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      SiT5156:SiTime可編程溫補振蕩器Super-TCXO,1-60MHz任意頻率

      SiTime樣品中心 ? 2021-11-30 17:09 ? 次閱讀

      關于作者--SiTime樣品中心

      為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及,讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優勢,SiTime公司聯合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費樣品申請,小批量試產、現貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務,更多信息請訪問www.sitimechina.com,客戶服務熱線400-888-2483。

      SiT5156是SiTime公司推出的一款1-60MHZ輸出的高精度、抗沖擊、芯片級、可編程的溫補振蕩器TCXO,可提供0.1 ppb/g 振動免疫力,不會產生頻率擾動或微跳變。廣泛應用于小型基站、微波回傳、存儲和服務器、專業音視頻設備、同步以太網光學設備。

      SiT5156具有極高的穩定性(±0.5 ppm至±2.5 ppm),出色的動態性能和豐富的功能。 這些設備解決了電信,網絡和精密GNSS系統的根深蒂固的時序問題。在降低功耗和尺寸的同時,它們可用于取代新興的5G和IEEE 1588同步應用中的傳統石英OCXO。在高溫、熱震蕩、振動以及不可預期的氣流下持續運行。

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      SiT5156選型參數

      振蕩器類型:TCXO

      頻率:1 - 60MHz任意頻率,可精確到小數點后6位

      頻率穩定性:±0.5ppm、±1.0ppm、±2.5ppm

      相位抖動(rms):0.31ps

      輸出類型:LVCMOS、Clipped sinewave(削峰正弦波)

      工作溫度:-20℃ ~ +70℃、-40℃ ~ +80℃、-40℃ ~ +105℃

      牽引范圍:±6.25ppm、±10ppm、±12.5ppm、±25ppm、±50ppm、±80ppm、±100ppm、±125ppm、±150ppm、±200ppm、±400ppm、±600ppm、±800ppm、±1600ppm、±3200ppm

      電源電壓:2.5V、2.8V、3.0V、3.3V

      封裝尺寸:5.0mm x 3.2mm

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      SiT5156特點

      在氣流、快速溫度和斜坡作用下,具有優異的動態穩定性

      ±500ppb的頻率穩定性b

      3e-11 ADEV 在 10 秒平均時間

      ±15 ppb/°C 頻率斜率 (ΔF/ΔT),10°C/min 斜坡

      在任何操作條件下實現最快的衛星鎖定

      振動下的相位噪聲提高 20 倍

      最大限度地減少高振動環境中衛星鎖定的損失

      沒有活動下降或微跳

      無需進行昂貴的篩選或老化測試

      0.2 ps/mV 電源噪聲抑制 (PSNR)

      通過消除用于 TCXO 的專用 LDO 來減少 BOM

      LVCMOS 或削峰正弦波輸出

      優化以實現 EMI 和抖動之間的最佳平衡

      通過 I2C 進行數字頻率調諧

      消除電路板噪聲引起的頻移

      10 億小時 MTBF

      終身保修

      減少由于時鐘組件引起的維修成本和現場故障


      SiT5156應用

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      關于作者--SiTime樣品中心

      為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及,讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優勢,SiTime公司聯合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費樣品申請,小批量試產、現貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務,更多信息請訪問www.sitimechina.com,客戶服務熱線400-888-2483。


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