當ARM異常中斷發生時,系統執行完當前指令后,將跳轉到相應的異常中斷處理程序處執行。當異常中斷處理程序執行完成后,程序返回到發生中斷指令的下條指令處執 行。在進入異常中斷處理程序時,要保存被中斷程序的執行現場,從異常中斷處理程序退出時,要恢復被中斷程序的執行現場。
1、引起異常的原因 對于ARM核,可以且只能識別7種處理器異常,每種異常都對應一種ARM處理器模式,當發生異常時,ARM處理器就切換到相應的異常模式,并調用異常處理 程序進行處理。
(1)、指令執行引起的異常 軟件中斷、未定義指令(包括所要求的協處理器不存在是的協處理器指令)、預取址中止(存儲器故障)、數據中止。
(2)、外部產生的中斷 復位、FIQ、IRQ。
2、ARM中異常中斷的種類
(1)、復位(RESET)
a、當處理器復位引腳有效時,系統產生復位異常中斷,程序跳轉到復位異常中斷處理程序處執行,包括系統加電和系統復位。
b、通過設置PC跳轉到復位中斷向量處執行稱為軟復位。
(2)、未定義的指令 當ARM處理器或者是系統中的協處理器認為當前指令未定義時,產生未定義的指令異常中斷,可以通過改異常中斷機制仿真浮點向量運算。
(3)、軟件中斷 這是一個由用戶定義的中斷指令(SWI)??捎糜谟脩裟J较碌某绦蛘{用特權操作指令。在實時操作系統中可以通過該機制實現系統功能調用。
(4)、指令與取終止(Prefech Abort) 如果處理器預取的指令的地址不存在,或者該地址不允許當前指令訪問,當被預取的指令執行時,處理器產生指令預取終止異常中斷。
(5)、數據訪問終止(DATAABORT) 如果數據訪問指令的目標地址不存在,或者該地址不允許當前指令訪問,處理器產生數據訪問終止異常中斷。
(6)、外部中斷請求(IRQ) 當處理器的外部中斷請求引腳有效,而且CPSR的寄存器的I控制位被清除時,處理器產生外部中斷請求異常中斷。系統中個外設通過該異常中斷請求處理服務。
(7)、快速中斷請求(FIQ) 當處理器的外部快速中斷請求引腳有效,而且CPSR的F控制位被清除時,處理器產生外部中斷請求異常中斷。

3、異常的響應過程 除了復位異常外,當異常發生時,ARM處理器盡可能完成當前指令(除了復位異常)后,再去處理異常。并執行如下動作:?
(1)、將引起異常指令的下一條指令的地址保存到新模式的R14中,若異常是從ARM狀態進入,LR寄存器中保存的是下一條指令的地址(當前PC+4或 PC+8,與異常的類型有關);若異常是從Thumb狀態進入,則在LR寄存器中保存當前PC的偏移量,這樣,異常處理程序就不需要確定異常是從何種狀態 進入的。例如:在軟件中斷異常SWI,指令MOV PC,R14_svc總是返回到下一條指令,不管SWI是在ARM狀態執行,還是在Thumb狀 態執行。
(2)、將CPSR的內容保存到要執行異常中斷模式的SPSR中。
(3)、設置CPSR相應的位進入相應的中斷模式。
(4)、通過設置CPSR的第7位來禁止IRQ。如果異常為快速中斷和復位。則還要設置CPSR的第6位來禁止快速中斷。
(5)、給PC強制賦向量地址值。上面的異常處理操作都是由ARM核硬件邏輯自動完成的,程序計數器PC總是跳轉到相應的固定地址。如果異常發生時,處理器處于Thumb狀態,則當異常向量地址加載入PC時,處理器自動切換到ARM狀態,則異常處理返回時,自動切換到Thumb狀態。
4、異常中斷處理返回 異常處理完畢之后,ARM微處理器會執行以下幾步操作從異常返回:
(1)、將所有修改過的用戶寄存器從處理程序的保護棧中恢復。
(2)、將SPSR復制回CPSR中,將連接寄存器LR的值減去相應的偏移量后送到PC中。
(3)、若在進入異常處理時設置了中斷禁止位,要在此清除。復位異常處理程序不需要返回。
原文標題:ARM異常中斷的原因及處理措施
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信息優勢和特點 非易失性存儲器保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄存器...
發表于 04-18 19:29 ?
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信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低溫度系數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲游標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存于EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息 1M編程周期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 溫度范圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低溫度系數性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和游標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
發表于 04-18 19:28 ?
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信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存游標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 μs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 游標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,并在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈沖予以恢復;WP功能則可保護EE...
發表于 04-18 19:28 ?
