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      侵權投訴

      對MOSFET與IGBT詳細的區別分析以及舉例說明

      2018-01-31 09:07 ? 次閱讀

      MOSFETIGBT內部結構不同,

      決定了其應用領域的不同。

      1. 由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。

      2. IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了。不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領域的產品。

      3. 就其應用,根據其特點:MOSFET應用于開關電源,鎮流器,高頻感應加熱,高頻逆變焊機,通信電源等等高頻電源領域。IGBT集中應用于焊機、逆變器,變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應加熱等領域。

      開關電源 (Switch Mode Power Supply;SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇,即開關管和整流器。

      雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題,但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較,確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。

      本文將對一些參數進行探討,如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗,并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外,還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素,討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。

      1

      導通損耗

      除了IGBT的電壓下降時間較長外,IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路(見圖1)可看出,完全調節PNP BJT集電極基極區的少數載流子所需的時間導致了導通電壓拖尾(voltage tail)出現。

      對MOSFET 與 IGBT詳細的區別分析以及舉例說明

      這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應,使集電極/發射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應也導致了在ZVS情況下,在負載電流從組合封裝的反向并聯二極管轉換到 IGBT的集電極的瞬間,VCE電壓會上升。

      IGBT產品規格書中列出的Eon能耗是每一轉換周期Icollector與VCE乘積的時間積分,單位為焦耳,包含了與類飽和相關的其他損耗。其又分為兩個Eon能量參數,Eon1和Eon2。Eon1是沒有包括與硬開關二極管恢復損耗相關能耗的功率損耗;Eon2則包括了與二極管恢復相關的硬開關導通能耗,可通過恢復與IGBT組合封裝的二極管相同的二極管來測量,典型的Eon2測試電路如圖2所示。IGBT通過兩個脈沖進行開關轉換來測量Eon。第一個脈沖將增大電感電流以達致所需的測試電流,然后第二個脈沖會測量測試電流在二極管上恢復的Eon損耗。

      對MOSFET 與 IGBT詳細的區別分析以及舉例說明

      在硬開關導通的情況下,柵極驅動電壓和阻抗以及整流二極管的恢復特性決定了Eon開關損耗。對于像傳統CCM升壓PFC電路來說,升壓二極管恢復特性在Eon (導通) 能耗的控制中極為重要。除了選擇具有最小Trr和QRR的升壓二極管之外,確保該二極管擁有軟恢復特性也非常重要。軟化度 (Softness),即tb/ta比率,對開關器件產生的電氣噪聲和電壓尖脈沖 (voltage spike) 有相當的影響。

      某些高速二極管在時間tb內,從IRM(REC)開始的電流下降速率(di/dt)很高,故會在電路寄生電感中產生高電壓尖脈沖。這些電壓尖脈沖會引起電磁干擾(EMI),并可能在二極管上導致過高的反向電壓。

      在硬開關電路中,如全橋和半橋拓撲中,與IGBT組合封裝的是快恢復管或MOSFET體二極管,當對應的開關管導通時二極管有電流經過,因而二極管的恢復特性決定了Eon損耗。所以,選擇具有快速體二極管恢復特性的MOSFET十分重要。不幸的是,MOSFET的寄生二極管或體二極管的恢復特性比業界目前使用的分立二極管要緩慢。因此,對于硬開關MOSFET應用而言,體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。

      一般來說,IGBT組合封裝二極管的選擇要與其應用匹配,具有較低正向傳導損耗的較慢型超快二極管與較慢的低VCE(sat)電機驅動IGBT組合封裝在一起。相反地,軟恢復超快二極管,可與高頻SMPS2開關模式IGBT組合封裝在一起。

      除了選擇正確的二極管外,設計人員還能夠通過調節柵極驅動導通源阻抗來控制Eon損耗。降低驅動源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI需要折中,因為較高的di/dt 會導致電壓尖脈沖、輻射和傳導EMI增加。為選擇正確的柵極驅動阻抗以滿足導通di/dt 的需求,可能需要進行電路內部測試與驗證,然后根據MOSFET轉換曲線可以確定大概的值 (見圖3)。

      對MOSFET 與 IGBT詳細的區別分析以及舉例說明

      假定在導通時,FET電流上升到10A,根據圖3中25℃的那條曲線,為了達到10A的值,柵極電壓必須從5.2V轉換到6.7V,平均GFS為10A/(6.7V-5.2V)=6.7mΩ。

      對MOSFET 與 IGBT詳細的區別分析以及舉例說明

      公式1 獲得所需導通di/dt的柵極驅動阻抗

      把平均GFS值運用到公式1中,得到柵極驅動電壓Vdrive=10V,所需的 di/dt=600A/μs,FCP11N60典型值VGS(avg)=6V,Ciss=1200pF;于是可以計算出導通柵極驅動阻抗為37Ω。由于在圖3的曲線中瞬態GFS值是一條斜線,會在Eon期間出現變化,意味著di/dt也會變化。呈指數衰減的柵極驅動電流Vdrive和下降的Ciss作為VGS的函數也進入了該公式,表現具有令人驚訝的線性電流上升的總體效應。

