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    2. AlGaN和GaN HEMT在不同溫度下的退化規律及退化機理詳細說明

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      上傳日期: 2020-06-23

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      資料介紹

      標簽:GaN(539)肖特基(297)半導體(8814)

        基于溫度步進應力實驗,研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應力下的退化規律及退化機理。實驗發現: 在結溫為 139 ~ 200 ℃ 時,AlGaN /GaN HEMT 器件的漏源電流隨退化時間逐漸減小; 而在結溫為 200 ~ 352 ℃時,漏源電流隨退化時間逐漸增大。分析表明: 結溫低于200 ℃時,AlGaN 施主原子的離化導致肖特基勢壘高度升高; 而在結溫高于 200 ℃ 時,表面氧雜質的擴散導致肖特基勢壘高度逐漸降低。通過計算肖特基勢壘高度,進一步定量的驗證勢壘高度的變化。而勢壘高度的變化又引起閾值電壓的漂移,進而影響漏源電流的變化。因此漏源電流的退化主要是由于勢壘高度的變化引起的。

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