了一種在半導體基板上形成微細結構的激光加工裝置和加工方法;該方法用復數束激光,可以從半導體基板的兩個主面方向分別或者同時進行微細結構的加工;通過這種激光直接加工的方法,提高了微細加工的生產效率。

      在半導體器件,特別是微機電系統(MEMS:Micro-Electro-Mechanical Systems)器件的制造過程中,常常需要通過微細加工形成各種溝道、孔穴、穿孔等微細結構。這些微細結構,是在半導體基板上,或者是在半導體基板上形成的薄膜上加工而成。微細結構的加工方式,目前主要有利用光刻加刻蝕方式和利用激光直接加工的方式。相對于光刻加刻蝕方式,激光直接加工方式顯得更有優勢。首先,激光直接加工方式的裝置簡單,造價和運營成本都很低,不像光刻加刻蝕方式,需要光罩制備裝置、涂膠和顯影裝置、曝光裝置、刻蝕裝置和去膠裝置等成套的裝置。另外,激光直接加工方式的加工產物是半導體基板或半導體基板上形成的薄膜的原材料,對環境影響會很低。而光刻加刻蝕方式需要利用到對環境有負擔的氣體或液體,加工產物也往往是對環境有負擔的化合物。再者,激光直接加工方式可加工的圖形相對靈活、自由度高。但是,相對于光刻加刻蝕方式,傳統的激光直接加工方式也存在著一定的劣勢,如大面積加工時,生產效率不夠高。為此,我們研發了一種在半導體基板上形成微細結構的激光加工裝置和加工方法,提高了微細加工的生產效率。

      1 加工裝置的結構和特點

      在半導體基板上形成微細結構的激光加工裝置,主要包括:激光器、載物臺、光學系統、圖形生成系統、控制系統,基本結構如圖1所示。

      圖1 微細結構加工裝置

      1.1激光器

      這里的激光器,它有復數束激光的發光光源,根據被加工對象(半導體基板)的要求,可以選擇不同的波長、強度、波形。這樣,可以用復數束激光對導體基板同時進行微細結構的加工。

      1.2半導體基板

      半導體基板可以是半導體制造領域中常用的晶圓,例如硅晶圓、絕緣體上的硅(SOI:Silicon On Insulator)晶圓、鍺硅晶圓、鍺晶圓、氮化鎵晶圓、SiC晶圓等,也可以是石英、藍寶石等絕緣性晶圓,以及半導體制造領域中常用的在晶圓的表面上進一步具有半導體器件、或者是MEMS器件所需的各種薄膜以及各種構造。

      1.3載物臺

      載物臺是承載和固定被加工的半導體基板的工具。半導體基板可以通過真空吸附方式固定在載物臺上,或者直接機械固定在載物臺上,可以在水平、垂直方向移動和水平方向旋轉。這樣,即使在激光光束位置固定的情況下,也可以在半導體基板上進行復雜的三維微細結構加工。

      1.4 光學系統

      光學系統是將激光器發出的激光導引到半導體基板的系統,包括激光光束的成形部件以及導引部件。當光學系統包括可以掃描的反射鏡時,激光可以獨立于半導體基板進行移動,使微細加工的自由度提高。

      1.5 圖形生成系統

      圖形生成系統,是用來形成所要加工得到的微細結構圖形的電子信息系統。圖形生成系統一般包括電腦和繪圖軟件。加工圖形的電子信息含有微細結構的尺寸、布局等信息。

      1.6 控制系統

      控制系統,是指根據加工圖形來控制激光器、載物臺、以及光學系統的系統,主要包括電腦和控制軟件??刂葡到y主要控制激光器的開和關、強度、波形等,載物臺的移動距離、速度、在水平方向旋轉的角度和旋轉速度,以及光學系統進行激光光束斷面結構的調整、激光的掃描、激光聚焦點的變化。

      2 幾種加工方法的設計

      2.1 復數束加工方法

      復數束激光在半導體基板上進行微細結構的加工方法,我們通過圖1和圖2復數束微細加工載物臺進行說明。這種加工方法中提到的激光加工裝置,具有圖1所描述的基本構造及基本功能,在此不再贅述。

      如圖2所示,載物臺中間是貫通的開孔,有一條垂直方向的中心軸,半導體基板被固定在載物臺上面,兩個需要被加工的主面M和N都呈裸露狀態。激光加工裝置可以對M和N兩個主面進行微細結構的加工。