      同樣地,IGBT也可以進行類似的柵極驅動導通阻抗計算,VGE(avg) 和 GFS可以通過IGBT的轉換特性曲線來確定,并應用VGE(avg)下的CIES值代替Ciss。計算所得的IGBT導通柵極驅動阻抗為100Ω,該值比前面的37Ω高,表明IGBT GFS較高,而CIES較低。這里的關鍵之處在于,為了從MOSFET轉換到IGBT,必須對柵極驅動電路進行調節。

      2

      傳導損耗需謹慎

      在比較額定值為600V的器件時,IGBT的傳導損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測,并在指明最差情況下的工作結溫下進行的。例如,FGP20N6S2 SMPS2 IGBT 和 FCP11N60 SuperFET均具有1℃/W的RθJC值。圖4顯示了在125℃的結溫下傳導損耗與直流電流的關系,圖中曲線表明在直流電流大于2.92A后,MOSFET的傳導損耗更大。

      不過,圖4中的直流傳導損耗比較不適用于大部分應用。同時,圖5中顯示了傳導損耗在CCM (連續電流模式)、升壓PFC電路,125℃的結溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中,MOSFET-IGBT的曲線相交點為2.65A RMS。對PFC電路而言,當交流輸入電流大于2.65A RMS時,MOSFET具有較大的傳導損耗。2.65A PFC交流輸入電流等于MOSFET中由公式2計算所得的2.29A RMS。MOSFET傳導損耗、I2R,利用公式2定義的電流和MOSFET 125℃的RDS(on)可以計算得出。把RDS(on)隨漏極電流變化的因素考慮在內,該傳導損耗還可以進一步精確化,這種關系如圖6所示。

      對MOSFET 與 IGBT詳細的區別分析以及舉例說明

      一篇名為“如何將功率MOSFET的RDS(on)對漏極電流瞬態值的依賴性包含到高頻三相PWM逆變器的傳導損耗計算中”的IEEE文章描述了如何確定漏極電流對傳導損耗的影響。作為ID之函數,RDS(on)變化對大多數SMPS拓撲的影響很小。例如,在PFC電路中,當FCP11N60 MOSFET的峰值電流ID為11A——兩倍于5.5A (規格書中RDS(on) 的測試條件) 時,RDS(on)的有效值和傳導損耗會增加5%。

      在MOSFET傳導極小占空比的高脈沖電流拓撲結構中,應該考慮圖6所示的特性。如果FCP11N60 MOSFET工作在一個電路中,其漏極電流為占空比7.5%的20A脈沖 (即5.5A RMS),則有效的RDS(on)將比5.5A(規格書中的測試電流)時的0.32歐姆大25%。

      公式2 CCM PFC電路中的RMS電流

      式2中,Iacrms是PFC電路RMS輸入電流;Vac是 PFC 電路RMS輸入電壓;Vout是直流輸出電壓。

      在實際應用中,計算IGBT在類似PFC電路中的傳導損耗將更加復雜,因為每個開關周期都在不同的IC上進行。IGBT的VCE(sat)不能由一個阻抗表示,比較簡單直接的方法是將其表示為阻抗RFCE串聯一個固定VFCE電壓,VCE(ICE)=ICE×RFCE+VFCE。于是,傳導損耗便可以計算為平均集電極電流與VFCE的乘積,加上RMS集電極電流的平方,再乘以阻抗RFCE。

      圖5中的示例僅考慮了CCM PFC電路的傳導損耗,即假定設計目標在維持最差情況下的傳導損耗小于15W。以FCP11N60 MOSFET為例,該電路被限制在5.8A,而FGP20N6S2 IGBT可以在9.8A的交流輸入電流下工作。它可以傳導超過MOSFET 70% 的功率。

      雖然IGBT的傳導損耗較小,但大多數600V IGBT都是PT (Punch Through,穿透) 型器件。PT器件具有NTC (負溫度系數)特性,不能并聯分流?;蛟S,這些器件可以通過匹配器件VCE(sat)、VGE(TH) (柵射閾值電壓) 及機械封裝以有限的成效進行并聯,以使得IGBT芯片們的溫度可以保持一致的變化。相反地,MOSFET具有PTC (正溫度系數),可以提供良好的電流分流。

      3

      關斷損耗 —問題尚未結束

      在硬開關、鉗位感性電路中,MOSFET的關斷損耗比IGBT低得多,原因在于IGBT 的拖尾電流,這與清除圖1中PNP BJT的少數載流子有關。圖7顯示了集電極電流ICE和結溫Tj的函數Eoff,其曲線在大多數IGBT數據表中都有提供。 這些曲線基于鉗位感性電路且測試電壓相同,并包含拖尾電流能量損耗。