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信息優勢和特點 單芯片結構 雙緩沖鎖存器支持兼容8位微處理器 快速建立時間:500 ns(最大值,至±1/2 LSB) 片內集成高穩定性嵌入式齊納基準電壓源 整個溫度范圍內保證單調性 整個溫度范圍內保證線性度:1/2 LSB(最大值,AD567K) 保證工作電壓:±12 V或±15 V 欲了解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD567是一款完整的高速12位單芯片數模轉換器,內置一個高穩定性嵌入式齊納基準電壓源和一個雙緩沖輸入鎖存器。該轉換器采用12個精密、高速、雙極性電流導引開關和一個經激光調整的薄膜電阻網絡,可提供快速建立時間和高精度特性。微處理器兼容性通過片內雙緩沖鎖存器實現。輸入鎖存器能夠與4位、8位、12位或16位總線直接接口。因此,第一級鎖存器的12位數據可以傳輸至第二級鎖存器,避免產生雜散模擬輸出值。鎖存器可以響應100 ns的短選通脈沖,因而可以與現有最快的微處理器配合使用。AD567擁有如此全面的功能與高性能,是采用先進的開關設計、高速雙極性制造工藝和成熟的激光晶圓調整技術(LWT)的結果。該器件在晶圓階段進行調整,25°C時最大線性誤差為±1/4 LSB(K級),整個工作溫度范圍內的線性誤差為±1/2 LSB。芯片的表面下(嵌入式...
發表于 04-18 19:24 ?
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28是一個EEPROM串行128-Kb SPI器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0& 1,1) 工業溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁面寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或所有EEPROM陣列 1,000,000計劃/時代se周期 100年數據保留 8引腳SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此設備無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 其他識別具有永久寫保護的頁面 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 19:13 ?
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56是一個EEPROM串行256-Kb SPI器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留期 1,000,000個程序/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業溫度范圍 8引腳SOIC ,TSSOP和8焊盤UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,以及符合RoHS標準 應用 汽車系統 Communica tions Systems 計算機系統 消費者系統 工業系統 ...
發表于 04-18 19:13 ?
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信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
發表于 04-18 19:13 ?
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60是一個EEPROM串行16-Kb SPI器件,內部組織為2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0& 1,1) 32字節頁面寫入緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳SOIC,T SSOP和8-pad UDFN軟件包 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 19:13 ?
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信息優勢和特點 完整的8位DAC 電壓輸出:0 V至2.56 V 內部精密帶隙基準電壓源 單電源供電:5 V (±10%) 完全微處理器接口 快速建立時間:1 xxs內電壓達到±1/2 LSB精度 低功耗:75 mW 無需用戶調整 在工作溫度范圍內保證單調性 規定了 T min至T max的所有誤差 小型16引腳DIP或20引腳PLCC封裝 低成本產品詳情AD557 DACPORT?是一款完整的電壓輸出8位數模轉換器,它將輸出放大器、完全微處理器接口以及精密基準電壓源集成在單芯片上。無需外部元件或調整,就能以全精度將8位數據總線與模擬系統進行接口。AD557 DACPORT的低成本和多功能特性是單芯片雙極性技術持續發展的結果。完整微處理器接口與控制邏輯利用集成注入邏輯(I2L)實現,集成注入邏輯是一種極高密度的低功耗邏輯結構,與線性雙極性制造工藝兼容。內部精密基準電壓源是一種取得專利的低壓帶隙電路,采用+5 V單電源時可實現全精度性能。薄膜硅鉻電阻提供在整個工作溫度范圍內保證單調性工作所需的穩定性,對這些薄膜電阻進行激光晶圓調整則可實現出廠絕對校準,誤差在±2.5 LSB以內,因此不需要用戶進行增益或失調電壓調整。新電路設計可以使電壓在800 ns內達到±...
發表于 04-18 19:12 ?
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信息優勢和特點 完整8位DAC 電壓輸出:兩種校準范圍 內部精密帶隙基準電壓源 單電源供電:+5 V至+15 V 完全微處理器接口 快速建立時間:1 ±s內電壓達到±1/2 LSB精度 低功耗:75 mW 無需用戶調整 在工作溫度范圍內保證單調性 規定了 Tmin至Tmax的所有誤差 16引腳DIP和20引腳PLCC小型封裝 激光晶圓調整單芯片供混合使用產品詳情AD558 DACPORT?是一款完整的電壓輸出8位數模轉換器,它將輸出放大器、完全微處理器接口以及精密基準電壓源集成在單芯片上。無需外部元件或調整,就能以全精度將8位數據總線與模擬系統進行接口。這款DACPORT器件的性能和多功能特性體現了近期開發的多項單芯片雙極性技術成果。完整微處理器接口與控制邏輯利用集成注入邏輯(I2 L)實現,集成注入邏輯是一種極高密度的低功耗邏輯結構,與線性雙極性制造工藝兼容。內部精密基準電壓源是一種取得專利的低壓帶隙電路,采用+5 V至+15 V單電源時可實現全精度性能。薄膜硅鉻電阻提供在整個工作溫度范圍內保證單調性工作所需的穩定性(所有等級器件),對這些薄膜電阻運用最新激光晶圓調整技術則可實現出廠絕對校準,誤差在±1 LSB以內,因此不需要用戶進行增...
發表于 04-18 19:12 ?
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