      圖2 復數束微細加工載物臺

      當激光加工裝置帶有圖形對準系統時,在需要對半導體基板的兩個主面分別、或同時進行微細結構的加工時,可以對兩個主面進行圖形對準。當激光加工裝置帶有廢屑清除系統時,可以清除激光加工過程中產生的廢屑。

      如上所述,復數束加工方法是一種在半導體基板上形成微細結構的激光加工裝置,能夠用復數束激光在半導體基板上分別、或同時進行微細結構的加工。通過以上方法,可以提高激光直接加工方式的生產效率。

      2.2 多束同面加工方法

      在半導體基板上形成微細結構的多束同面激光加工裝置以及加工方法,我們通過圖1和圖3多束同面微細加工載物臺進行說明。這種加工方法中提到的激光加工裝置,具有圖1所描述的基本構造以及基本功能,在此不再贅述。

      如圖3所示,多束同面激光加工方法的特點在于:激光加工裝置使用復數束的激光。為簡便起見,圖3中只顯示了A和B兩束激光對半導體基板的一個主面M分別、或同時進行微細結構1的加工。不同結構布局的位置對準,可以用在微細結構1加工之前形成的對準標志2來進行。復數束的激光A和B的加工圖形既可以相同、也可以不同。顯然,這樣的加工方式,可以使微細結構1中的各個單一圖形的深度、寬度等幾何特征分別相同或不同。這樣的高自由度的加工方式,是傳統光刻加刻蝕方式無法實現的。

      圖3 多束同面微細加工載物臺

      如上所述,這種加工方法能夠用復數束激光在半導體基板的同一主面上分別、或同時進行微細結構的加工,可以提高激光直接加工方式的生產效率和加工自由度。

      2.3 多束雙面加工方法

      另一種在半導體基板上形成微細結構的激光加工裝置以及加工方法,可以通過圖1和圖4多束雙面微細加工載物臺進行說明。這種加工方法中提到的激光加工裝置具有圖1所述的基本構造以及基本功能,在此不再贅述。

      如圖4所示,多束雙面加工方法的特點在于激光加工裝置可以用復數束的激光(為簡便起見,圖4中只顯示了A和B兩束激光)對半導體基板的兩個主面M和N分別、或同時進行微細結構1X、1Y的加工。

      圖4 多束雙面微細加工載物臺

      具體來講,就是用激光A對半導體基板的主面M進行微細結構1X的加工。微細結構1X可以不穿透基板,也可以穿透基板。在微細結構1X的加工過程中,圖形的位置對準,可以用在微細結構1X加工之前形成的對準標志2X來進行。同樣,可以用激光B對半導體基板的另一個主面N進行微細結構1Y的加工。

      顯然,這樣的加工方式,可以使微細結構中的各個單一圖形的深度、寬度等幾何特征相同,也可以不同。這樣的高自由度是傳統的光刻加刻蝕方式無法實現的。

      如上所述,這種加工方法能夠用復數束激光在半導體基板的兩個相對的主面上分別、或同時進行微細結構的加工,可以提高激光直接加工方式的生產效率和自由度。

      3 結束語

      為提高傳統激光微細加工的生產效率,降低光刻加刻蝕微細加工的成本和對環境的不良影響,我們研發了一種在半導體基板上形成微細結構的激光加工裝置和加工方法。通過實驗測試,該加工裝置和加工方法可以提高生產效率,滿足工藝要求。

      原文標題:提高MEMS生產效率的激光加工裝置及其加工方法

      文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-13 10:31 ? 913次 閱讀
      封裝測試產業在大陸風起云涌,帶動了設備與材料的群體崛起

      大灣區集成電路產業逐步成熟,第三代半導體成亮點

      伴隨粵芯12英寸晶圓項目落地投產,大灣區集成電路產業鏈上下游得以串聯,“大灣區一日半導體產業圈”雛形....
      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-13 10:07 ? 670次 閱讀
      大灣區集成電路產業逐步成熟,第三代半導體成亮點

      車載電子元器件產品高質量和高可靠性的要求研究

      當今的消費者和原始設備制造商(OEM)都要求將高質量和高可靠性作為車載產品的基本要求。據估計,車載電....
      的頭像 電子設計 發表于 04-13 09:54 ? 196次 閱讀
      車載電子元器件產品高質量和高可靠性的要求研究

      中小型半導體企業加入漲價行列

      市場漲價的情況也越來越嚴重,從分銷商調價、國際大廠調價、到部分國內領先的半導體企業調價,但由于國內市....
      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-13 09:36 ? 242次 閱讀
      中小型半導體企業加入漲價行列