      圖2顯示了用于測量IGBT Eoff的典型測試電路, 它的測試電壓,即圖2中的VDD,因不同制造商及個別器件的BVCES而異。在比較器件時應考慮這測試條件中的VDD,因為在較低的VDD鉗位電壓下進行測試和工作將導致Eoff能耗降低。

      降低柵極驅動關斷阻抗對減小IGBT Eoff損耗影響極微。如圖1所示,當等效的多數載流子MOSFET關斷時,在IGBT少數載流子BJT中仍存在存儲時間延遲td(off)I。不過,降低Eoff驅動阻抗將會減少米勒電容 (Miller capacitance) CRES和關斷VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅動回路中的風險,避免使器件重新偏置為傳導狀態,從而導致多個產生Eoff的開關動作。

      ZVS和ZCS拓撲在降低MOSFET 和 IGBT的關斷損耗方面很有優勢。不過ZVS的工作優點在IGBT中沒有那么大,因為當集電極電壓上升到允許多余存儲電荷進行耗散的電勢值時,會引發拖尾沖擊電流Eoff。ZCS拓撲可以提升最大的IGBT Eoff性能。正確的柵極驅動順序可使IGBT柵極信號在第二個集電極電流過零點以前不被清除,從而顯著降低IGBT ZCS Eoff。

      MOSFET的 Eoff能耗是其米勒電容Crss、柵極驅動速度、柵極驅動關斷源阻抗及源極功率電路路徑中寄生電感的函數。該電路寄生電感Lx (如圖8所示) 產生一個電勢,通過限制電流速度下降而增加關斷損耗。在關斷時,電流下降速度di/dt由Lx和VGS(th)決定。如果Lx=5nH,VGS(th)=4V,則最大電流下降速度為VGS(th)/Lx=800A/μs。

      4

      總結:

      在選用功率開關器件時,并沒有萬全的解決方案,電路拓撲、工作頻率、環境溫度和物理尺寸,所有這些約束都會在做出最佳選擇時起著作用。

      在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應用中,MOSFET由于具有較快的開關速度和較少的關斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。

      對硬開關應用而言,MOSFET寄生二極管的恢復特性可能是個缺點。相反,由于IGBT組合封裝內的二極管與特定應用匹配,極佳的軟恢復二極管可與更高速的SMPS器件相配合。

      后語:MOSFE和IGBT是沒有本質區別的,人們常問的“是MOSFET好還是IGBT好”這個問題本身就是錯誤的。至于我們為何有時用MOSFET,有時又不用MOSFET而采用IGBT,不能簡單的用好和壞來區分,來判定,需要用辯證的方法來考慮這個問題。

      原文標題:MOSFET ? IGBT?傻傻分不清楚

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      yg_311
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      這款產品整體結構使用大量卡扣設計、在結合合理的螺絲位置布局的前提下,既滿足產品結構的強度,也滿足成本....
      的頭像 大比特資訊 發表于 11-17 10:48 ? 667次 閱讀
      米家無線除螨儀怎么樣 如何實現“螨”盤皆吸

      用于Buck和Buck-Boost拓撲的高效低成本離線恒定電壓穩壓器

      WD5202集成了500V MOSFET,用于Buck和Buck-Boost拓撲的高效低成本離線恒定電壓穩壓器。WD5202只需要很少的外部元件...
      發表于 11-17 07:13 ? 0次 閱讀

      DIY電源拓撲線相關資料分享

      記一些小事。一、材料及工具:電源座DC-005、熱熔膠、廢棄PCB、錫線、導線、電烙鐵、熱風槍(或打火機、熱熔膠槍)二、使用...
      發表于 11-17 07:07 ? 0次 閱讀

      功率地和小信號地單點單連怎么去做呢

      1.電流可以分為三種:矩形的,三角形的,平穩的。在Buck中:紅色區域就是矩形的,藍色區域就是三角形的,要減小EMI,最重要的...
      發表于 11-17 07:01 ? 0次 閱讀

      DIY電源拓撲線相關資料推薦

      記一些小事。一、材料及工具:電源座DC-005、熱熔膠、廢棄PCB、錫線、導線、電烙鐵、熱風槍(或打火機、熱熔膠槍)二、使用...
      發表于 11-17 06:33 ? 0次 閱讀

      ASEMI超快恢復二極管SFF3006規格書下載

      ASEMI超快恢復二極管SFF3006規格書下載
      發表于 11-16 18:07 ? 30次 閱讀

      IGBT器件靜態參數測試需要哪些儀器呢

      IGBT器件靜態參數測試需要哪些儀器呢?IGBT模組靜態參數測試需要的儀器是一系列的
      發表于 11-16 17:17 ? 140次 閱讀

      MOSFET跨導及夾斷區是什么

      相比于晶體管,MOSFET這個管子相對來說比較復雜,它的工作過程理解起來還是有一定難度的。那么這其中....
      的頭像 張飛實戰電子 發表于 11-16 16:39 ? 482次 閱讀

      過沖的定義及解決辦法

      定義過沖:輸出電壓波形第一個峰值或者谷值超過設定直流電壓的幅度值------對于上升沿是指最高電壓,對于下降沿是指最低電壓。下...
      發表于 11-16 09:44 ? 0次 閱讀

      肖特基二極管工作原理及特點

      肖特基二極管工作原理肖特基二極管的特點肖特基二極管的結構肖特基二極管與普通二極管的區別肖特基二極管的工作狀態肖特基二極管...
      發表于 11-16 08:08 ? 0次 閱讀

      DC/DC變換器的典型拓撲有哪些呢

      按照隔離和非隔離分類的話:非隔離型有 buck、boost、buck-boost、cuk等;隔離型的有正激、反激、推挽、橋式電路;...
      發表于 11-16 07:51 ? 0次 閱讀

      常用的幾種二極管型號及區別

      0.文中很多資料都摘自網上,也有自己整理的部分,如果不當使用了您的文章,請聯系我我會及時處理。此外,這篇文章并不包含所有的...
      發表于 11-16 07:30 ? 0次 閱讀

      國外碳化硅大廠:產能瘋狂擴張 豐富的產品組合

      電子發燒友網報道(文/李誠)碳化硅、氮化鎵這兩種新型半導體材料,憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功....
      的頭像 電子發燒友網 發表于 11-13 09:58 ? 782次 閱讀

      SiC需求爆發 賽道正式開啟國內企業迅速就位

      電子發燒友網報道(文/李誠)功率器件從硅基向碳化硅的轉型,成為了半導體集成電路領域快速發展的一個縮影....
      的頭像 電子發燒友網 發表于 11-13 09:49 ? 615次 閱讀

      新能源汽車中IGBT的具體應用有哪幾方面?

      新能源汽車作為發展可替代能源,是建設可持續低碳社會的重要一環,并且越來越受到世界各國的高度重視。那么....
      發表于 11-12 16:51 ? 412次 閱讀

      淺談功率半導體燒結貼片技術

      銀 (Ag)/銅 (Cu) 壓力燒結(見圖 1)是一種應用于粉末材料(即納米顆粒)的熱處理工藝,以提....
      發表于 11-12 11:24 ? 440次 閱讀
      淺談功率半導體燒結貼片技術

      特斯拉、比亞迪、蔚來等都用了 碳化硅產業站上風口

      電子發燒友網報道(文/李彎彎)近年來,電動汽車的銷量持續快速提升,從中國市場來看,中汽協公布數據顯示....
      的頭像 電子發燒友網 發表于 11-11 09:58 ? 1113次 閱讀

      從離散到集成,電機驅控的三大選擇

      電子發燒友網報道(文/李寧遠)目前電機控制一般分成電機驅動器IC,柵極驅動器IC加上MOS/IGBT....
      的頭像 電子發燒友網 發表于 11-11 09:31 ? 2783次 閱讀
      從離散到集成,電機驅控的三大選擇

      SRII重磅亮相CICD 2021,以先進ALD技術賦能第三代半導體產業

      思銳智能不僅在GaN器件的ALD鍍膜上實現了量產化的解決方案,也在持續挖掘ALD技術之于傳統硅基,S....
      發表于 11-10 14:13 ? 226次 閱讀
      SRII重磅亮相CICD 2021,以先進ALD技術賦能第三代半導體產業

      MAX16141AAAF/VY+ Maxim Integrated MAX16141理想二極管控制器

      Integrated MAX16141理想二極管控制器具有各種系統故障保護特性,例如反向電流保護、過流保護、輸入過壓/欠壓保護以及過熱保護。MAX16141二極管控制器具有3.5V至36V的工作電壓范圍和5μA(典型值)關斷電流。這些MAX16141控制器采用集成電荷泵,可驅動源極連接上方9V背對背外部nFET的柵極。這樣可最大限度降低源極和負載之間的功率損耗。MAX16141控制器采用低功耗關斷,可減少電池耗電量。這些MAX16141二極管控制器通過開路雙向電流阻斷和開路雙向電壓將故障電源與負載隔離。 MAX16141控制器具有可為負載提供有限功率的低功耗模式,以及有助于在關斷模式下降低功耗的內部開關 這些MAX16141二極管控制器還具有故障輸出,可在故障條件下發出信號。典型應用包括汽車電源系統、網絡/電信電源系統、RAID系統、服務器和以太網供電 (PoE) 系統。 特性 寬電源電壓范圍: 工作電壓范圍:3.5V至36V 保護電壓范圍:-36V至60V 消除了分立二極管功耗 低功耗關斷模式可降低電池耗電量: ...
      發表于 10-21 11:10 ? 126次 閱讀

      STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1單片VR用于基于所述PM6641單片VR為芯片組和DDR2芯片組和DDR2 / 3演示板/ 3供應用于超移動PC(UMPC)應用