      芯力量評選的初賽路演正式開始

      “芯力量”大賽是集微網于2019年首次推出的活動,經過2019和2020年兩屆大賽的成功舉辦,憑借專....
      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-13 09:24 ? 210次 閱讀
      芯力量評選的初賽路演正式開始

      美國此舉將會加劇全球芯片供應的困境

      北京的行業分析師馬繼華日前表示:“雖然是全球芯片短缺的重要利害關系方,但幾乎所有大陸高科技企業都缺席....
      的頭像 半導體投資聯盟 發表于 04-13 09:21 ? 340次 閱讀
      美國此舉將會加劇全球芯片供應的困境

      請問如何使用數字溫度傳感器對測色系統進行適當的電壓補償?

      本文通過研究硅光電池的光電轉換特性隨溫度變化的規律,設計了使用數字溫度傳感器DSl8820的一種V—T曲線控制補償方法,對測色...
      發表于 04-13 07:03 ? 0次 閱讀
      請問如何使用數字溫度傳感器對測色系統進行適當的電壓補償?

      TWLA500在ADC及相關領域有哪些應用?

      請問TWLA500在ADC及相關領域有哪些應用?
      發表于 04-13 06:51 ? 0次 閱讀
      TWLA500在ADC及相關領域有哪些應用?

      分享IEDM的最初體驗

      和大家分享一下IEDM的最初體驗以及IEDM的最新研究成果...
      發表于 04-13 06:50 ? 0次 閱讀
      分享IEDM的最初體驗

      蘇州市集成電路行業協會受邀中國半導體行業協會秘書長聯席會議

      4月1日-2日,由中國半導體行業協會主辦的2021年度中國半導體行業協會秘書長聯席會議在西安召開,中....
      的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 04-12 17:11 ? 305次 閱讀
      蘇州市集成電路行業協會受邀中國半導體行業協會秘書長聯席會議

      半導體C-V測量基礎知識,總結的太棒了

      關于半導體C-V測量的基礎知識,你想知道的都在這...
      發表于 04-12 06:27 ? 0次 閱讀
      半導體C-V測量基礎知識,總結的太棒了

      高速ADC中造成轉換錯誤的常見原因有哪些?

      比特誤碼率BER與轉換誤碼率CER有什么不同? 高速ADC中造成轉換錯誤的常見原因有哪些? 如何測試內部ADC內核的CE...
      發表于 04-09 06:31 ? 0次 閱讀
      高速ADC中造成轉換錯誤的常見原因有哪些?

      非晶半導體閾值開關器件受破壞的原因,閾值開關的機理有哪幾種模型?

      非晶態半導體的閾值開關機理介紹 閾值開關的機理有哪幾種模型? ...
      發表于 04-08 06:32 ? 0次 閱讀
      非晶半導體閾值開關器件受破壞的原因,閾值開關的機理有哪幾種模型?

      放大器的類型有哪些?其區別是什么?

      隨著半導體器件的出現和發展,放大器的設計得到了更多的自由。就放大器的類別而言,已不限于A類(甲類)和AB類(甲乙類),而...
      發表于 04-07 06:42 ? 0次 閱讀
      放大器的類型有哪些?其區別是什么?

      半導體氣敏器件介紹

      半導體氣敏器件相關資料分享
      發表于 04-01 06:01 ? 0次 閱讀
      半導體氣敏器件介紹

      半導體熱敏電阻的工作原理/型號/主要參數

      半導體熱敏電阻的工作原理資料下載內容主要介紹了: 半導體熱敏電阻的工作原理 熱敏電阻的型號 熱敏電阻器的主要參數 ...
      發表于 03-24 07:15 ? 101次 閱讀
      半導體熱敏電阻的工作原理/型號/主要參數

      常見電源管理IC芯片有哪些

      常見電源管理IC芯片有哪些
      發表于 03-11 06:03 ? 101次 閱讀
      常見電源管理IC芯片有哪些

      FS7140 我

      或FS7145是一款單芯片CMOS時鐘發生器/再生器IC,旨在最大限度地降低各種電子系統的成本和元件數量。通過I2C總線接口,FS7140 / 45可以適應許多時鐘發生要求。參考和反饋分頻器的長度,精細的粒度和后分頻器的靈活性使FS7140 / 45成為最靈活的獨立PLL時鐘發??生器。 特性 極其靈活且低抖動的鎖相環(PLL)頻率合成 無外部環路濾波器組件需要 150 MHz CMOS或340 MHz PECL輸出 可通過I2C總線完全配置 Up四個FS714x可用于單個I2C總線 3.3 V操作 獨立的片上晶體振蕩器和外部參考輸入 累積抖動非常低 應用 終端產品 精確頻率合成 低頻時鐘倍增 激光打印機(FS7145) 視頻行鎖定時鐘生成 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 16:02 ? 114次 閱讀
      FS7140 我