      部為0.8V±1%的電壓基準 2.7 V至5.5 V輸入電壓范圍 快速響應,恒定頻率,電流模式控制 三個獨立,可調節, SMPS對于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片組供應 S3-S5狀態兼容DDR2 / 3部分 有源軟端所有輸出 為VDDQ可選跟蹤放電 獨立的電源良好信號 脈沖在輕負載跳過 可編程電流限制和軟啟動所有輸出 鎖存OVP,UVP保護 熱保護 參考和終止電壓(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO為DDR2 / 3端點(VTT)與折返 遠程VTT輸出感測 在S3高阻VTT輸出 ±15 mA低噪聲DDR2 / 3緩沖基準(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,這是一個單片電壓調節器模塊,具有內部功率MOSFET,專門設計來提供DDR2 /在超移動PC和房地產便攜式系統3內存和芯片組。它集成了三個獨立的,可調節的,恒定頻率的降壓轉換器,一個±2的.apk低壓降(LDO)線性調節器和±15 mA低噪聲緩沖基準。每個調節器提供基本電壓下(UV)和過電壓(OV)的保護,可編程軟啟動和電流限制,有源軟端的和跳脈沖在輕負載。...
      發表于 05-21 05:05 ? 160次 閱讀

      ULN2801A ULN2801A八個達林頓陣列

      達林頓晶體管具有共同發射極 輸出電流500 mA的電流 輸出電壓至50V 積分抑制二極管 對于所有流行的邏輯系列版本 輸出可以并聯 輸入釘扎相對輸出到簡化電路板布局 在ULN2801A,ULN2802A,ULN2803A和ULN2804A各自包含具有共同的發射器和用于電感性負載積分抑制二極管8個達林頓晶體管。每個達林頓設有一個峰值負載電流額定值600毫安(500 mA連續)的,并能承受至少50 V在關斷狀態。輸出可以并聯,以更高的電流能力。...
      發表于 05-21 05:05 ? 432次 閱讀

      AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根據該L99SM81V用于汽車應用的步進電機驅動器評估板

      用于汽車應用L99SM81V可編程步進電機驅動器板的功能: 具有微步進和保持功能 BEMF監測失速檢測 經由SPI可編程配置 5V內部線性電壓調節器(輸出上板連接器可用) 板反向電池保護用STD95N4F3 MOSFET,其可以具有兩個被取代可選地安裝二極管和一個跨接 輸入工作電壓范圍從6 V至28 V 輸出電流至1.35A 板尺寸:65毫米長×81毫米寬×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS標準 所有ST組分是合格汽車級 的AutoDevKit部分?主動 應用:汽車雙極步進電動機 在AEK-MOT-SM81M1評估板設計用于驅動在微步進模式中的雙極步進電機,與COI升電壓監測失速檢測。...
      發表于 05-20 18:05 ? 228次 閱讀

      ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

      或產品號的產品搜索能力 技術數據表下載和離線咨詢 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 適用于Android收藏節?和iOS?應用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索的ST功率MOSFET產品組合使用便攜設備。您可以輕松地定義設備最適合使用參數搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
      發表于 05-20 17:05 ? 226次 閱讀

      STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源鉗位正激轉換器 以太網供電(PoE)的IEEE 802.3bt標準的參考設計

      805的PoE-PD接口的 特點: 系統在封裝中集成一個雙活性橋,熱插拔MOSFET和PoE的PD 支持傳統高功率,4對應用 100伏與0.2Ω總路徑電阻N溝道MOSFET,以每個有源橋 標識哪些種PSE(標準或傳統)它被連接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分類指示為T0,T1和T2信號的組合(漏極開路) 通過STBY,仿和RAUX控制信號智能操作模式選擇的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封裝43個管腳和6個露出墊 特點: PWM峰值電流模式控制器 輸入操作電壓高達75伏 內部高電壓啟動調節器與20毫安能力 可編程固定頻率高達1MHz 可設置的時間 軟關閉(任選地禁用) 雙1A PK ,低側互補柵極驅動器 GATE2可以被關閉以降低功耗 80 %的最大占空比與內部斜率補償 QFN 16 3x3mm的封裝,帶有裸墊 此參考設計表示3.3 V,20 A轉換器解決方案非常適合各種應用,包括無線接入點,具有的PoE-PD接口和一個DC-DC有源鉗位正激變換器提供。...
      發表于 05-20 12:05 ? 113次 閱讀

      STEVAL-ISA165V1 用于與STP120N4F6 LLC諧振轉換器SRK2001自適應同步整流控制器

      LLC諧振變換器的同步整流器,具有自適應的導通和關斷 V CC 范圍:4.5 V至32 V 最大頻率:500kHz的 對于N溝道MOSFET雙柵驅動器(STRD級驅動程序) SR MOSFET類型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是產品評估電路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特異于在使用的變壓器與繞組的全波整流中間抽頭次級LLC諧振轉換器的次級側同步整流。它提供了兩個高電流柵極驅動輸出(用于驅動N溝道功率MOSFET)。每個柵極驅動器被單獨地控制和聯鎖邏輯電路防止兩個同步整流器(SR)MOSFET同時導通。裝置的操作是基于兩者的導通和關斷的同步整流MOSFET的自適應算法。在快速的負載轉變或上述諧振操作期間,另外的關斷機構設置的基礎上,比較器ZCD_OFF觸發非??斓腗OSFET關斷柵極驅動電路。該板包括兩個SR的MOSFET(在一個TO-220封裝),并且可以在一個現有的轉換器,作為整流二極管的替代很容易地實現。...
      發表于 05-20 12:05 ? 112次 閱讀

      STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的電機控制電源板

      電壓:125 - 400 VDC 額定功率:高達1500W的 允許的最大功率是關系到應用條件和冷卻系統 額定電流:最多6 A 均方根 輸入輔助電壓:高達20 V DC 單或用于電流檢測的三分流電阻(與感測網絡) 電流檢測兩個選項:專用的運算放大器或通過MCU 過電流保護硬件 IPM的溫度監測和保護 在STEVAL-IPMM15B是配備有SLLIMM(小低損耗智能模制模塊)第二串聯模塊的小型電動機驅動電源板第二系列n溝道超結的MDmesh?DM2快速恢復二極管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一種用于驅動高功率電機,用于寬范圍的應用,如白色家電,空調機,壓縮機,電動風扇,高端電動工具,并且通常為電機驅動器3相逆變器的負擔得起的,易于使用的解決方案。...
      發表于 05-20 10:05 ? 159次 閱讀

      NCP81143 VR多相控制器

      43多相降壓解決方案針對具有用戶可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU進行了優化。該控制器結合了真正的差分電壓檢測,差分電感DCR電流檢測,輸入電壓前饋和自適應電壓定位,為臺式機和筆記本電腦應用提供精確調節的電源。該控制系統基于雙邊沿脈沖寬度調制(PWM)與DCR電流檢測相結合,以降低的系統成本提供對動態負載事件的最快初始響應。它具有在輕負載運行期間脫落到單相的能力,并且可以在輕負載條件下自動調頻,同時保持優異的瞬態性能。 NCP81143提供兩個內部MOSFET驅動器,帶有一個外部PWM信號。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。獲得專利的動態參考注入無需在閉環瞬態響應和動態VID性能之間進行折衷,從而進一步簡化了環路補償。獲得專利的總電流求和提供高精度的數字電流監控。 應用 終端產品 基于工業CPU的應用程序 信息娛樂,移動,自動化,醫療和安全 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-09 11:36 ? 594次 閱讀

      FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初級側調節PWM

      代初級側調節(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多種功能,以增強低功耗反激式轉換器的性能。 FSEZ1317WA的專有拓撲結構TRUECURRENT?可實現精確的CC調節,并簡化電池充電器應用的電路設計。與傳統設計或線性變壓器相比,可以實現低成本,更小,更輕的充電器。為了最大限度地降低待機功耗,專有綠色模式提供關斷時間調制,以在輕載時線性降低PWM頻率條件。綠色模式有助于電源滿足節能要求。 通過使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件實現充電器并降低成本。 特性 30mW以下的低待機功率 高壓啟動 最少的外部元件計數 恒壓(CV)和恒流(CC)控制無二次反饋電路 綠色模式:線性降低PWM頻率 固定頻率為50kHz的PWM頻率以解決EMI問題 CV模式下的電纜補償 CV中的峰值電流模式控制模式 逐周期電流限制 V DD 使用Auto Restar進行過壓保護t V DD 欠壓鎖定(UVLO) 柵極輸出最大電壓鉗位在15V 自動重啟固定過溫保護 7導聯SOP 應用 電子書閱讀器 外部AC-DC商用電源 - 便攜消費型 外部AC-D...
      發表于 07-29 19:02 ? 344次 閱讀

      FSEZ1016A 帶有集成式MOSFET的初級端調節PWM控制器

      度集成的PWM控制器具備多種功能,可增強低功率反激轉換器的性能.FSEZ1016A專有的拓撲簡化了電路設計,特別是電池充電器應用中的電路設計。與傳統設計或線性變壓器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更輕的充電器。啟動電流僅為10μA,允許使用大啟動電阻以實現進一步的節能。為了最大限度地降低待機功耗,專有綠色模式提供了關斷時間調制,以在輕載條件下線性降低PWM頻率。綠色模式有助于電源達到節電要求。通過使用FSEZ1016A,充電器可以用極少的外部元件和最低的成本來完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引腳SOIC封裝。 特性 恒壓(CV)和恒流(CC)控制( 通過飛兆專有的TRUECURRENT?技術實現精準恒定電流 綠色模式功能:線性降低PWM頻率 42 kHz的固定PWM頻率(采用跳頻來解決電磁干擾問題) 恒壓模式下的電纜補償 低啟動電流:10μA 低工作電流:3.5 mA 恒壓模式下的峰值電流模式控制 逐周期限流 V DD 過壓保護(帶自動重啟) V DD 欠壓鎖定(UVLO) 帶閂鎖的固定過溫保護(OTP) 采用SOIC-7封裝 應用 ...
      發表于 07-29 19:02 ? 1487次 閱讀