      TO294YSX 10Gb / s冷卻EML即可

      Broadcom TO294YSx是一款10Gb / s光發射機系列,在TO-中集成了高速電吸收激光器(EML),微型TEC和監視器PD??赏S包裝。它設計用于小型可插拔收發器和其他類型的光模塊,用于高速電信和數據通信應用,包括SONET OC-192,SDH STM-64和10G以太網。 功能 數據速率高達10.7 Gb / s  鏈接距離最大40 km,速度為10 Gb / s 溫度穩定 TEC功耗非常低 50Ω單端數據輸入 外殼工作溫度范圍:-40至+85°C 應用 10G光收發器模塊(XFP,X2,XENPAK和SFP +) 用于SONET / SDH的300針轉發器 10GbE接口 線卡 100GHz信道間隔DWDM...
      發表于 07-04 11:19 ? 174次 閱讀
      TO294YSX 10Gb / s冷卻EML即可

      247E-1490 247E-1490

      247Ex-1490是一款單模邊緣發射激光二極管芯片,發射波長為1490 nm,適用于輸出功率高達75 mW的非制冷應用。該設計是在n型襯底上生長的帶帽的臺面掩埋異質結構(CMBH),具有多量子阱(MQW)有源層和分布反饋(DFB)光柵層??堂嬖谇翱堂嫔贤坑锌狗瓷鋵?,在后刻面上涂有高反射涂層。在p側和n側都提供金焊盤。出于識別目的,芯片兩側都會出現一個十六進制數字。所有激光芯片都來自已經使用代表性的許多器件進行認證的晶片,這些器件必須達到可接受的老化和多溫度CW測試產量。每個出廠裸芯片都在25攝氏度下進行脈沖測試。 特性 高輸出功率 低光束發散角 可粘合結合或結合 久經考驗的現場可靠性歷史悠久 設計可靠性,包括高質量MOCVD外延 專利低滲透歐姆p接觸設計 專利的接合側焊盤,提供焊料滲透的屏障 工作溫度– 5°C至+ 75°C...
      發表于 07-04 10:56 ? 96次 閱讀
      247E-1490 247E-1490

      725VR 725VR

      725型25 Gb / s EML芯片載體(CoC)是一種光學子組件,由1.3微米電子吸收調制激光器組成( EML)安裝在金屬化平臺上。  CoC已經過吹掃和電光測試,可支持25 Gb / s的應用。 該載波有四個LAN-WDM波長通道,共4次; 25Gb / s傳輸。 功能 能夠傳輸高達28 Gb / s LAN-WDM平均值為~1296,1300,1305標稱值1309 nm,4次; 25/28 Gb / s傳輸應用 工作溫度45~60℃ CMBH多量子阱DFB結構 高度可靠 用于高ER /低Vpp的高帶寬調制器...
      發表于 07-04 10:56 ? 200次 閱讀
      725VR 725VR

      247E-1310 247E-1310

      247Ex-1310是一款單模邊緣發射激光二極管芯片,發射頻率為1310 nm,適用于輸出功率高達75mW的非制冷應用。該設計是在n型襯底上生長的帶帽的臺面掩埋異質結構(CMBH),具有多量子阱(MQW)有源層和分布反饋(DFB)光柵層??堂嬖谇翱堂嫔贤坑锌狗瓷鋵?,在后刻面上涂有高反射涂層。在p側和n側都提供金焊盤。出于識別目的,芯片兩側都會出現一個十六進制數字。所有激光芯片都來自已經使用代表性的許多器件進行認證的晶片,這些器件必須達到可接受的老化和多溫度CW測試產量。每個出廠裸芯片都在25攝氏度下進行脈沖測試。 特性 高輸出功率 低光束發散角 可粘合結合或結合 久經考驗的現場可靠性歷史悠久 設計可靠性,包括高質量MOCVD外延 專利低滲透歐姆p接觸設計 專利的接合側焊盤,提供焊料滲透的屏障 工作溫度– 5°C至+ 75°C...
      發表于 07-04 10:56 ? 88次 閱讀
      247E-1310 247E-1310