      NCP81231 降壓控制器 USB供電和C型應用

      31 USB供電(PD)控制器是一款針對USB-PD C型解決方案進行了優化的同步降壓控制器。它們是擴展塢,車載充電器,臺式機和顯示器應用的理想選擇。 NCP81231采用I2C接口,可與uC連接,以滿足USB-PD時序,壓擺率和電壓要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 優勢 I2C可配置性 允許電壓曲線,轉換速率控制,定時等 帶驅動程序的同步降壓控制器 提高效率和使用標準mosfet 符合USB-PD規范 支持usb-pd個人資料 過壓和過流保護 應用 終端產品 USB Type C 網絡配件 消費者 ??空?車載充電器s 網絡中心 桌面 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-29 19:02 ? 508次 閱讀

      NCP81239 4開關降壓 - 升壓控制器 USB供電和C型應用

      39 USB供電(PD)控制器是一種同步降壓升壓,經過優化,可將電池電壓或適配器電壓轉換為筆記本電腦,平板電腦和臺式機系統以及使用USB的許多其他消費類設備所需的電源軌PD標準和C型電纜。與USB PD或C型接口控制器配合使用時,NCP81239完全符合USB供電規范。 NCP81239專為需要動態控制壓擺率限制輸出電壓的應用而設計,要求電壓高于或低于輸入電壓。 NCP81239驅動4個NMOSFET開關,允許其降壓或升壓,并支持USB供電規范中指定的消費者和供應商角色交換功能,該功能適用??于所有USB PD應用。 USB PD降壓升壓控制器的工作電源和負載范圍為4.5 V至28 V. 特性 優勢 4.5 V至28 V工作范圍 各種應用的廣泛操作范圍 I2C接口 允許uC與設備連接以滿足USB-PD電源要求 將頻率從150 kHz切換到1200 kHz 優化效率和規模權衡 過渡期間的壓擺率控制 允許輕松實施USB-PD規范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 過電壓和過流保護 應用 終端產品 消費者 計算 銷售點 USB Type-C USB PD 桌面 集線器 擴展...
      發表于 07-29 19:02 ? 732次 閱讀

      ADP3211 同步降壓控制器 7位 可編程 單相

      1是一款高效的單相同步降壓開關穩壓控制器。憑借其集成驅動器,ADP3211經過優化,可將筆記本電池電壓轉換為高性能英特爾芯片組所需的電源電壓。內部7位DAC用于直接從芯片組或CPU讀取VID代碼,并將GMCH渲染電壓或CPU核心電壓設置為0 V至1.5 V范圍內的值。 特性 優勢 單芯片解決方案。完全兼容英特爾?IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片組電壓調節器規格集成MOSFET驅動器。 提高效率。 輸入電壓范圍為3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感應核心電壓誤差超溫。 提高效率。 自動節電模式可在輕負載運行期間最大限度地提高效率。 提高效率。 軟瞬態控制可降低浪涌電流和音頻噪聲。 當前和音頻縮減。 獨立電流限制和負載線設置輸入,以增加設計靈活性。 改進設計靈活性ity。 內置電源良好屏蔽支持電壓識別(VID)OTF瞬變。 提高效率。 具有0V至1.5V輸出的7位數字可編程DAC。 提高效率。 短路保護。 改進保護。 當前監聽輸出信號。 提高效率。 這是一款無鉛設備。完全符合RoHS標準和32引...
      發表于 07-29 19:02 ? 510次 閱讀

      NCP81149 具有SVID接口的單相電壓調節器 適用于計算應用

      49是一款單相同步降壓穩壓器,集成了功率MOSFET,可為新一代計算CPU提供高效,緊湊的電源管理解決方案。該器件能夠在帶SVID接口的可調輸出上提供高達14A TDC的輸出電流。在高達1.2MHz的高開關頻率下工作,允許采用小尺寸電感器和電容器,同時由于采用高性能功率MOSFET的集成解決方案而保持高效率。具有來自輸入電源和輸出電壓的前饋的電流模式RPM控制確保在寬操作條件下的穩定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封裝。 特性 優勢 4.5V至25V輸入電壓范圍 針對超極本和筆記本應用進行了優化 支持11.5W和15W ULT平臺 符合英特爾VR12.6和VR12.6 +規格 使用SVID接口調節輸出電壓 可編程DVID Feed - 支持快速DVID的前進 集成柵極驅動器和功率MOSFET 小外形設計 500kHz~1.2MHz開關頻率 降低輸出濾波器尺寸和成本 Feedforward Ope輸入電源電壓和輸出電壓的比例 快線瞬態響應和DVID轉換 過流,過壓/欠壓和熱保護 防止故障 應用 終端產品 工業應用 超極本應用程序 筆記本應用程序 集成POL U...
      發表于 07-29 19:02 ? 328次 閱讀

      NCP81174 具有省電模式和PWM VID接口的多相同步降壓控制器

      74是一款通用型四相同步降壓控制器。它結合了差分電壓檢測,差分相電流檢測和PWM VID接口,為計算機或圖形控制器提供精確的穩壓電源。它可以從處理器接收節電命令(PSI),并以單相二極管仿真模式工作,以獲得輕載時的高效率。雙邊沿多相PWM調制確??焖偎矐B響應,并盡可能減少電容。 應用 終端產品 GPU和CPU電源 顯卡的電源管理 臺式電腦 筆記本電腦 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-29 18:02 ? 768次 閱讀

      NCP81141 Vr12.6單相控制器

      41單相降壓解決方案針對Intel VR12.6兼容CPU進行了優化。該控制器結合了真正的差分電壓檢測,差分電感DCR電流檢測,輸入電壓前饋和自適應電壓定位,為臺式機和筆記本電腦應用提供精確調節的電源。單相控制器采用DCR電流檢測,以降低的系統成本提供對動態負載事件的最快初始響應.NCP81141集成了內部MOSFET驅動器,可提高系統效率。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。獲得專利的動態參考注入無需在閉環瞬態響應和動態VID性能之間進行折衷,從而進一步簡化了環路補償。獲得專利的總電流求和提供高精度的數字電流監控。 應用 終端產品 基于工業CPU的應用程序 信息娛樂,移動,自動化,醫療和安全 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-29 18:02 ? 720次 閱讀

      NCP81147 低壓同步降壓控制器

      47是一款單相解決方案,具有差分相電流檢測,同步輸入,遠程接地節能操作和柵極驅動器,可提供精確調節的電源。自適應非重疊柵極驅動和省電操作電路為服務器,筆記本和臺式機系統提供低開關損耗和高效率解決方案。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。 NCP81147還具有軟啟動序列,精確的過壓和過流保護,用于電源軌的UVLO和熱關斷。 特性 優勢 內部高性能運算放大器 簡化系統補償 集成MOSFET驅動器 節省空間并簡化設計 熱關機保護 確保穩健的設計 過壓和過流保護 確保穩健設計 省電模式 在輕載操作期間最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V輸入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通過OSC引腳 保證啟動進入預充電負載 內部軟啟動/停止 振蕩器頻率范圍為100 kHz至1000 kHz OCP準確度,鎖定前的四次重入時間 無損耗差分電感電流檢測 內部高精度電流感應放大器 20ns內部柵極驅動器的自適應FET非重疊時間 Vout從0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 熱能補償電流監測 ...
      發表于 07-29 18:02 ? 612次 閱讀

      NCP5230 低壓同步降壓控制器

      0是一款單相解決方案,具有差分相電流檢測,同步輸入,遠程接地節能操作和柵極驅動器,可提供精確調節的電源。自適應非重疊柵極驅動和省電操作電路為服務器,筆記本和臺式機系統提供低開關損耗和高效率解決方案。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。 NCP5230還具有軟啟動序列,精確的過壓和過流保護,用于電源軌的UVLO和熱關斷。 特性 高性能誤差放大器 >內部軟啟動/停止 0.5%內部電壓精度,0.8 V基準電壓 OCP精度,鎖存前四次重入時間無損差分電感電流檢測內部高精度電流檢測放大器振蕩器頻率范圍100 kHz 1000 kHz 20 ns自適應FET內部柵極驅動器非重疊時間 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V電壓)通過OSC引腳實現芯片功能鎖存過壓保護(OVP)內部固定OCP閾值保證啟動預充電負載 熱補償電流監控 Shutdow n保護集成MOSFET驅動器集成BOOST二極管,內部Rbst = 2.2 自動省電模式,最大限度地提高光效率負載運行同步功能遠程地面傳感這是一個無鉛設備 應用 桌面和服務器系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-29 17:02 ? 543次 閱讀

      NCP3030 同步PWM控制器

      0是一款PWM器件,設計用于寬輸入范圍,能夠產生低至0.6 V的輸出電壓.NCP3030提供集成柵極驅動器和內部設置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振蕩器。 NCP3030還具有外部補償跨導誤差放大器,內置固定軟啟動。保護功能包括無損耗電流限制和短路保護,輸出過壓保護,輸出欠壓保護和輸入欠壓鎖定。 NCP3030目前采用SOIC-8封裝。 特性 優勢 輸入電壓4.7 V至28 V 從不同輸入電壓源調節的能力 0.8 V +/- 1.5%參考電壓 能夠實現低輸出電壓 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高頻操作允許使用小尺寸電感器和電容器 > 1A驅動能力 能夠驅動低Rdson高效MOSFET 電流限制和短路保護 高級保護功能 輸出過壓和欠壓檢測 高級保護功能 具有外部補償的跨導放大器 能夠利用所有陶瓷輸入和輸出電容器 集成升壓二極管 減少支持組件數量和成本 受管制的軟啟動 已結束軟啟動期間的環路調節可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 適用于汽車應用 應用 終端產品 ...
      發表于 07-29 17:02 ? 362次 閱讀
      NCP3030 同步PWM控制器
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