      AFCD-V54JZ 25 Gb / s 1x4陣列氧化物VCSEL

      Broadcom AFCD-V54JZ 850nm 25 Gb / s 1x4陣列氧化物GaAs基垂直腔面發射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。   VCSEL陣列專為高速光數據通信應用而設計,可產生圓對稱的窄光束,通過適當的鏡頭,可將光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纖中。 / div> 功能 850nm波長范圍 數據速率從DC到25Gb / s 高功率輸出  適用于非密封環境 應用 100GbE QSFP28有源光纜(AOC)
      發表于 07-04 10:55 ? 228次 閱讀
      AFCD-V54JZ 25 Gb / s 1x4陣列氧化物VCSEL

      AFCD-V51KC1 25 Gb / s氧化物VCSEL

      Broadcom AFCD-V51KC1 850nm 25 Gb / s氧化鎵GaAs基垂直腔面發射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。   VCSEL專為高速光數據通信應用而設計,可將光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纖中。 功能 850nm波長范圍 數據速率從DC到25Gb / s 符合100 Gb以太網 高功率輸出  適用用于非密封環境 應用程序 25GbE SR SFP28可插拔收發器 25GbE SFP28有源光纜(AOC)
      發表于 07-04 10:55 ? 68次 閱讀
      AFCD-V51KC1 25 Gb / s氧化物VCSEL

      AFCD-V21KA2 10 Gb / s 850nm氧化物VCSEL

      Broadcom AFCD-V21KA2是一款850nm 10 Gb / s氧化鎵GaAs基垂直腔面發射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板,專為高速光學設計數據通信應用。   VCSEL設計用于符合IEEE 802.3ae 10GBASE-SR的10Gb / s以太網鏈路,可將光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纖中。 功能 850nm波長范圍  數據速率從DC到10.3125 Gb / s  溫度范圍從5C到+ 75C 適用于非密封環境 應用 10GbE SR SFP +可插拔收發器 10GbE SFP +有源光纜(AOC) )...
      發表于 07-04 10:55 ? 105次 閱讀
      AFCD-V21KA2 10 Gb / s 850nm氧化物VCSEL

      AFCD-V51KC 28 Gb / s氧化物VCSEL

      Broadcom AFCD-V51KC是一款850nm 28 Gb / s氧化鎵GaAs基垂直腔面發射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。   VCSEL專為高速光數據通信應用而設計,可將光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纖中。 功能 850nm波長范圍 數據速率從DC到28Gb / s 高功率輸出  適用于非密封環境 應用 25GbE SFP28有源光纜(AOC)
      發表于 07-04 10:54 ? 157次 閱讀
      AFCD-V51KC 28 Gb / s氧化物VCSEL

      OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

      OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的溫度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩沖高分辨率數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業溫度范圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低噪聲:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f噪聲:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
      發表于 01-08 17:51 ? 1595次 閱讀
      OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

      TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

      TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用于需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗傳感器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件采用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相并且具有高靜電放電(ESD)保護(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作并可在-40°C至+ 125°C的擴展工業溫度范圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)采用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)采用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
      發表于 01-08 17:51 ? 211次 閱讀
      TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

      DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

      DRV5021器件是一款用于高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件采用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,并根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直于封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小于磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯后有助于防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度范圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 范圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯后以增強抗噪能力 工作溫度范圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?霍爾效應鎖存器和開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
      發表于 01-08 17:51 ? 393次 閱讀
      DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

      TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

      TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源范圍,推挽輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極管控制器的反向電流保護,過流檢測和過壓保護電路,其中推挽輸出級用于驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰值電流推挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,采用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源范圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模范圍 相位反轉保護 推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
      發表于 01-08 17:51 ? 372次 閱讀
      TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

      TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

      這個遠程溫度傳感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極管,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程傳感器均用12位數字編碼表示溫度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分布式遙測應用中進行多位置高精度溫度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程溫度傳感器可提供一種簡單的方法來測量溫度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓范圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度范圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
      發表于 01-08 17:51 ? 430次 閱讀
      TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

      LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

      LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強制為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位。在啟動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作溫度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
      發表于 01-08 17:51 ? 691次 閱讀
      LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

      TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

      TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峰值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峰值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峰值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峰值電壓限制器可優化整個充電周期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閑信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率 靈活的用戶界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行并點...
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      TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

      LM358B 雙路運算放大器

      LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地范圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用于最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源范圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓范圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
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      LM358B 雙路運算放大器

      LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

      LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
      發表于 01-08 17:51 ? 393次 閱讀
      LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

      LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

      LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,并且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列采用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用于成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬帶噪聲:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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      LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

      LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

      LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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      LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器
      男男肉无码调教视频在线观看
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